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公开(公告)号：CN117959849A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311795216.7
申请日：2023-12-25
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 西安交通大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: B01D46/64 , B01D39/14 , B01D46/00 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B15/18 , B32B33/00 , B32B7/12 , B32B37/00 , B32B37/12 , H01F27/40
Abstract: 本发明公开了一种油气分离模组、油气分离模组制作方法以及变压器。其中，方法包括：多层复合刚性分离层、柔性分离层和刚性支撑层，其中多层复合刚性分离层由多层刚性材料逐层复合而成，每层刚性材料均具备多孔结构且每层按照孔径与孔隙率逐层递减式复合；柔性分离层与多层复合刚性分离层中孔径和孔隙率均最小的一层刚性材料结合，使得柔性分离层和多层复合刚性分离层结合形成油气分离层；将油气分离层通过柔性密封橡胶安装在刚性支撑层两侧共同组成油气分离模组。以解决当前面向油浸变压器油气分离装置仍存在的分离时间长、可靠性差以及分离过程可能会消耗、污染变压器内部绝缘油等问题。
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公开(公告)号：CN112666400B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202011297661.7
申请日：2020-11-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种可自动补偿寄生电容的电容测量电路及其使用方法和应用，所述电路，包括：可编程电容器CT的一端与参考电容C0的一端相连接；可编程电容器CT的另一端与仪表放大器的正向输入端VI+或反向输入端VI‑相连接，参考电容C0的另一端与仪表放大器的反向输入端VI‑或正向输入端VI+相连接；仪表放大器的输出端经调理电路与模拟数字转换芯片的输入端相连接；模拟数字转换芯片的输出端与单片机系统的输入端相连接；单片机系统的输出端与显示器相连接；单片机系统的输出端经比例微分积分控制器与可编程电容器CT相连接。本发明的电路，能够自动补偿电容式传感器内部寄生电容对测量电路的影响，可精确测量微小电容的变化量。
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公开(公告)号：CN113074930A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110412612.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01M13/00 , G01N17/00 , G01N25/00 , G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于单一加速因子的微机电器件寿命预测方法，该方法为了实现在单一加速因子下对MEMS器件的寿命进行准确预测，在加速寿命试验时需考虑温度应力和循环应力对MEMS器件寿命的影响。加速寿命试验是在非正常应力水平的加速环境下，通过短时间内对产品施加高于正常水平的应力(如温度应力、循环应力等)，根据替代性试验得到的试验数据能够预测MEMS器件使用寿命，推导出在温度应力和循环应力环境下加速寿命试验数学模型的相关参数，以及在温度应力和循环应力环境下MEMS器件的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111239586A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010066243.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种环境可控的微型测试系统，包括：测试壳体，所述测试壳体内设空腔，所述空腔的环境可控；所述测试壳体内设置有温湿度传感器、加热装置和制冷装置；所述测试壳体的外壁设置有固定孔；控制壳体，所述控制壳体内设置有测试电路、控制电路、显示电路和湿度调节装置；所述湿度调节装置通过管路与测试壳体的空腔相连通，用于导入和导出一定湿度的气体；控制电路用于控制加热装置、湿度调节装置；微处理器，所述微处理器通过排线与测试壳体连接，用于数据读取、信号处理与控制、数据显示。本发明的体积小，重量轻，安装方便；其高度模块化，便于与其他测试系统集成。
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公开(公告)号：CN113466649A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110732566.3
申请日：2021-06-29
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。
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公开(公告)号：CN113466649B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110732566.3
申请日：2021-06-29
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。
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公开(公告)号：CN111239586B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010066243.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种环境可控的微型测试系统，包括：测试壳体，所述测试壳体内设空腔，所述空腔的环境可控；所述测试壳体内设置有温湿度传感器、加热装置和制冷装置；所述测试壳体的外壁设置有固定孔；控制壳体，所述控制壳体内设置有测试电路、控制电路、显示电路和湿度调节装置；所述湿度调节装置通过管路与测试壳体的空腔相连通，用于导入和导出一定湿度的气体；控制电路用于控制加热装置、湿度调节装置；微处理器，所述微处理器通过排线与测试壳体连接，用于数据读取、信号处理与控制、数据显示。本发明的体积小，重量轻，安装方便；其高度模块化，便于与其他测试系统集成。
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公开(公告)号：CN112666400A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011297661.7
申请日：2020-11-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种可自动补偿寄生电容的电容测量电路及其使用方法和应用，所述电路，包括：可编程电容器CT的一端与参考电容C0的一端相连接；可编程电容器CT的另一端与仪表放大器的正向输入端VI+或反向输入端VI‑相连接，参考电容C0的另一端与仪表放大器的反向输入端VI‑或正向输入端VI+相连接；仪表放大器的输出端经调理电路与模拟数字转换芯片的输入端相连接；模拟数字转换芯片的输出端与单片机系统的输入端相连接；单片机系统的输出端与显示器相连接；单片机系统的输出端经比例微分积分控制器与可编程电容器CT相连接。本发明的电路，能够自动补偿电容式传感器内部寄生电容对测量电路的影响，可精确测量微小电容的变化量。
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