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公开(公告)号：CN115933014A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211508213.6
申请日：2022-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种亚微米级单晶薄膜的制备方法，1）将功能层晶圆和支撑层晶圆通过键合工艺键合在一起，得到键合体；2）将键合体中的功能层机械减薄至15μm的厚度；3）对步骤2）减薄后的键合体功能层再进行离子束物理轰击处理，使键合体中的功能层厚度不均匀性控制在5%以内；4）最后采用化学机械抛光至目标厚度，即得到亚微米级单晶薄膜。本发明能够使亚微米级单晶薄膜的膜厚不均匀性偏差控制在5%以内，避免由于膜厚不均匀性对光波导性能造成的不利影响。
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公开(公告)号：CN118371466A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410529583.0
申请日：2024-04-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： B08B3/02 , B24C1/08 , B24B27/033 , H01J37/317 , H01L21/265 , F26B21/00 , B08B3/12 , B08B3/08
摘要： 本发明公开了一种离子源维护方法，具体包括以下步骤：S1：将离子源从离子注入机中取出，并将离子源拆解为分离的离子源组件；S2：对附有沉积物和变色的离子源组件进行喷砂处理，喷砂处理后，对离子源组件上残留的沉积物进行打磨处理；S3：打磨干净的离子源组件依次进行水洗、超声清洗、酒精浸泡，然后吹干；S4：将吹干后的离子源组件置于保温箱中烘干后取出，最后反向顺序组装好离子源即可。该维护方法能有效清除离子源组件上的沉积物，减少设备异常放电，提高离子源引出束流的稳定性和均匀性，增加离子注入机的使用寿命，且耗时短，效率高。
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公开(公告)号：CN117777862A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311821155.7
申请日：2023-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： C09G1/02 , H10N30/086
摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光液和一种具有空腔压电单晶复合衬底的制备方法，针对现有技术中对硅酸镓镧晶圆表面抛光处理无法满足室温键合工艺要求的问题，采用酸性的二氧化铈抛光液，能够做到表面损伤小，对硅酸镓镧晶体的化学腐蚀速率也更快，提高了加工效率；本发明能够使得两晶圆待键合面的表面粗糙度低于1nm甚至0.5nm，有效实现晶圆全局平坦化，最终得到符合室温键合工艺要求的表面；而采用室温键合工艺制作的具有空腔压电单晶复合衬底，可以为表面声波高温传感器制作提供大尺寸衬底，键合强度高且不易碎裂，空腔的密封性好。
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公开(公告)号：CN115472734A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211056640.5
申请日：2022-08-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶薄膜复合材料及制备方法，该制备方法包括，1）在衬底基板上沉积缺陷捕获层，再在缺陷捕获层上沉积氧化埋层，以形成复合基板；2）通过离子注入法将一种或混合离子注入到钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶晶圆，以形成薄膜层、损伤层和余料层；3）将薄膜层和氧化埋层键合以使复合基板和钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶形成键合体，对键合体加热预定时间，使薄膜层与余料层分离，分离后的薄膜层及残余部分损伤层与复合基板一起形成初始单晶薄膜复合材料，最后通过化学机械抛光去除损伤层，得到钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶薄膜复合材料。本发明提高了器件的工作效率和温度稳定性等性能指标，为器件的半导体集成和小型化提供了便利。
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公开(公告)号：CN117042579A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311187190.8
申请日：2023-09-14
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H10N30/00 , H10N30/85 , H10N30/092
摘要： 本发明公开了一种压电单晶薄膜复合材料及其制备方法，压电单晶薄膜复合材料包括衬底基板层和压电单晶薄膜层，衬底基板层由尖晶石构成。尖晶石基板通过掺杂以调节尖晶石基板的频率温度系数使之能够补偿压电材料的频率温度系数。在衬底基板层和压电单晶薄膜层之间还可以设置功能层。本发明基于尖晶石衬底的压电单晶薄膜复合材料制备的滤波器具有更高的中心频率，扩大了器件在5G通信领域的应用范围。尖晶石基板层通过掺杂使其能够调节压电单晶薄膜复合材料的频率温度系数，使压电单晶薄膜复合材料的频率温度系数更加向零靠近，可以制备得到温度稳定性更高的滤波器。
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