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公开(公告)号：CN114752343A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210586912.6
申请日：2022-05-27
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： C09J179/04 , C09J9/02
摘要： 本发明公开了一种耐高温导电胶材料，其组成按照添加质量份数如下所示：树脂基体材料10～50份，固化剂1～20份，导电填料40～80份，稀释剂1～30份，塑化剂1～10份，催化剂1～5份。本发明同时公开了一种耐高温导电胶的制作方法。本发明制备的耐高温导电胶具有良好的耐高温性，固化后在高温环境下依旧保持较高的粘结强度，且不发生分解。该导电胶具有固化工艺简单、芯片粘接后孔隙率低、芯片剪切强度高等优点，并且制备工艺简便、使用方便，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN114752343B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210586912.6
申请日：2022-05-27
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： C09J179/04 , C09J9/02
摘要： 本发明公开了一种耐高温导电胶材料，其组成按照添加质量份数如下所示：树脂基体材料10～50份，固化剂1～20份，导电填料40～80份，稀释剂1～30份，塑化剂1～10份，催化剂1～5份。本发明同时公开了一种耐高温导电胶的制作方法。本发明制备的耐高温导电胶具有良好的耐高温性，固化后在高温环境下依旧保持较高的粘结强度，且不发生分解。该导电胶具有固化工艺简单、芯片粘接后孔隙率低、芯片剪切强度高等优点，并且制备工艺简便、使用方便，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN110846643A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911152836.2
申请日：2019-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法，属于集成电路电子封装技术领域。首先对完成平行缝焊的陶瓷封装器件进行预清洗；接着将陶瓷封装器件中无需再化镀的部分涂上光刻胶并烘干；然后陶瓷封装器件烘干后放入化镀池中进行金属再化镀形成抗腐蚀层；最后去除陶瓷封装器件上的光刻胶并清洗烘干。本发明通过在现有工艺上进行再次化镀，以修复封盖工艺对焊边造成的镀层损伤，无需引进新设备，不会增加生产成本，而且由于再次化镀无需在引脚加电，不会影响电路性能。改善平行缝焊合金盖板的抗盐雾腐蚀性能，可同时满足集成电路产品更加苛刻的盐雾环境应用需求和采用平行缝焊密封工艺封装器件的高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN111415919A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010333298.3
申请日：2020-04-24
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/544 , H01L23/52 , H01L21/66 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种芯片封装中金属互连线自修复结构及方法，属于集成电路封装技术领域。该结构包括封装衬底，其表面制作有金属互连线；修复合金结构布置在金属互连线容易失效的薄弱部位，通过采用封装内嵌入式控制芯片，自动检测金属互连线断点，采用热熔修复合金结构的方式，在封装结构破坏处填充缝隙，重新连接断裂的金属互连线，具有自适应监测和修复缺陷能力，定位准确，作用快速，可以有效提高封装结构的可靠性，提高封装在恶劣环境下的适用能力，降低使用成本。
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公开(公告)号：CN111218115A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010128821.9
申请日：2020-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： C08L83/04 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/04 , C08K7/28 , C08K3/08 , C08K3/34 , C08K3/22 , C09K5/14
摘要： 本发明公开一种高导热硅胶片的制备方法及高导热硅胶片，属于导热材料技术领域。首先配制硅油溶液；再在硅油溶液中添加交联剂、阻燃剂、减重剂、增强剂和碳纳米管，室温搅拌30-60min；然后将搅拌后的溶液置于不锈钢模具中密封，在室温下进行交联化反应，得到含溶剂的高导热硅胶片；最后对含溶剂的高导热硅胶片进行干燥得到高导热硅胶片。本发明具有原料易得、兼具散热与高机械强度一体化功能的优点；通过该方法制备出的高导热硅片在电子元器件的散热领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110977362A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911369230.4
申请日：2019-12-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法，属于集成电路封装技术领域。所述抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板的制备方法包括：合金盖板板材机加工或腐蚀后得到T型的合金盖板柱；在合金盖板柱的外表面形成第一保护层，并清洗干燥；在第一保护层的外表面形成第二保护层，并清洗干燥；将合金盖板柱沿横向切割，形成单个的合金盖板本体；去除合金盖板本体的毛刺；在合金盖板本体的外表面形成第三金保护层。本发明提供的一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法中，在T型的合金盖板柱的外表面依次形成第一保护层和第二保护层后，切割形成合金盖板本体，能够快速得到多个带有第一保护层和第二保护层的合金盖板本体。
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公开(公告)号：CN110977362B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201911369230.4
申请日：2019-12-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法，属于集成电路封装技术领域。所述抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板的制备方法包括：合金盖板板材机加工或腐蚀后得到T型的合金盖板柱；在合金盖板柱的外表面形成第一保护层，并清洗干燥；在第一保护层的外表面形成第二保护层，并清洗干燥；将合金盖板柱沿横向切割，形成单个的合金盖板本体；去除合金盖板本体的毛刺；在合金盖板本体的外表面形成第三金保护层。本发明提供的一种抗盐雾腐蚀的平行缝焊合金盖板及其制备方法中，在T型的合金盖板柱的外表面依次形成第一保护层和第二保护层后，切割形成合金盖板本体，能够快速得到多个带有第一保护层和第二保护层的合金盖板本体。
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公开(公告)号：CN110977361B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201911369191.8
申请日：2019-12-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板及其制备方法，属于集成电路制造技术领域。所述集成电路封装用的平行缝焊合金盖板的制备方法包括以下步骤：使用等离子喷涂工艺在合金盖板柱的四个侧面喷涂形成第一镍保护层；将合金盖板柱沿横向切割成单个合金盖板；并对合金盖板进行去毛刺处理；采用机加工或化学腐蚀形成T形的合金盖板本体；在合金盖板本体的外表面镀镍，形成第二镍保护层。本发明公开的一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板及其制备方法中，在合金盖板柱四个侧面喷涂形成第一镍保护层，切割后形成单个合金盖板，在合金盖板柱的侧面喷涂形成第一镍保护层更容易，得到的第一镍保护层的厚度也相对较厚，抗盐雾腐蚀性能也更强。
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公开(公告)号：CN110977361A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911369191.8
申请日：2019-12-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板及其制备方法，属于集成电路制造技术领域。所述集成电路封装用的平行缝焊合金盖板的制备方法包括以下步骤：使用等离子喷涂工艺在合金盖板柱的四个侧面喷涂形成第一镍保护层；将合金盖板柱沿横向切割成单个合金盖板；并对合金盖板进行去毛刺处理；采用机加工或化学腐蚀形成T形的合金盖板本体；在合金盖板本体的外表面镀镍，形成第二镍保护层。本发明公开的一种集成电路封装用的平行缝焊合金盖板及其制备方法中，在合金盖板柱四个侧面喷涂形成第一镍保护层，切割后形成单个合金盖板，在合金盖板柱的侧面喷涂形成第一镍保护层更容易，得到的第一镍保护层的厚度也相对较厚，抗盐雾腐蚀性能也更强。
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公开(公告)号：CN110931440A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911258710.3
申请日：2019-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/552 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种射频信号垂直传输结构及其制备方法，属于半导体晶圆级封装技术领域。射频信号垂直传输结构包括衬底和绝缘隔离结构；其中，所述衬底上形成有信号传输结构和信号屏蔽结构；所述绝缘隔离结构包裹所述信号传输结构和信号屏蔽结构形成平面结构层。本发明通过制造平面结构层，形成金属-绝缘层同心圆柱嵌套结构；用增材工艺替代刻蚀工艺，可以提高射频性能，简化工艺难度，提高工艺良率，降低工艺成本。
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