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公开(公告)号：CN1318851C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410012356.3
申请日：2004-06-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01P15/125
摘要： 本发明公开了一种硅玻璃键合的栅型高冲击加速度计，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件。它由玻璃衬底、差动电极、可动电极、可动电极引线、硅台阶、可动硅片、固定硅片、悬臂梁、硅片构成。本发明在玻璃衬底上制备差动电极，在硅片上制备可动电极，键合为硅玻璃键合片，使差动电极和可动电极之间形成改变面积方式的差动可变电容结构，达到对加速度变化的测量。并且本发明还具有检测电容信号大、灵敏度高；结构简单、可重复性强、成品率高、容易批量加工、成本低廉及能在恶劣环境和高冲击、高过载的条件下使用等优点。特别适用于作各种高冲击、高过载环境下加速度信号和角加速度信号检测的可动微电子机械结构器件。
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公开(公告)号：CN1794024A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510048239.7
申请日：2005-12-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种大动态微机械可变光衰减器的制造方法，它涉及光电子领域中的可变光衰减器器件的制造。本发明在硅基片上采用体硅微机械加工技术制造大动态微机械可变光衰减器的驱动器、可动硅挡板、光纤光路定位结构等部件。它利用在外加驱动力作用下，使可动硅挡板在输入光纤和输出光纤端面间的间隙中移动，达到可动硅挡板部分阻断光纤传输光信号的通过，从而起到对传输光的能量衰减控制作用。本发明制造的可变光衰减器器件具有大动态衰减范围、低插入损耗、功耗低、体积小、成本低、易集成和批量化等特点，可以制成系列的可变光衰减器，特别适用于高速大规模的全光光纤通信网络中作可变光衰减器器件装置。
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公开(公告)号：CN1595173A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410012356.3
申请日：2004-06-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01P15/125
摘要： 本发明公开了一种硅玻璃键合的栅型高冲击加速度计，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件。它由玻璃衬底、差动电极、可动电极、可动电极引线、硅台阶、可动硅片、固定硅片、悬臂梁、硅片构成。本发明在玻璃衬底上制备差动电极，在硅片上制备可动电极，键合为硅玻璃键合片，使差动电极和可动电极之间形成改变面积方式的差动可变电容结构，达到对加速度变化的测量。并且本发明还具有检测电容信号大、灵敏度高；结构简单、可重复性强、成品率高、容易批量加工、成本低廉及能在恶劣环境和高冲击、高过载的条件下使用等优点。特别适用于作各种高冲击、高过载环境下加速度信号和角加速度信号检测的可动微电子机械结构器件。
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公开(公告)号：CN1454835A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03112137.3
申请日：2003-04-11
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它采用浓硼扩散、光刻、深反应离子刻蚀和选择性湿法腐蚀技术工艺，实现可动悬空与固定微结构都制作在同一单晶硅片上，达到可动微机械单片集成制作目的。本发明具有制造成本低廉，操作制造简易，能单片集成和大规模集成等优点，适合于光开关、谐振器、加速度计等多种具有可动微结构器件的制作。
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公开(公告)号：CN2852155Y
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200520135481.3
申请日：2005-12-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型公开了一种大动态微机械可变光衰减器，它涉及光电子领域中的可变光衰减器器件。它由N型单晶硅衬底、可动梳齿、固定梳齿、可动梳齿驱动电极、固定梳齿驱动电极、弹性折叠悬梁、可动部件支撑连接梁、光纤、硅挡板、V形槽等部件组成。它采用在静电力的作用下，使硅挡板在光纤间移动，达到硅挡板部分阻断光纤传输光信号的通过，从而达到对传输光的能量衰减控制作用。本实用新型具有大动态衰减范围、低插入损耗、低偏振相关损耗、低波长相关损耗、相应时间快、功耗低以及体积小、成本低、易集成和批量化等特点，可以制成系列的可变光衰减器，特别适用于高速大规模的全光光纤通信网络中作可变光衰减器器件装置。
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公开(公告)号：CN2653515Y
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN03269885.2
申请日：2003-09-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01P15/125
摘要： 本实用新型公开了一种高深宽比结构的电容式加速度计，它涉及半导体MEMS制造领域中的一种高灵敏度加速度计。它由玻璃衬底、硅质量块、玻璃衬底电极、硅玻璃键合台面、悬臂梁、硅定梳尺、硅动梳尺、硅片等部件组成。硅定梳尺通过硅－玻璃键合点固定在玻璃衬底，形成固定部分，硅动梳尺、硅质量块通过悬臂梁与硅玻璃键合台面连接，形成可动部分。当感受到敏感轴方向外界加速度时，悬臂梁产生变形，硅动梳尺和硅定梳尺之间的电容量改变被采集输出，测出加速度。它具有加工工艺简单，工艺精度高，成本低廉等特点，它还具有灵敏度高，分辨率高，性能稳定等优点，特别适用于地质探矿、个人导航系统等高新技术领域作加速度计。
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