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公开(公告)号:CN109950211A
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201711170291.9
申请日:2017-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/08 , H01L23/057
Abstract: 本发明是一种X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法,其外壳结构包括陶瓷件、连筋结构封接框、盖板和所形成的多腔体,以及在陶瓷件表面金属化图形、封接框表面和盖板表面的镀覆层;共烧工艺方法,包括配料、流延、打孔填孔、印刷、开腔、叠片层压、生切、烧结、镀覆等步骤;优点:1)既可完成传输线间的阻抗匹配,又可将传输信号限制在介质层中,减小介质损耗和辐射损耗,增加地层的数量用来消除平板模式的影响;2)将在陶瓷件内部制作电气连接电路的排布由二维平面结构变为三维结构,增加了可布线的密度,保证了封装外壳的气密性,同时降低了成本;3)开腔将大面积的平面封装外壳进行折叠,使得封装尺寸大大减小。
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公开(公告)号:CN119920808A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202510037180.9
申请日:2025-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/29 , H01L23/15 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开了一种集成天线的三维封装器件及其制备方法,三维封装器件,包括第一封装、第二封装,第一封装底部设置用于安装连接电路板的第一焊球,第一封装与第二封装通过第三焊球相连;第二封装包括由多层陶瓷介质组成的第二基板,多层陶瓷介质之间设置用于形成传输信号导线和屏蔽信号的金属导体层二,第二基板表面设置第二芯片、微带天线、金属围框和金属盖板,第二芯片两端通过第二键合丝与最近的金属导体层二相连,第二基板内设置第二基板过孔和馈电过孔,第二基板过孔和馈电过孔的两端均与金属导体层二相连。本发明能同时发挥金属陶瓷在高频微波的性能优势和塑封封装在低频电路的成本优势,将馈电线路最小化,降低馈电损耗,提升微波性能。
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公开(公告)号:CN108231745B
公开(公告)日:2019-12-10
申请号:CN201711296188.9
申请日:2017-12-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明是一种应用于60GHz的气密性金属—陶瓷外壳,其结构包含金属热沉、金属框架和陶瓷绝缘子;其中,所述金属热沉上设计有四个螺丝固定开孔与两个垂直方向的矩形波导,所述矩形波导的长边上各有一个开糟,陶瓷绝缘子嵌入矩形波导的开糟内,金属框架与金属热沉连接,形成封装60GHz芯片的外壳;高频信号传输通道采用波导—微带过渡结构,将矩形波导的TE波转换为微带线的准TEM波,使信号从外部电路传输到外壳内部芯片。优点:1、外壳采用矩形波导作为输入输出端口,即可以更加方便地与外部电路互连,又可以实现插入损耗低、功率容量大。2、陶瓷绝缘子采用陶瓷—金属—陶瓷的结构,不仅能够起到波导—微带转换的作用,还可以实现气密性封装。
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公开(公告)号:CN117715338A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311699387.X
申请日:2023-12-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种小型化高频四边无引线陶瓷外壳及其加工工艺,通过将实现异面传输的类同轴结构更改为挂孔结构,并对信号通道进行阻抗匹配和信号屏蔽,可实现30GHz高频信号传输的同时大幅减小异面传输所占用的面积;当陶瓷外壳达到3mm×3mm及以下尺寸时,传统的HTCC工艺加工所引入的误差会对陶瓷外壳的射频性能造成严重的影响,本发明采用二次叠片的半成品工艺,能够有效解决叠片偏差等工艺误差所造成的传输线不连续问题,从减少阻抗不连续点和增强信号屏蔽两方面提升陶瓷外壳的射频信号传输性能。陶瓷外壳的支持频段可向下兼容,可支撑小尺寸、大腔体、高频段、低成本的芯片封装需求。
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公开(公告)号:CN114236709A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111519723.9
申请日:2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种面通孔结构的陶瓷封装高速外壳,属于电子元器件的封装外壳技术领域。通过激光开腔、挂孔等技术实现内腔中平行相对的一对金属面,称为面通孔。在高速差分信号的垂直传输中采用了全新的面通孔结构取代传统的过孔传输方式。在信号传输上相较于传统的过孔传输,更能够保障信号完整性,在S参数、高速信号时延、耦合噪声等方面也具有更大的优化空间,且受信号垂直传输的高度影响较小。在如今信号传输速率越来越高的情况下具有更加优异的电性能,可以支持更高速率的光电模块及芯片的封装。
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公开(公告)号:CN117650352A
