公开(公告)号：CN107093665B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201710339899.3

申请日：2017-05-15

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 欧黎 ,  徐阳 ,  江洪敏 ,  司美菊 ,  姜华男 ,  张永川 ,  马晋毅 ,  龙飞 ,  杜波 ,  蒋欣 ,  金成飞 ,  田本朗

IPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  H01L41/39 ,  H01L41/18

摘要： 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极，设置于AlN压电薄膜下，可以提高压电薄膜的c轴取向，降低应力，满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求，由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。

公开(公告)号：CN107093665A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710339899.3

申请日：2017-05-15

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 欧黎 ,  徐阳 ,  江洪敏 ,  司美菊 ,  姜华男 ,  张永川 ,  马晋毅 ,  龙飞 ,  杜波 ,  蒋欣 ,  金成飞 ,  田本朗

IPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  H01L41/39 ,  H01L41/18

CPC分类号： H01L41/0477 ,  H01L41/18 ,  H01L41/29 ,  H01L41/39

摘要： 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极，设置于AlN压电薄膜下，可以提高压电薄膜的c轴取向，降低应力，满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求，由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。