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公开(公告)号：CN112067136B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010870967.0
申请日：2020-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种用于光热反射显微热成像的漂移修正方法及装置，该方法包括：对获取遮断物镜侧光路采集的第一图像去除直流分量后进行高通滤波，得到第二图像；采集参考图像和待修正图像并确定温度升高发生的区域；在温度未发生变化的区域内，根据第二图像、参考图像和待修正图像计算修正系数；根据修正系数修正待修正图像的所有像素。本发明采用的光热反射显微热成像装置中增加了调制片和调光装置，并对遮断物镜侧光路后采集的第一图像去除直流分量后进行高通滤波，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号：CN106098582A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610628267.4
申请日：2016-08-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC分类号： H01L22/14 , B81C1/00015 , G01R31/2607 , H01L22/34
摘要： 本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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公开(公告)号：CN112820715B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011579083.6
申请日：2020-12-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组不同量级的标称电阻系列和分别与每组所述标称电阻系列一一对应的短路器，所述标称电阻系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电阻；所述标称电阻系列的阻值范围为：0.1Ω‑10kΩ。本发明所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，用于PCM设备在片电阻参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备小电阻测量数据的准确、一致，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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公开(公告)号：CN112525385A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011134908.3
申请日：2020-10-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01K15/00
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻测量仪器校准系统，包括：校温装置、测温装置、上位机和热阻标准件；校温装置用于控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压；测温装置用于向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；上位机用于根据预设温度、第一结电压、第二结电压确定热阻标准件的标准热阻值，标准热阻值用于对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN112067136A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010870967.0
申请日：2020-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种用于光热反射显微热成像的漂移修正方法及装置，该方法包括：对获取遮断物镜侧光路采集的第一图像去除直流分量后进行高通滤波，得到第二图像；采集参考图像和待修正图像并确定温度升高发生的区域；在温度未发生变化的区域内，根据第二图像、参考图像和待修正图像计算修正系数；根据修正系数修正待修正图像的所有像素。本发明采用的光热反射显微热成像装置中增加了调制片和调光装置，并对遮断物镜侧光路后采集的第一图像去除直流分量后进行高通滤波，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号：CN106098582B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610628267.4
申请日：2016-08-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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公开(公告)号：CN112525385B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011134908.3
申请日：2020-10-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01K15/00
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻测量仪器校准系统，包括：校温装置、测温装置、上位机和热阻标准件；校温装置用于控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压；测温装置用于向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；上位机用于根据预设温度、第一结电压、第二结电压确定热阻标准件的标准热阻值，标准热阻值用于对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN112820715A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011579083.6
申请日：2020-12-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组不同量级的标称电阻系列和分别与每组所述标称电阻系列一一对应的短路器，所述标称电阻系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电阻；所述标称电阻系列的阻值范围为：0.1Ω‑10kΩ。本发明所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，用于PCM设备在片电阻参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备小电阻测量数据的准确、一致，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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公开(公告)号：CN210427637U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921096413.9
申请日：2019-07-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R1/04
摘要： 本实用新型提供了一种直流稳定电源计量插头，包括电压长杆、套设于电压长杆上的绝缘套筒、套设于绝缘套筒上的电流套筒，及套设于电流套筒上的绝缘外壳；电压长杆的一端设有用于与直流稳定电源的插孔底端抵接并与所述插孔内壁接触的导电头，另一端用于电连接电压测试线路；绝缘套筒的一端外周壁设有与导电头抵接的第一凸台；电流套筒的一端与第一凸台抵接，另一端用于电连接电流测试线路。本实用新型提供的直流稳定电源计量插头，能够避免因电压测试取样端流过测试电流而产生过大的线路压降，影响电压测试精度的情况；能够同时引出电压、电流测试线，方便省力，提高了计量测试效率。
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公开(公告)号：CN205944041U
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201620833539.X
申请日：2016-08-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型公开了一种校准用在片电容标准件，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本实用新型所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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