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202311633695.2
申请日:2023-12-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种W波段波导端口金属‑陶瓷外壳,包括金属热沉、金属封接框和陶瓷绝缘子;金属热沉开设矩形槽与金属封接框组成一端短路的矩形波导结构,矩形波导结构作为输入端和输出端与外部电路连接;芯片或者模块电路与陶瓷绝缘子连接;所述陶瓷绝缘子包括顺次连接的微带探针、高阻线、多节匹配变换器和共面波导组成,微带探针伸入矩形波导结构内形成H面耦合微带探针过渡结构。矩形波导结构长边开槽,垂直方向矩形波导结构耦合水平方向的微带探针、高阻线、多节匹配变换器和共面波导组成射频端口。该发明保证微波电路的气密性环境和可靠性;拓展带宽、降低焊料回流对微波性能的影响,提高装配效率、降低维护成本。
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公开(公告)号:CN116360043A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202211562199.8
申请日:2022-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种四通道高速陶瓷外壳,包括高速端口、壳体以及光窗,高速端口采用差分对结构进行信号的传输。本发明的有益效果是:在高速外壳的端口上多采用相位相反的差分对进行信号传输,拐角可以使布线更加紧密,实现陶瓷外壳的小型化。差分对的拐角结构会破坏差分对的对称性,造成失真现象,通过设置补偿拐角对差分对结构进行电容补偿,使得差分信号在两条传输线上的相位保持相反,保证高速信号传输的信号完整性。将拐角补偿与面通孔技术相结合后的四通道高速陶瓷外壳,可以在隔离度得到保证的同时具有良好的信号完整性,在当前信号传输速率飞速提升的背景下实现小型化、高速化,支持更高速率的光电模块及芯片封装。
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公开(公告)号:CN109950211B
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN201711170291.9
申请日:2017-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/08 , H01L23/057
Abstract: 本发明是一种X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法,其外壳结构包括陶瓷件、连筋结构封接框、盖板和所形成的多腔体,以及在陶瓷件表面金属化图形、封接框表面和盖板表面的镀覆层;共烧工艺方法,包括配料、流延、打孔填孔、印刷、开腔、叠片层压、生切、烧结、镀覆等步骤;优点:1)既可完成传输线间的阻抗匹配,又可将传输信号限制在介质层中,减小介质损耗和辐射损耗,增加地层的数量用来消除平板模式的影响;2)将在陶瓷件内部制作电气连接电路的排布由二维平面结构变为三维结构,增加了可布线的密度,保证了封装外壳的气密性,同时降低了成本;3)开腔将大面积的平面封装外壳进行折叠,使得封装尺寸大大减小。
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公开(公告)号:CN108231745A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711296188.9
申请日:2017-12-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明是一种应用于60GHz的气密性金属‑陶瓷外壳,其结构包含金属热沉、金属框架和陶瓷绝缘子;其中,所述金属热沉上设计有四个螺丝固定开孔与两个垂直方向的矩形波导,所述矩形波导的长边上各有一个开糟,陶瓷绝缘子嵌入矩形波导的开糟内,金属框架与金属热沉连接,形成封装60GHz芯片的外壳;高频信号传输通道采用波导—微带过渡结构,将矩形波导的TE波转换为微带线的准TEM波,使信号从外部电路传输到外壳内部芯片。优点:1、外壳采用矩形波导作为输入输出端口,即可以更加方便地与外部电路互连,又可以实现插入损耗低、功率容量大。2、陶瓷绝缘子采用陶瓷—金属—陶瓷的结构,不仅能够起到波导—微带转换的作用,还可以实现气密性封装。
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公开(公告)号:CN212907701U
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN202022044709.5
申请日:2020-09-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L23/02 , H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型提供了一种多级线路板用封装外壳,封装外壳包括自上而下设置的盖板、金属围框以及基板,所述基板底部设有若干个外部焊盘,顶部设有与外部焊盘一一对应的内腔焊盘,所述基板内部设有连接外部焊盘与内腔焊盘的内部连接件;所述基板包括上下堆叠的若干层基片,每层基片内部设有与外部焊盘一一对应的通孔,每个通孔内设有导电柱,每层基片之间设有连接相邻导电柱的内埋传输线,所述内部连接件由导电柱与内埋传输线电性连接构成。该封装外壳的传输线路径短,导通电阻低,损耗小,可为内部封装芯片和电路提供良好的电力,控制信号和所产生热量的输入/输出通道,可避免常用塑封器件的缺陷。
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