SMD石英晶体谐振器抗冲击结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112564668A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011540745.9

    申请日:2020-12-23

    IPC分类号: H03H9/19

    摘要: 本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构,属于电子元器件技术领域,包括:管壳、缓冲晶片和谐振晶片;管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线,第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点,第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点,缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点;第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通;第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接,实现晶体的抗冲击性能。

    SMD石英晶体谐振器抗冲击结构

    公开(公告)号:CN214256259U

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202023138591.9

    申请日:2020-12-23

    IPC分类号: H03H9/19

    摘要: 本实用新型提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构,属于电子元器件技术领域,包括:管壳、缓冲晶片和谐振晶片;管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线,第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点,第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点,缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点;第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通;第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本实用新型通过缓冲晶片和导电胶粘接,实现晶体的抗冲击性能。