-
公开(公告)号：CN118539877A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410562385.4
申请日：2024-05-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路设计领域，具体涉及一种自适应压摆率增强差分输入级电路，包括导通控制模块、交叉耦合模块和电流镜模块；其中，导通控制模块连接电源端和交叉耦合模块，交叉耦合模块连接运算放大器的同相输入端和反相输入端，电流镜模块连接地端和交叉耦合模块；本发明基于双极工艺，采用改进型的压摆率增强输入级结构，在充分降低对输入失调电压、功耗、带宽等不利影响的同时，实现了压摆率10倍左右的增加。
-
公开(公告)号：CN116915198A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310907294.5
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种采用差分转单端跨阻结构的对数放大器；包括主放大结构和差分转单端跨阻结构；其中主放大结构包括6个级联的限幅放大器，且每一个限幅放大器的输出连接一个整流器，每个整流器的输出与差分转单端跨阻输出结构相连；差分转单端跨阻输出结构包括多个电阻和多个NPN管；通过差分转单端跨阻输出结构可以实现差分电流转单端电压。
-
公开(公告)号：CN115799343A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211223421.1
申请日：2022-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
Abstract: 本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法，在所述结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。
-
公开(公告)号：CN115051653A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210614253.2
申请日：2022-06-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路设计技术领域，尤其涉及一种用于运算放大器的输入级跨导减小的电路，包括集电极交叉耦合差分输入对管、电流镜及恒流源，集电极交叉耦合差分输入对管用于将接收到的差分电压信号转换为电流信号，并通过多集电极对电流进行交叉耦合；电流镜用于对交叉耦合后的电流信号作差，并转化为单端电压信号作为输出；恒流源用于为集电极交叉耦合差分输入对管和电流镜提供恒定的偏置电流；本发明的通过集电极交叉耦合差分输入对管，电流镜及恒流源的结构设计，可以在保证不影响高频特性的同时，实现跨导的精确衰减，从而实现频率补偿电容的等比例缩小，减小芯片面积，降低成本。
-
公开(公告)号：CN111510089A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010361116.3
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种带旁路功能的低噪声放大模块及控制方法，属于单片射频/微波集成电路技术领域；所述一种带旁路功能的低噪声放大模块包括第一单刀双掷射频开关、第二单刀双掷射频开关以及低噪声放大器；第一单刀双掷射频开关的第一输出端与低噪声放大器输入端相连；第一单刀双掷射频开关的第二输出端与第二单刀双掷射频开关的第一输入端相连；低噪声放大器输出端与第二单刀双掷射频开关的第二输入端相连；本发明在低噪声放大器的基础上集成了两个射频开关，从而实现旁路功能。对于输入信号范围影响明显，本发明可以处理信号幅度低于低噪声放大器输入1dB压缩点信号外，也可以处理幅度大于输入1dB压缩点的信号，有效提升了系统的动态范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104993812B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510430671.6
申请日：2015-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种具有陷波器结构的高隔离度射频开关，它包括一个基本匹配式单刀单掷射频开关单元和一个桥T型陷波器单元。本发明在基本匹配式单刀单掷射频开关单元的基础上增加了电阻R7b、键合丝寄生电感L2b、键合丝寄生电感L4b和电感L3b。在射频开关为关断态时，电感L2b、电感L4b和电感L3b相串联形成的电感L2b+3b+4b和MOS管M1b、MOS管M2b在关断态时源漏极之间形成的寄生电容，与MOS管M4b在导通态时源漏极之间形成的寄生电阻和电阻R7b构成桥T型陷波器结构。通过调整桥T型陷波器电阻R7b和电感L3b的值可以有针对性的决定所需抑制频率，使用这种拓扑结构可以在选定频段获得比传统射频开关高10～15dB的隔离度。
-
公开(公告)号：CN104953996A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510367290.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种高隔离度射频开关电路，包括基本单刀单掷射频开关单元和滤波器单元，其在基本单刀单掷射频开关单元的参考地C点，通过键合丝寄生电感L1b串连电感L3b与地相连，形成直流通道，通过键合丝寄生电感L2b串连电容C1b与地相连，电感L1b串连电感L3b与通过键合丝L2b与参考地C点连接的电容C1b并联，形成滤波器。因此，在不影响射频开关到地直流通路的情况下，通过将键合丝寄生电感L1b吸收进滤波器，降低了键合丝寄生参数对射频开关隔离度的影响，通过调整滤波器的电感L3b和电容C1b值，可以有针对性的提高射频开关在不同频率下的隔离度。与传统射频开关比较，本发明的高隔离度射频开关隔离度可以提高5～10dB，同时不会影响射频开关插入损耗等电特性。
-
公开(公告)号：CN119154810A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411314844.3
申请日：2024-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种动态范围可扩展的大动态范围对数放大器；包括级联的N级限幅放大单元、M级电阻衰减器、N+M+1级限幅检波器以及加法器；每级限幅放大单元的输出端连接有一级检波器的输入端，每级电阻衰减器的输出端连接有一级限幅检波器的输入端，且首级限幅放大单元的输入端、首级电阻衰减器的输入端与首级限幅检波器的输入端相连；N+M+1级限幅检波器的输出端连接加法器的输入端；N≥2，M≥2；本发明避免了在对数放大器周围搭建外部电路以增大输入动态范围时所存在的分离元器件的温度特性较差和电路不稳定等特性，实现了大动态范围对数放大器单片化设计。
-
公开(公告)号：CN118868829A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410994661.4
申请日：2024-07-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种自适应拓宽共模范围用于电流检测的高压斩波型运算放大器，包括：线性稳压器、共模跟踪调节器、低频路径、高频路径、数字控制电路和嵌套密勒频率补偿电路；低频路径决定该高压斩波型运算放大器的直流精度和高增益；高频路径决定该高压斩波型运算放大器的带宽和相位裕度；所述数字控制电路包括：时钟发生器和电平转换电路；嵌套密勒频率补偿电路采用三级嵌套密勒补偿结构，维持了运放的稳定性；共模跟踪调节器通过检测输入共模电压并为低频路径和高频路径提供供电电压；该高压斩波型运算放大器在工作温度范围内具有高共模抑制比、超低失调和超低温漂等特点，保证了电流检测时的超高精度、高共模抑制比以及宽输入共模电压范围的要求。
-
公开(公告)号：CN118763999A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410950199.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种低功耗大电流驱动A类输出电路，包括核心电路，具有接收节点和输出节点，用于通过接收节点接收前级电路提供的输入信号，通过输出节点提供输出电压VOUT；输出采样电路，用于采样核心电路的输出电流并反馈给电流镜电路；电流镜电路，用于根据采样的输出电流调整自身电路状态，进而调节开关电路的开断状态；开关电路，用于为核心电路提供驱动电流；本发明基于双极工艺，采用改进型的低功耗大电流A类输出级结构，在保持输出幅度和功耗基本不变的同时，以极低的功耗实现了灌入电流18倍左右的增加。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.034 seconds)
