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公开(公告)号:CN111130458A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911301656.6
申请日:2019-12-17
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H03B5/04
摘要: 本发明适用于晶体振荡器技术领域,提供了一种基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统,包括:加速度传感器、初始补偿模块、方向补偿模块和相位噪声检测模块;通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测,然后通过初始补偿模块对加速度电压信号进行初始补偿电压,再通过方向补偿模块根据频率补偿后的晶体振荡器的相位噪声以及初始补偿电压确定晶体振荡器最终的补偿电压,该补偿电压作用于晶体振荡器能够抵消晶体振荡器振动时产生的频率,从而减小晶体振荡器的频率变化,优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。
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公开(公告)号:CN111130458B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN201911301656.6
申请日:2019-12-17
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H03B5/04
摘要: 本发明适用于晶体振荡器技术领域,提供了一种基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统,包括:加速度传感器、初始补偿模块、方向补偿模块和相位噪声检测模块;通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测,然后通过初始补偿模块对加速度电压信号进行初始补偿电压,再通过方向补偿模块根据频率补偿后的晶体振荡器的相位噪声以及初始补偿电压确定晶体振荡器最终的补偿电压,该补偿电压作用于晶体振荡器能够抵消晶体振荡器振动时产生的频率,从而减小晶体振荡器的频率变化,优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。
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公开(公告)号:CN112564668A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN202011540745.9
申请日:2020-12-23
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H03H9/19
摘要: 本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构,属于电子元器件技术领域,包括:管壳、缓冲晶片和谐振晶片;管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线,第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点,第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点,缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点;第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通;第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接,实现晶体的抗冲击性能。
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公开(公告)号:CN214256259U
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN202023138591.9
申请日:2020-12-23
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H03H9/19
摘要: 本实用新型提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构,属于电子元器件技术领域,包括:管壳、缓冲晶片和谐振晶片;管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线,第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点,第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点,缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点;第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通;第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本实用新型通过缓冲晶片和导电胶粘接,实现晶体的抗冲击性能。
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