公开(公告)号：CN115242204A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210884189.X

申请日：2022-07-25

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 刘娅 ,  马晋毅 ,  张祖伟 ,  杨冬 ,  徐阳 ,  杨靖 ,  许若娴 ,  许东辉

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/10

摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构和封装方法，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括功能晶圆和玻璃晶圆，所述功能晶圆与所述玻璃晶圆通过阳极键合连接；所述功能晶圆包括硅衬底，所述硅衬底上开设有空腔，在所述硅衬底上设置有掩埋所述空腔的膜层结构，在所述膜层结构的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；所述玻璃晶圆上开设有凹槽并形成封盖，所述封盖覆盖所述焊盘电极和所述膜层结构，且通过盖沿与功能晶圆连接；在所述封盖的顶盖处开设有盲孔，在所述盲孔内填充有电镀的金属材料，将所述焊盘电极从盲孔引出；本专利采用硅和玻璃进行阳极键合，降低工艺难度，同时节约成本。

公开(公告)号：CN105306005B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201510802876.2

申请日：2015-11-19

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 周卫 ,  朱明 ,  田亚睿 ,  曾武 ,  付金桥 ,  马晋毅 ,  陈峻 ,  许东辉 ,  冉川云 ,  欧阳锋 ,  黎亮

IPC分类号： H03H9/64

摘要： 本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器，包括封装在表面贴装外壳内的芯片，所述芯片上设有声表面横波谐振滤波器，所述声表面横波谐振滤波器至少为两组，所有声表面横波谐振滤波器首尾连接。每组声表面横波谐振滤波器的中间短路栅的指条宽度小于叉指换能器的指条宽度。本发明谐振滤波器带外抑制大大提高，改善了带外抑制性能，在高频工作时满足了高带外抑制的要求。至少两组连接方式可是沿着声波传播方向设置，也可是平行设置，并且相隔一定距离，这样可以降低器件空间占用。

公开(公告)号：CN104639092A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410762551.1

申请日：2014-12-13

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 周卫 ,  朱明 ,  田亚睿 ,  陈峻 ,  曾武 ,  刘积学 ,  马晋毅 ,  许东辉 ,  冉川云 ,  欧阳锋 ,  黎亮

IPC分类号： H03H9/64

CPC分类号： H03H9/64

摘要： 本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器，包括封装在外壳内的芯片，所述芯片上设有谐振滤波器，所述谐振滤波器为两个，分别为第一级谐振滤波器和第二级谐振滤波器，两谐振滤波器共用一块压电石英基片，第一级谐振滤波器的输出换能器信号输出引线电极与第二级谐振滤波器的输入换能器信号输入引线电极连接。本谐振滤波器带外抑制大大提高，改善了带外抑制性能，在高频工作时满足了高带外抑制的要求。

公开(公告)号：CN105306005A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510802876.2

申请日：2015-11-19

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 周卫 ,  朱明 ,  田亚睿 ,  曾武 ,  付金桥 ,  马晋毅 ,  陈峻 ,  许东辉 ,  冉川云 ,  欧阳锋 ,  黎亮

IPC分类号： H03H9/64

CPC分类号： H03H9/64

摘要： 本发明公开了一种高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器，包括封装在表面贴装外壳内的芯片，所述芯片上设有声表面横波谐振滤波器，所述声表面横波谐振滤波器至少为两组，所有声表面横波谐振滤波器首尾连接。每组声表面横波谐振滤波器的中间短路栅的指条宽度小于叉指换能器的指条宽度。本发明谐振滤波器带外抑制大大提高，改善了带外抑制性能，在高频工作时满足了高带外抑制的要求。至少两组连接方式可是沿着声波传播方向设置，也可是平行设置，并且相隔一定距离，这样可以降低器件空间占用。

公开(公告)号：CN112702040A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202110177497.4

申请日：2021-02-09

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 周卫 ,  李洪平 ,  潘琪 ,  唐盘良 ,  许东辉 ,  黎亮 ,  张显洪

IPC分类号： H03H9/64

摘要： 本发明公开了一种单晶薄膜声表面波滤波器及降低基带提高带外抑制的方法，单晶薄膜声表面波滤波器包括压电基片，在压电基片上设有输入换能器结构和输出换能器结构；输入换能器结构和输出换能器结构均由反射器和叉指换能器构成，所述叉指换能器和反射器的指条宽度小于对应的指条之间的间隙宽度；叉指换能器和反射器指条之间的间隙宽度是对应指条宽度的3‑10倍。本发明通过改变现有单晶薄膜基片上声表面波滤波器的指条宽度和指条之间的间隙宽度，使得指条之间间隙宽度与指条宽度之比在3‑10之间，这样减少指条之间回波反射带来的噪声，降低滤波器基带，达到提高带外抑制的性能。

公开(公告)号：CN217721145U

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202221917151.X

申请日：2022-07-25

申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所

发明人： 刘娅 ,  马晋毅 ,  张祖伟 ,  杨冬 ,  徐阳 ,  杨靖 ,  许若娴 ,  许东辉

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/10

摘要： 本专利涉及一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构，属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域；所述封装结构包括功能晶圆和玻璃晶圆，所述功能晶圆与所述玻璃晶圆通过阳极键合连接；所述功能晶圆包括硅衬底，所述硅衬底上开设有空腔，在所述硅衬底上设置有掩埋所述空腔的膜层结构，在所述膜层结构的两肩处形成有向上凸起的焊盘电极；所述玻璃晶圆上开设有凹槽并形成封盖，所述封盖覆盖所述焊盘电极和所述膜层结构，且通过盖沿与功能晶圆连接；在所述封盖的顶盖处开设有盲孔，在所述盲孔内填充有电镀的金属材料，将所述焊盘电极从盲孔引出；本专利采用硅和玻璃进行阳极键合，降低工艺难度，同时节约成本。