MEMS器件圆片级真空封装方法

    公开(公告)号:CN101780942B

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN200910227989.9

    申请日:2009-12-11

    IPC分类号: H01L21/56 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种MEMS器件圆片级真空封装方法,该方法采用金硅共晶键合技术实现封装盖板与MEMS器件的封装,具体包括以下步骤:1)双面抛光封装盖板;2)封装盖板双面淀积绝缘介质;3)在封装盖板上制备金硅键合用金属薄膜;4)制备电极引出通孔;5)对封装盖板与MEMS器件进行键合封装。通过将金硅键合用金属层制作在封装盖板上,省去了MEMS器件加工过程中制作键合用金属层的工艺,减少了金属对MEMS器件在制作过程中产生的污染,提高了工艺兼容性,进而提高了MEMS器件的性能。

    基于SOI材料的NEMS结构的制作方法

    公开(公告)号:CN101525117B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200910074200.0

    申请日:2009-04-21

    发明人: 罗蓉 杨拥军

    IPC分类号: B82B3/00

    摘要: 本发明公开了一种基于SOI材料的NEMS结构的制作方法,包括以下步骤:1)SOI材料的顶层硅片采用热氧化方法氧化,减薄顶层硅片厚度,2)利用光刻和湿法腐蚀方法将二氧化硅上焊盘、布线以及电子束对位标记对应区域的二氧化硅腐蚀掉,3)采用磁控溅射方法生成金属层,并剥离出焊盘、布线以及电子束对位标记,4)采用电子束光刻和湿法腐蚀方法将NEMS结构图形转移到顶层硅片上,5)采用感应耦合等离子刻蚀方法将NEMS结构图形对应区域的顶层硅片刻蚀掉,形成NEMS结构,6)采用HF腐蚀NEMS结构下SOI材料上的二氧化硅牺牲层,采用二氧化碳超临界萃取方法释放NEMS结构。本发明具有加工定位准确、加工精度高、可批量、重复制备的特点。

    玻璃衬底上全干法深刻蚀硅微机械加工方法

    公开(公告)号:CN1262469C

    公开(公告)日:2006-07-05

    申请号:CN03143279.4

    申请日:2003-09-05

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种玻璃衬底上全干法深刻蚀硅微机械加工方法,它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它采用双面光刻、深反应离子刻蚀和硅-玻璃键合技术工艺,在玻璃衬底上实现低应力、纵向尺寸大的可动悬空微结构制作,省去了传统微机械加工技术中长时间高温扩散、磨抛工艺和有毒的湿法腐蚀工艺,达到了优化微机械加工技术和提高产品成品率的目的。本发明具有制造成本低廉,操作制造简易,成品率高等优点,适合于电容式微加速度计、光开关、可变光衰减器、微反射镜等多种具有可动微结构器件的制作。

    微液滴振荡型硅槽式聚合酶链式反应生物芯片

    公开(公告)号:CN1477208A

    公开(公告)日:2004-02-25

    申请号:CN03137632.0

    申请日:2003-06-09

    IPC分类号: C12Q1/68 C12P19/34

    摘要: 本发明涉及一种微液滴振荡型硅槽式聚合酶链式反应生物芯片。包括微槽,以及微槽背面由绝热槽隔开的恒温区,在微槽背面的电阻式微温度传感器,对称置于该温度传感器两侧的微加热器。在生物基因组研究、法医学、遗传分析、治疗效果评估和医疗诊断等领域中有广泛应用。样品与反应物以微液滴形式在具有三个恒温区的槽中振荡运动以实现聚合酶链式反应(PCR)的变性、退火和延伸过程,减小了生物芯片工作时所需要的驱动压力,避免了可能产生的气泡对芯片功能的影响;集成于芯片上的恒温区有利于PCR反应混合物实现快速的升降温过程,并便于改变工作区温度以优化PCR过程,或实现某些特殊要求;采用硅微加工技术制造,便于大批量生产,尺寸小,成本低。

    微机械检测结构及MEMS惯性测量器件

    公开(公告)号:CN112834783A

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN202011634859.X

    申请日:2020-12-31

    IPC分类号: G01P15/125 B81B7/02

    摘要: 本发明提供了一种微机械检测结构及MEMS惯性测量器件,属于MEMS器件技术领域,包括中央锚点、连接梁、振动质量、固定电极和活动电极,中央锚点用于固设在衬底上,连接梁一端固连中央锚点,另一端向中央锚点的外侧伸出,振动质量呈框形结构并位于中央锚点的外围,振动质量通过弹性元件连接上述连接梁的伸出端,弹性元件的预期变形方向与敏感轴平行,固定电极用于固设在衬底上,活动电极固定连接在振动质量上,活动电极与固定电极相邻设置并与固定电极组成电容单元,活动电极随振动质量移动,从而改变与固定电极的距离。本发明提供的微机械检测结构及MEMS惯性测量器件,能够极大的改善、降低现有单轴MEMS惯性测量器件存在交叉加速度误差的技术问题。

