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公开(公告)号：CN116404389A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310396105.2
申请日：2023-04-10
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，涉及微波电路领域。本发明提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，微同轴宽带耦合器包括：内导体、外导体和支撑介质；内导体的数量为2，均位于外导体之内；支撑介质用于固定内导体；内导体和外导体共同构成微同轴结构，用于实现定向耦合功能；微同轴宽带耦合器分为耦合部位和非耦合部位；其中，耦合部位中的内导体和外导体均上下、左右对称。本发明通过采用矩形微同轴的结构形式，构建了Ku波段的微同轴宽带耦合器，相比于一般微带结构耦合器具有更低的损耗和耦合波动，以及更高的功率容量，并且该耦合器通过平行耦合线的结构实现定向耦合功能。
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公开(公告)号：CN115755116A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211441042.X
申请日：2022-11-17
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明涉及相控阵射频收发组件技术领域，公开了一种小型化星用延时组件，包括金属盖板、金属环框、高温瓷介质基板、延时线芯片、收发双向放大芯片、电源管理芯片、BGA焊球和金丝；金属环框焊接在高温瓷介质基板的边缘并与金属盖板通过激光焊接封合以形成一密闭空腔；延时线芯片、收发双向放大芯片和电源管理芯片均粘结在高温瓷介质基板位于密封空腔内的一侧，并分别通过金丝与电路图型键合以用于实现信号互连；BGA焊球焊接在高温瓷介质基板位于密封空腔外的一侧以用于连接外部电源，提供收发状态控制信号和延时量控制信号，以及作为射频信号的输入、输出接口；本发明有效的减小了延时组件的尺寸与重量，同时确保了性能指标满足要求。
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公开(公告)号：CN114839598B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210378929.2
申请日：2022-04-12
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明提供一种硅基三维集成变频通道，涉及微波电子技术领域。本发明的一种硅基三维集成变频通道，包括多路开关滤波器模块和变频收发模块。其中，多路开关滤波器模块包括依次连接的第一单刀多掷开关、滤波器组和第二单刀多掷开关。变频收发模块包括一级变频收发单元和二级变频收发单元。一级变频收发单元与第一单刀多掷开关连接，二级变频收发单元与第二单刀多掷开关连接。本发明采用二级变频结构和多路开关滤波器组结合的方案，更容易实现宽频段频率转换和更好的交调抑制、杂散抑制效果，实现提高变频通道的杂散抑制性能。
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公开(公告)号：CN114839598A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210378929.2
申请日：2022-04-12
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明提供一种硅基三维集成变频通道，涉及微波电子技术领域。本发明的一种硅基三维集成变频通道，包括多路开关滤波器模块和变频收发模块。其中，多路开关滤波器模块包括依次连接的第一单刀多掷开关、滤波器组和第二单刀多掷开关。变频收发模块包括一级变频收发单元和二级变频收发单元。一级变频收发单元与第一单刀多掷开关连接，二级变频收发单元与第二单刀多掷开关连接。本发明采用二级变频结构和多路开关滤波器组结合的方案，更容易实现宽频段频率转换和更好的交调抑制、杂散抑制效果，实现提高变频通道的杂散抑制性能。
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公开(公告)号：CN118868859A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410916537.6
申请日：2024-07-09
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 一种用于提升矢量合成移相器幅相精度的电路结构属于芯片电路设计技术领域，解决象限交汇处相位变化大导致移相精度受限及由于跨导随偏置电流的平方根非线性变化所导致幅度波动大的问题，正交信号发生器用于产生相位相差90°，幅度相等的正交信号；DAC单元用于产生随控制变化的偏置电位，调节Gilbert单元尾电流，进而实现正交信号幅度控制，合成期望相位；电流校准电路用于对相位精度和幅度波动进行校准；本发明可用于相控阵系统中，通过对高精度移相和低寄生调幅的移相器设计来实现空间目标高精度扫描和低旁瓣干扰；本发明基于矢量合成移相器结构，创新的提出采用电流校准电路，从而提升矢量合成移相器幅相精度提升。
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公开(公告)号：CN118248664A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410239766.9
申请日：2024-03-04
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/50 , H05K1/02 , H05K1/18 , H05K3/00
摘要： 本发明提出了一种微波三维电子装联匹配结构，包括：BGA封装器件和微波多层电路基板及设置在微波多层电路基板表层的微波传输线；微波传输线包括微波传输线Ⅳ、微波传输线Ⅲ、以及微波传输线Ⅱ和微波传输线Ⅰ，微波传输线Ⅳ以及与其相连的微波传输线Ⅲ先与微波多层电路基板的第二地层和BGA封装器件的第一地层连接以构成带状线结构，再与微波传输线Ⅱ及微波传输线Ⅰ相连，并过渡成以微波多层电路基板的第二地层为地层的微带线结构。本发明还提出的一种微波三维电子装联匹配结构的设计方法。本发明不仅可以实现低插损、驻波小传输匹配，更具有表层结构尺寸小、能够对标准封装三维组件进行通用化匹配设计的优势。
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