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公开(公告)号：CN102790248B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210322898.5
申请日：2012-09-04
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种小型化微机械滤波器。该滤波器基于微机械工艺制作，由上、下两层介质材料叠加而成；上介质层下表面有交指型金属电极层；下介质层上表面有接地键合焊环，焊环之间有采用刻蚀工艺制备的空腔；上、下介质层上均设有通孔，通孔内壁有金属层；上、下介质层表面有表面电极层，其中，上介质层表面设有输入、输出引出线。该滤波器可以满足微波滤波器工作频率高、带宽大、损耗小等指标要求，具有体积小、全密封、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN101977026A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010526799.X
申请日：2010-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明涉及一种空腔型薄膜体声波谐振器，包括一种带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器构成。其特征为：所述带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽，键合后衬底硅片与顶层硅形成封闭的空腔结构；顶层硅上部设置换能器，换能器由压电薄膜以及镀在压电薄膜上下表面的薄电极构成；谐振器可调谐，通过控制空腔上部顶层硅的刻蚀时间来调整其厚度，从而调整谐振器的谐振频率。由于采用预设的空腔结构，本发明无牺牲层，无需国外专利及其产品中处理牺牲层采用的化学机械抛光工艺和牺牲层释放工艺，同时本发明综合了SOI材料所具有的源、漏寄生电容小和低电压低功耗等优点，能与IC兼容，易于集成，本发明工艺简单，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN107093665B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710339899.3
申请日：2017-05-15
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/39 , H01L41/18
摘要： 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极，设置于AlN压电薄膜下，可以提高压电薄膜的c轴取向，降低应力，满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求，由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。
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公开(公告)号：CN103985949B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410205053.7
申请日：2014-05-15
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线，换能器制备时，先在传声介质两端面分别沉积底电极薄膜，用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻，形成底电极图形；再在两端底电极上沉积压电层薄膜；最后在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜，用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻，形成上电极图形。本发明无需光刻氮化铝压电薄膜，简化了制备工艺，避免了底电极薄膜图形在刻蚀氮化铝时遭破坏，避免了氮化铝腐蚀表面残留物对后续工艺质量的影响。本发明可以优化高频体声波延迟线制备工艺，简化高频体声波延迟线换能器制备工艺，并提高器件工艺制备成品率和产品可靠性。
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公开(公告)号：CN103296992B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310270304.5
申请日：2013-06-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法及薄膜体声波谐振器结构。该薄膜体声波谐振器结构的制造方法其包括步骤：于载片上形成薄膜体声波谐振器；于衬底上形成空腔；将薄膜体声波谐振器搭载在该空腔；形成该薄膜体声波谐振器的电极的电连接层。本发明薄膜体声波谐振器结构的制造方法及薄膜体声波谐振器结构无需现有技术中提到的牺牲材料、无需牺牲层薄膜释放工艺，从而简化了工艺，避免了牺牲层材料残留导致的Q值恶化，从而实现高Q值薄膜体声波谐振器结构的简单制造。此外，薄膜体声波谐振器结构的制造方法及薄膜体声波谐振器结构的生产成本较低。
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公开(公告)号：CN103868818A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410121759.5
申请日：2014-03-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G01N5/02
摘要： 本发明涉及一种三维纳米结构声表面波气敏传感器，包括压电基底，置于该压电基底表面且相互平行的输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2以及敏感区，敏感区位于输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2之间，敏感区上具有三维纳米结构敏感膜，三维纳米结构敏感膜包括生长在敏感区上的改性三维纳米线或纳米管及涂覆在敏感区表面的敏感膜，改性三维纳米线或纳米管是在外表面附着有敏感膜的三维纳米线或纳米管。该气敏传感器集成度高、小体积、重量轻成本低，适用范围广，可在室温下工作，对低浓度气体检测时灵敏度高，更重要的是可以对多种气体进行快速、可靠的检测。
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公开(公告)号：CN105070699B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510462514.3
申请日：2015-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/66
CPC分类号： H01L2224/16225
摘要： 本发明公开了一种异构集成无源射频滤波器的射频前端模拟集成芯片，包括射频滤波器和射频集成电路，射频滤波器包括射频滤波器衬底和射频滤波器芯片电路，射频集成电路包括射频集成电路衬底、射频集成电路芯片电路、接地金属层或深阱和钝化层。射频滤波器衬底表面制作有若干与射频集成电路连接用射频滤波器焊盘，射频滤波器焊盘与射频滤波器芯片电路位于射频滤波器衬底同一表面；射频集成电路焊盘通过钝化层上的通孔与射频集成电路芯片电路连接；射频滤波器焊盘与射频集成电路焊盘通过倒装焊异构集成工艺对应连接在一起。本发明可以在确保芯片性能的前提下，实现射频滤波器与RFIC的高密度集成，达到减小射频前端面积的目的。
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公开(公告)号：CN105070699A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510462514.3
申请日：2015-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/66
CPC分类号： H01L2224/16225
摘要： 本发明公开了一种异构集成无源射频滤波器的射频前端模拟集成芯片，包括射频滤波器和射频集成电路，射频滤波器包括射频滤波器衬底和射频滤波器芯片电路，射频集成电路包括射频集成电路衬底、射频集成电路芯片电路、接地金属层或深阱和钝化层。射频滤波器衬底表面制作有若干与射频集成电路连接用射频滤波器焊盘，射频滤波器焊盘与射频滤波器芯片电路位于射频滤波器衬底同一表面；射频集成电路焊盘通过钝化层上的通孔与射频集成电路芯片电路连接；射频滤波器焊盘与射频集成电路焊盘通过倒装焊异构集成工艺对应连接在一起。本发明可以在确保芯片性能的前提下，实现射频滤波器与RFIC的高密度集成，达到减小射频前端面积的目的。
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公开(公告)号：CN103336051B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310290659.0
申请日：2013-07-10
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G01N29/02
摘要： 本发明涉及一种气体传感器用声表面波敏感器件。该气体传感器用声表面波敏感器件包括一个衬底、一个第一双端声表面波谐振器、一个与该第一双端声表面波声谐振器的谐振频率不同的第二双端声表面波谐振器。该衬底包括一个第一表面和一个与该第一表面相对设置的第二表面；该第一双端声表面波谐振器设置在该第一表面，该二双端声表面波谐振器设置在该第二表面；该第一双端声表面波谐振器和该第二双端声表面波谐振器具有一个交叠区域。本发明气体传感器用声表面波敏感器件的灵敏度较佳。
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公开(公告)号：CN103336051A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310290659.0
申请日：2013-07-10
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G01N29/02
摘要： 本发明涉及一种气体传感器用声表面波敏感器件。该气体传感器用声表面波敏感器件包括一个衬底、一个第一双端声表面波谐振器、一个与该第一双端声表面波声谐振器的谐振频率不同的第二双端声表面波谐振器。该衬底包括一个第一表面和一个与该第一表面相对设置的第二表面；该第一双端声表面波谐振器设置在该第一表面，该二双端声表面波谐振器设置在该第二表面；该第一双端声表面波谐振器和该第二双端声表面波谐振器具有一个交叠区域。本发明气体传感器用声表面波敏感器件的灵敏度较佳。
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