    一种制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构的方法

    公开(公告)号:CN101279713B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200810103052.6

    申请日:2008-03-31

    IPC分类号: B81C1/00 G01P15/00 G01P15/02

    摘要: 一种制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构的方法,属于微硅结构加工技术领域。该方法包括玻璃刻蚀;玻璃溅金:金属层高出玻璃表面400~600埃;玻璃打孔;硅片第1、第2次RIE刻蚀;薄膜梁工艺:高温干氧化及表面腐蚀;第1次玻硅静电键合;硅片减薄和抛光;硅片ICP刻蚀;硅片第3次RIE刻蚀;硅片第4次RIE刻蚀;第2次玻硅静电键合;薄膜梁的ICP去除,制备得到制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构。本发明玻璃打孔采用喷砂打孔方案;引入二氧化硅薄膜梁作为牺牲层,采用ICP除去薄膜梁工艺;有效解决了“三明治”微结构在第2次静电键合中的存在黏附问题,无需后处理,效率更高,与MEMS工艺兼容性更好。

    一种制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构的方法

    公开(公告)号:CN101279713A

    公开(公告)日:2008-10-08

    申请号:CN200810103052.6

    申请日:2008-03-31

    IPC分类号: B81C1/00 G01P15/00 G01P15/02

    摘要: 一种制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构的方法,属于微硅结构加工技术领域。该方法包括玻璃刻蚀;玻璃溅金:金属层高出玻璃表面400~600埃;玻璃打孔;硅片第1、第2次RIE刻蚀;薄膜梁工艺:高温干氧化及表面腐蚀;第1次玻硅静电键合;硅片减薄和抛光;硅片ICP刻蚀;硅片第3次RIE刻蚀;硅片第4次RIE刻蚀;第2次玻硅静电键合;薄膜梁的ICP去除,制备得到制备悬浮式微硅静电陀螺/加速度计敏感结构。本发明玻璃打孔采用喷砂打孔方案;引入二氧化硅薄膜梁作为牺牲层,采用ICP除去薄膜梁工艺;有效解决了“三明治”微结构在第2次静电键合中的存在黏附问题,无需后处理,效率更高,与MEMS工艺兼容性更好。

    微液滴振荡型硅槽式聚合酶链式反应生物芯片

    公开(公告)号:CN1267565C

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN03137632.0

    申请日:2003-06-09

    IPC分类号: C12Q1/68 G01N33/53

    摘要: 本发明涉及一种微液滴振荡型硅槽式聚合酶链式反应生物芯片。包括微槽,以及微槽背面由绝热槽隔开的恒温区,在微槽背面的电阻式微温度传感器,对称置于该温度传感器两侧的微加热器。在生物基因组研究、法医学、遗传分析、治疗效果评估和医疗诊断等领域中有广泛应用。样品与反应物以微液滴形式在具有三个恒温区的槽中振荡运动以实现聚合酶链式反应(PCR)的变性、退火和延伸过程,减小了生物芯片工作时所需要的驱动压力,避免了可能产生的气泡对芯片功能的影响;集成于芯片上的恒温区有利于PCR反应混合物实现快速的升降温过程,并便于改变工作区温度以优化PCR过程,或实现某些特殊要求;采用硅微加工技术制造,便于大批量生产,尺寸小,成本低。

    微机械检测结构及MEMS惯性测量器件

    公开(公告)号:CN112834783B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202011634859.X

    申请日:2020-12-31

    IPC分类号: G01P15/125 B81B7/02

    摘要: 本发明提供了一种微机械检测结构及MEMS惯性测量器件,属于MEMS器件技术领域,包括中央锚点、连接梁、振动质量、固定电极和活动电极,中央锚点用于固设在衬底上,连接梁一端固连中央锚点,另一端向中央锚点的外侧伸出,振动质量呈框形结构并位于中央锚点的外围,振动质量通过弹性元件连接上述连接梁的伸出端,弹性元件的预期变形方向与敏感轴平行,固定电极用于固设在衬底上,活动电极固定连接在振动质量上,活动电极与固定电极相邻设置并与固定电极组成电容单元,活动电极随振动质量移动,从而改变与固定电极的距离。本发明提供的微机械检测结构及MEMS惯性测量器件,能够极大的改善、降低现有单轴MEMS惯性测量器件存在交叉加速度误差的技术问题。