公开(公告)号：CN114884475A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210299012.3

申请日：2022-03-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 杨阳 ,  徐佳丽 ,  罗寻 ,  何峥嵘 ,  王成鹤 ,  范国亮 ,  周远杰

IPC: H03F3/45 ,  H03F1/30

Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种自适应宽幅电压输入电路；该电路包括：第一模块电路和第二模块电路，第一模块电路模块输出端连接第二模块电路；第一模块电路包括第一电流源、第一晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；第二模块电路包括第二电流源、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；第一模块电路模块输出端连接第二模块电路包括第一电流源的输出端与第三晶体管的发射极连接，第一晶体管的基极与第二晶体管的基极和第二晶体管的集电极连接；本发明能够提供宽幅输入电压范围且具有跨导低漂移特性，同时满足单片运算放大器对于高集成度的要求。

公开(公告)号：CN117517914A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311369294.0

申请日：2023-10-20

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 岑政 ,  向飞 ,  蔡建荣 ,  罗寻 ,  罗俊 ,  杨晓强 ,  韩星 ,  吴兆希 ,  王祖正

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种背漏极MOSFET晶圆动态参数测试结构及方法，包括晶圆托盘和漏极测试板，所述漏极测试板的背面紧密贴合在晶圆托盘的侧面上，所述漏极测试板的背面设置有D极连接部；所述漏极测试板的正面设置有测试线连接部和电源线连接部，所述测试线连接部通过匹配电阻与D极连接部连接，所述电源线连接部通过限流电阻与D极连接部连接。本发明中，在晶圆托盘的侧面漏极设置测试板接触，能够与背漏极MOSFET芯片背面的漏极形成通路，对于背漏极MOSFET芯片的背面测试接触问题有极大改善，并使得背漏极MOSFET芯片的漏极端在测试过程中采用的连接线大大缩短，能够有效提高测试的准确性。

公开(公告)号：CN118519490A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410407452.5

申请日：2024-04-07

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 杨阳 ,  罗寻 ,  文忠峰 ,  罗焰娇

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种可增减修调电流源；该电流源包括：采用NJFET管产生一个与正负电压值关系很小的电流值，为后续的模块提供参考电流，使用电流镜用以形成温度补偿，稳定电流产生电路；使用附加电流产生结构提升输出电流，同时便于对输出电流进行修调；本发明通过对内部两个不同电阻的修调，可分别实现输出电流增大和减小双向修正，相较于传统只能修正减小输出电流的方式，应用适应性和可生产性相对更高。