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公开(公告)号：CN113904635A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111185458.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器包括输入偏置网络、输入匹配网络、放大电路、输出匹配网络、输出偏置网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端分别作为输入偏置网络以及放大电路的第一输入；输入偏置网输出端作为放大电路的第二输入；放大电路的第一输出端与输出匹配电路的第一输入端连接；放大电路的第二输出端经过输出偏置电路进行偏置处理后作为输出匹配电路的第一输入端；电源端与输出匹配电路的第二输入端连接；输出匹配电路的输出作为高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器的输出端；本发明有效提升射频放大器的三阶交调点参数，并在很宽的频带内获得很好的功率特性及输入输出匹配特性。
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公开(公告)号：CN119401956A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411433547.0
申请日：2024-10-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种带有滤波功能的高线性度放大器，包括：输入匹配网络、偏置网络A、偏置网络B、反馈网络、滤波网络、放大电路和输出匹配网络；本发明采用Cascode电路结构构成放大电路，通过RC反馈网络保证增益平坦度和良好的输入和输出匹配。通过偏置网络A和偏置网络B提供放大器随温度变化波动很小的晶体管偏置电压，以保证整体放大器静态电流随温度变化的稳定性。通过在放大器中引入滤波网络实现低通滤波的功能，提升放大器高频的谐波和杂波抑制，同时通过优化偏置网络A、偏置网络B和滤波网络的结构提高了放大电路的线性度，提升了放大器设计的灵活度。
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公开(公告)号：CN113904635B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111185458.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器包括输入偏置网络、输入匹配网络、放大电路、输出匹配网络、输出偏置网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端分别作为输入偏置网络以及放大电路的第一输入；输入偏置网输出端作为放大电路的第二输入；放大电路的第一输出端与输出匹配电路的第一输入端连接；放大电路的第二输出端经过输出偏置电路进行偏置处理后作为输出匹配电路的第一输入端；电源端与输出匹配电路的第二输入端连接；输出匹配电路的输出作为高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器的输出端；本发明有效提升射频放大器的三阶交调点参数，并在很宽的频带内获得很好的功率特性及输入输出匹配特性。
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公开(公告)号：CN111510089B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010361116.3
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种带旁路功能的低噪声放大模块及控制方法，属于单片射频/微波集成电路技术领域；所述一种带旁路功能的低噪声放大模块包括第一单刀双掷射频开关、第二单刀双掷射频开关以及低噪声放大器；第一单刀双掷射频开关的第一输出端与低噪声放大器输入端相连；第一单刀双掷射频开关的第二输出端与第二单刀双掷射频开关的第一输入端相连；低噪声放大器输出端与第二单刀双掷射频开关的第二输入端相连；本发明在低噪声放大器的基础上集成了两个射频开关，从而实现旁路功能。对于输入信号范围影响明显，本发明可以处理信号幅度低于低噪声放大器输入1dB压缩点信号外，也可以处理幅度大于输入1dB压缩点的信号，有效提升了系统的动态范围。
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公开(公告)号：CN114928339B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210506577.4
申请日：2022-05-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，包括偏置电压、晶体管M1‑M5、电阻R1‑R4、电感L1‑L2、两个电流控制阵列、两个相位补偿阵列，其中晶体管M1和晶体管M2组成共源极差分对管，电阻R1与电阻R2分别为晶体管M1和晶体管M2提供栅压偏置；晶体管M3和晶体管M4组成共栅极放大级；晶体管M5为尾电流源，用于保障放大器整体电流不变；电流控制阵列用于实现对放大器增益的编程控制；相位补偿阵列用于消除前馈电容影响，减小增益变化引起的附加相移，本发明提高了CMOS射频可编程增益放大器的增益变化范围，并减小了增益变化过程中引入的信号附加相移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117240243A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311188484.2
申请日：2023-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种基于GaAs工艺的紧凑尺寸高精度数控移相器的信号相位控制方法，包括：第一功率分配网络、第二功率分配网络、正交网络、第一双相衰减器以及第二双相衰减器；输入信号经过第一功率分配网络转换为两路信号；将两路信号输入到正交网络进行相位调整，得到两路正交信号；将两路正交信号分别输入到第一双相衰减器和第二双相衰减器中，进行幅度调整；将第一双相衰减器输出的调整后的信号和第一双相衰减器输出的调整后的信号输入到第二功率分配网络中进行矢量相加，得到经过移相的信号；本发明的功率分配网络采用集总式威尔金森功分器结构，在保证移相精度的同时有效减小了芯片尺寸。
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公开(公告)号：CN115549609A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211272254.X
申请日：2022-10-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高增益平坦度、高线性度的宽带低噪声放大器，包括输入匹配网络、偏置网络、反馈网络、放大电路、输出匹配网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端、偏置网络的输出端、反馈网络的输出端与放大电路的输入端相连；偏置网络的第一输入端与放大电路的第一输出端、反馈网络的输入端相连；偏置网络的第二输入端与放大电路的第二输出端相连；放大电路的第三输出端与输出匹配网络的第一输入端相连；输出匹配网络的第二输入端与电源端相连；本发明有效提升宽带低噪声放大器的增益平坦度、线性度，并在很宽的频带内获得很好的输入输出匹配特性。
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公开(公告)号：CN119675627A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411707764.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路设计，特别涉及一种基于GaAs开关晶体管的正压低相移数控衰减器；本发明通过引入自钳位结构，可以将电路中GaAs pHEMT开关晶体管的源极、漏极上拉至高电平，相较于传统的数控衰减器结构更简单，且减少了信号泄露通道，降低了插入损耗；通过引入可调节长度的补偿微带TL1与TL2，进而有效降低衰减器的附加相移；本发明的数控衰减器到地通路采用了更为灵活的结构，可以根据电路实际线路及版图布局的不同需求变更部分器件的连接关系。
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公开(公告)号：CN117097274A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311043184.5
申请日：2023-08-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，包括输入匹配网络、放大电路、偏置网络A、偏置网络B、反馈网络和输出匹配网络；所述输入匹配网络的第一端与高线性度宽带放大器的输入端连接；所述输入匹配网络的第二端与反馈网络的第一端、偏置网络A的第一端和放大电路的第一端连接；所述放大电路的第二端与偏置网络B的第二端连接，所述放大电路的第三端与反馈网络的第三端连接；所述偏置网络A的第二端与偏置网络B的第一端连接，所述偏置网络B的第三端与反馈网络的第二端相连；所述反馈网络的第四端与输出匹配网络的第一端相连，所述输出匹配网络的第三端与电源端相连；所述输出匹配网络的第二端与高线性度宽带放大器的输出端相连。
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公开(公告)号：CN116131764A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211561468.9
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种宽带射频正交相位产生电路；包括功率分配电路、移相网络1和移相网络2；功率分配电路用于接收输入信号，将输入信号转换为幅度相位均相同的两路信号后输出，并提供信号增益和输入阻抗匹配；移相网络1用于接收功率分配电路输出的一路信号，并对其进行相位变化后通过同相输出端输出信号1；移相网络2用于接收功率分配电路输出的另一路信号，并对其进行相位变化后通过反相输出端输出信号2；信号1和信号2是相位差为90°的正交信号；本发明采用带RC负反馈和源极退化电感的共源极放大器构成功率分配电路，采用两级基于耦合电感的全通网络级联构成移相网络，可以提高工作带宽和降低幅相误差。
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