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公开(公告)号:CN107093665A
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201710339899.3
申请日:2017-05-15
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/39 , H01L41/18
CPC分类号: H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/29 , H01L41/39
摘要: 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法,该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜,底电极采用WSi材料制成,压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极,设置于AlN压电薄膜下,可以提高压电薄膜的c轴取向,降低应力,满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求,由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。
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公开(公告)号:CN107093665B
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201710339899.3
申请日:2017-05-15
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/39 , H01L41/18
摘要: 本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法,该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜,底电极采用WSi材料制成,压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极,设置于AlN压电薄膜下,可以提高压电薄膜的c轴取向,降低应力,满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求,由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用。
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公开(公告)号:CN103868818A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410121759.5
申请日:2014-03-28
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: G01N5/02
摘要: 本发明涉及一种三维纳米结构声表面波气敏传感器,包括压电基底,置于该压电基底表面且相互平行的输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2以及敏感区,敏感区位于输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2之间,敏感区上具有三维纳米结构敏感膜,三维纳米结构敏感膜包括生长在敏感区上的改性三维纳米线或纳米管及涂覆在敏感区表面的敏感膜,改性三维纳米线或纳米管是在外表面附着有敏感膜的三维纳米线或纳米管。该气敏传感器集成度高、小体积、重量轻成本低,适用范围广,可在室温下工作,对低浓度气体检测时灵敏度高,更重要的是可以对多种气体进行快速、可靠的检测。
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公开(公告)号:CN112713873A
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202011592828.2
申请日:2020-12-29
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要: 本发明涉及一种声表面波器件,涉及一种多层薄膜结构的声表面波滤波器;所述滤波器包括压电层和所述压电层上方梳状设置的金属指条,在所述压电层下方设置有功能层,在所述功能层下方设置有高声速层,在所述高声速层下方设置有支撑衬底。包括压电层和所述压电层上方梳状设置的金属指条,其特征在于,在所述压电层下方设置有功能层,在所述功能层下方设置有高声速层,在所述高声速层下方设置有支撑衬底;本发明利用压电层的复合薄膜结构抑制了体波散射,并且通过对金属指条进行加权设计,进一步减小表面波的杂波损耗,从而实现低损耗、高矩形度和高温度稳定性的声表面波滤波器,满足未来通讯密集频谱的滤波器需求。
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公开(公告)号:CN112511130A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011505140.6
申请日:2020-12-18
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要: 本发明公开了一种应用于声表面波滤波器晶圆级防漏液封装方法,步骤为,1)在晶圆工作表面粘贴一层底膜;2)通过光刻工艺去掉不需要的底膜,光刻后形成需要的通孔、切割道、腔体及墙结构;3)在墙结构上再粘贴一层顶膜;4)通过光刻工艺将与通孔对应的顶膜去除,留下腔体上方和切割道上方的顶膜;5)通过电镀在通孔内形成导通结构;6)将步骤5)得到的的镀层中不需要部分腐蚀掉;7)在通孔上方形成锡球;8)沿预留的切割道切割,得到多个独立的器件;9)通过倒装焊工艺将器件焊接在PCB板上;10)利用封料将器件封装在PCB板上,从而得到声表面波滤波器模组。本方法可以保证电镀时不发生漏液及电镀铜残留问题。
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公开(公告)号:CN213305363U
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202022826867.6
申请日:2020-11-30
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要: 本实用新型公开了一种应用于声表面波滤波器晶圆级封装的耐模压加强结构,包括晶片,在晶片工作表面粘贴有PI膜,PI膜的镂空部位形成腔体和通孔,PI膜的其余部位构成墙结构;通孔内填充有金属以形成电极通道,在腔体开口上封盖有封板,封板周围搭在墙结构上,封板将腔体开口完全封闭;晶片通过设置在电极通道端部的焊球倒装焊接在基板上;在封板上设有承压增强板;承压增强板周围至少有部分搭在墙结构上以由墙结构支撑;封装料在封闭晶片的同时将承压增强板和封板一起封闭。所述承压增强板由金属构成,承压增强板与电极通道隔离设置。本结构可以提高器件耐模压能力,避免器件封装时受损。
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公开(公告)号:CN204008364U
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201420146235.7
申请日:2014-03-28
申请人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号: G01N5/02
摘要: 本实用新型涉及三维纳米结构声表面波气敏传感器,包括压电基底,置于该压电基底表面且相互平行的输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2以及敏感区,敏感区位于输入叉指电极IDT1和输出叉指电极IDT2之间,敏感区上具有三维纳米结构敏感膜,三维纳米结构敏感膜包括生长在敏感区上的改性三维纳米线或纳米管及涂覆在敏感区表面的敏感膜,改性三维纳米线或纳米管是在外表面附着有敏感膜的三维纳米线或纳米管。该气敏传感器集成度高、小体积、重量轻成本低,适用范围广,可在室温下工作,对低浓度气体检测时灵敏度高,更重要的是可以对多种气体进行快速、可靠的检测。
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