纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法及装置

    公开(公告)号:CN111693838B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202010405988.5

    申请日:2020-05-14

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法和装置,该试验方法包括如下过程:提供具有统计学意义数量的场效应晶体管器件,进行第一电参数测试,获取其第一阈值电压;对场效应晶体管进行若干次辐射处理至达到预设的总辐射剂量,在每次辐射处理后均进行第二电参数测试;对辐射处理至总辐射剂量后的场效应晶体管进行偏置处理,然后进行第三电参数测试,获得第三阈值电压;根据数据处理所得的缺陷分布值判断所述场效应晶体管器件是否符合产品要求。该试验方法提供了一种针对纳米场效应晶体管的分析方法,其有效解决了纳米场效应晶体管的量子效应及涨落效应导致的波动幅度大,传统技术无法准确分析的问题。