一种用于电子源系统的真空结构

    公开(公告)号:CN110416043A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910638430.9

    申请日:2019-07-15

    IPC分类号: H01J37/18 H01J37/073

    摘要: 本发明公开一种用于电子源系统的真空结构,包括电子源、屏蔽层、真空腔体外壳,通过所述屏蔽层在所述真空腔体外壳内的阻隔设置形成具有高低差真空度的高真空度腔体区域和低真空度腔体区域;所述电子源位于所述高真空度腔体区域内,所述真空结构的出气位置设置于所述低真空腔体区域上,所述屏蔽层将所述电子源和所述出气位置隔开,所述屏蔽层上设置有小孔,所述小孔连通所述高真空度腔体区域和所述低真空度腔体区域;真空泵通过抽气泵口同时与所述高真空度腔体区域和所述低真空度腔体区域连通;本发明仅依靠一个真空泵使两个腔体满足不同的真空度要求,使内外真空腔体保持真空差在一个数量级。

    一种用于电子束扫描CT的X射线源的阵列靶及制作方法

    公开(公告)号:CN107887243B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201710851400.7

    申请日:2017-09-19

    IPC分类号: H01J35/02 A61N5/10

    摘要: 一种用于电子束扫描CT的X射线源的阵列靶,包括线性阵列靶位、包埋层和靶基;所述线性阵列靶位包括至少一个单独的靶位,所述单独的靶位为线条状,深入所述包埋层0.5至10μm,所述靶位的两端延伸到所述包埋层的边缘,靶位的宽度小于或等于电子束直径,最佳为电子束束流密度的半峰宽尺寸,可近似为电子束直径的1/2至2/3;靶位之间的间隙等于或大于电子束直径;所述包埋层用于配置所述靶位;所述靶基配置于所述包埋层和靶位的底部;所述靶基的厚度为20至300μm。

    一种用于电子源系统的真空结构

    公开(公告)号:CN110416043B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN201910638430.9

    申请日:2019-07-15

    IPC分类号: H01J37/18 H01J37/073

    摘要: 本发明公开一种用于电子源系统的真空结构,包括电子源、屏蔽层、真空腔体外壳,通过所述屏蔽层在所述真空腔体外壳内的阻隔设置形成具有高低差真空度的高真空度腔体区域和低真空度腔体区域;所述电子源位于所述高真空度腔体区域内,所述真空结构的出气位置设置于所述低真空腔体区域上,所述屏蔽层将所述电子源和所述出气位置隔开,所述屏蔽层上设置有小孔,所述小孔连通所述高真空度腔体区域和所述低真空度腔体区域;真空泵通过抽气泵口同时与所述高真空度腔体区域和所述低真空度腔体区域连通;本发明仅依靠一个真空泵使两个腔体满足不同的真空度要求,使内外真空腔体保持真空差在一个数量级。

    一种用于电子束扫描CT的X射线源的阵列靶及制作方法

    公开(公告)号:CN107887243A

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201710851400.7

    申请日:2017-09-19

    IPC分类号: H01J35/02 A61N5/10

    摘要: 一种用于电子束扫描CT的X射线源的阵列靶,包括线性阵列靶位、包埋层和靶基;所述线性阵列靶位包括至少一个单独的靶位,所述单独的靶位为线条状,深入所述包埋层0.5至10μm,所述靶位的两端延伸到所述包埋层的边缘,靶位的宽度小于或等于电子束直径,最佳为电子束束流密度的半峰宽尺寸,可近似为电子束直径的1/2至2/3;靶位之间的间隙等于或大于电子束直径;所述包埋层用于配置所述靶位;所述靶基配置于所述包埋层和靶位的底部;所述靶基的厚度为20至300μm。