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公开(公告)号：CN118745593A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410847201.9
申请日：2024-06-27
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及一种可调温的晶体生长装置，包括设置于炉膛内的坩埚，所述坩埚的四周环绕设有感应线圈，所述感应线圈连接有电源；在感应线圈的上方设有保温装置，所述保温装置包括在炉膛内沿其高度方向螺旋环绕并与所述感应线圈同轴的加热丝，加热丝的两端相连形成封闭的回路。本发明通过在感应加热炉内感应线圈的上方设置具有封闭回路的加热丝，将感应线圈产生的涡流中原本无法被有效利用的一部分来使得加热丝发热升温，以便在炉膛内部建立合适的温度梯度，保温装置本身不需要外接电源，仅依靠感应线圈产生涡流的能量，实现了电源能量的最大利用，方便进一步控制晶体生长所需的保温温度，构建合适的晶体生长区间。
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公开(公告)号：CN115467015B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211270272.4
申请日：2022-10-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于半导体基础材料领域，特别涉及一种液相外延YIG晶体生长自动控制设备，该设备包括：支架、物料放置台、炉体以及籽晶杆结构；支架位于设备的底端，用于支撑整个设备；物料放置台的一端设置在支架内部，另一端设置在炉体的内部；炉体的底部设置在支架顶部，籽晶杆结构设置在炉体的顶部，构成液相外延YIG晶体生长自动控制设备；本发明的设备炉膛采用金属夹层水冷结构，炉膛顶部及底部设计有匹配温场的进出孔径，并设计有T台结构用于进行温场密封，炉体沿母线180度开合，便于温场装卸。
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公开(公告)号：CN118668290A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411128467.4
申请日：2024-08-16
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种单晶光纤生长方法和系统，所述单晶光纤生长方法采用竖直设置的多级激光加热系统，一步实现了单晶光纤多次缩径的越级生长。采用本发明光纤生长方法，在制备小尺寸单晶光纤时，无需在每一级光纤生长前都进行光路调节、籽晶和光纤调中等操作，在制备之前仅需进行一次调节，即可制备出所需单晶光纤，生长结束后无需退火，制备过程简单，操作时间短，解决了单晶光纤难以越级生长的技术难点，实现了使用大直径光纤进行小直径单晶光纤的一次性生长，大大提高了直径小于100 um的单晶光纤制备效率，且保证了单晶光纤的生长质量，具有良好的经济效益。
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公开(公告)号：CN116974001A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310784342.6
申请日：2023-06-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种超长单晶光纤的制备装置，包括加热装置、送料装置、退火装置、导向装置和张紧收纳装置；加热装置包括激光发射装置、束变环装置及环状聚焦装置，环状聚焦装置能够将空心环状光束聚焦在环状聚焦装置的下方；送料装置包括光纤原料棒和与光纤原料棒固定且能够驱动光纤原料棒沿竖直方向进行移动的供料装置，光纤原料棒位于环状聚焦装置的下方；导向装置位于环状聚焦装置上方且能够对光纤和籽晶进行夹持驱动上移或下移；退火装置位于环状聚焦装置的聚焦点处与导向装置之间的位置且用于对单晶光纤进行退火处理；张紧收纳装置能够对单晶光纤进行缠卷收纳。本发明通过对光纤原料棒的顶部进行升温加热，实现籽晶的接种以单晶光纤的生长。
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公开(公告)号：CN104088012A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410372157.7
申请日：2014-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种直接生长蓝宝石整流罩的设备，包括机架、炉体、坩埚、以及毛细管导模，在机架的下方设有一旋转组件，所述旋转组件包括固定架、旋转电机以及传动杆，通过该旋转电机能够带动坩埚转动；在炉体上方设有一支架，在支架上设有一纵向移动机构和横向移动机构，所述横向移动机构与纵向移动机构相连，在横向移动机构上设有一力矩电机，在力矩电机的输出轴上设有一籽晶杆固定架，所述毛细管导模竖直设于炉体内，并通过固定夹具安装于坩埚上，其下端伸入坩埚内；在炉体顶部设有一供籽晶杆穿过的通孔，且籽晶杆能够在该通孔内横向移动。本发明能够有效降低加工难度，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN104088010A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410373898.7
申请日：2014-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种直接成型蓝宝石整流罩的方法，其具体加工步骤如下：1)在坩埚内加入蓝宝石晶体原料；2)使籽晶杆的轴心线与毛细管导模的轴心线重合，并与毛细管导模的上端具有30—50mm的间隙；3)通过控制系统控制炉体进行加热，直至坩埚内的蓝宝石晶体原料熔化，蓝宝石熔液随毛细管导模向上移动至籽晶杆的下端；4)通过坩埚旋转机构带动坩埚旋转，同时通过竖移机构向上提拉籽晶杆，并通过转动机构带动籽晶杆绕其轴心线转动；5)直到整流罩成型后，后对炉体进行降温，待降温后将整流罩与籽晶杆一起取下；最后将整流罩从籽晶杆上取下，进行后续打磨处理。本发明能够有效降低加工难度，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110004496B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910410402.1
申请日：2019-05-16
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种环形激光加热系统，可见光发射器及激光发射器朝向合束装置设置，合束装置能够将可见光发射器发射的可见光束的光路及激光发射器发射的激光光束的光路合束为相同光路并使其朝向束变环装置；束变环装置能够将可见光束或激光光束变为空心环状光束并将空心环状光束折轴射向聚焦装置；聚焦装置能够将空心环状光束聚焦并射向待加热区域。本发明将可见光束的光路与激光光束的光路合束为相同光路，工作人员可基于可见光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息来判断激光光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息，从而便于对激光光束进行控制调节，保证加热效果。
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公开(公告)号：CN116770420A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310784337.5
申请日：2023-06-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种抗抖动的籽晶杆装置，包括竖直设置的籽晶杆以及竖直设于籽晶杆上端的籽晶，在籽晶杆上端设有导向套筒，所述导向套筒套设在籽晶杆上，便于在籽晶杆竖直方向移动过程中对籽晶杆进行导向，导向套筒顶端封闭且导向套筒顶端设有供籽晶通过的过孔；所述导向套筒外设有支撑结构，所述支撑结构用于对导向套筒进行支撑。该籽晶杆装置的结构稳定性高，能对籽晶杆和籽晶进行有效导向和扶持，减小抖动，从而能用于制备小直径、大尺寸且高质量的单晶光纤。
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公开(公告)号：CN115933014A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211508213.6
申请日：2022-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种亚微米级单晶薄膜的制备方法，1）将功能层晶圆和支撑层晶圆通过键合工艺键合在一起，得到键合体；2）将键合体中的功能层机械减薄至15μm的厚度；3）对步骤2）减薄后的键合体功能层再进行离子束物理轰击处理，使键合体中的功能层厚度不均匀性控制在5%以内；4）最后采用化学机械抛光至目标厚度，即得到亚微米级单晶薄膜。本发明能够使亚微米级单晶薄膜的膜厚不均匀性偏差控制在5%以内，避免由于膜厚不均匀性对光波导性能造成的不利影响。
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公开(公告)号：CN113897670A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111342567.3
申请日：2021-11-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种用于晶体生长的坩埚装置及使用方法；该装置包括：坩埚体以及至少两根导料管；所有的导料管均匀的设置在坩埚体的侧面；所述坩埚体的侧面设置有与导料管数量相同的坩埚通孔；导料管的下端管口与坩埚通孔连接，使得熔液能通过导料管流入坩埚体内部；本发明成本低，加热滞后性小，温场均匀性高，可实现生长高质量、大尺寸晶体的目标，具有良好的经济效益。
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