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公开(公告)号：CN116276630A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310080721.7
申请日：2023-02-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种吸擦一体式擦头装置，包括吸盘主体和吸盘芯，吸盘主体上表面设有用于容纳研磨液的第一环形凹槽，第一环形凹槽的底部设有第一研磨液排出孔，安装圆台的中心设有第一通气孔；吸盘芯安装在吸盘主体的下表面；吸盘芯具有与第一通气孔同轴连通的第二通气孔；吸盘芯的下端设有分气盘，沿分气盘周向均匀设有多个第一径向排气孔，第一径向排气孔与第二通气孔连通；还包括通气管路、研磨液管路、吹扫气管路、冲洗液管路。本发明可实现对陶瓷圆片的无接触装载和卸载，可以完成对陶瓷圆片的研磨、冲洗和吹扫，大大避免了陶瓷圆片划伤、损坏、报废、二次污染的问题，提高了工作效率，保证了陶瓷圆片的研磨效果和洁净度。
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公开(公告)号：CN112097950B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010849570.3
申请日：2020-08-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01K11/00
摘要： 本发明提供了一种基于光热反射的温度测量方法、装置及终端设备，该方法包括：获取第一温度的待测件在第一波长下的第一探测值、以及在第二波长下的第二探测值，确定第一探测比；获取第二温度的待测件在第一波长下的第三探测值、以及在第二波长下的第四探测值，确定第二探测比；基于第一探测比和第二探测比确定第一求解系数，基于第一求解系数确定第二求解系数；获取未知当前温度的待测件在第一波长下的第五探测值、以及在第二波长下的第六探测值，确定第三探测比，基于第一求解系数、第二求解系数以及第三探测比确定待测件的当前温度。本发明提供的基于光热反射的温度测量方法、装置及终端设备能够提高温度测量精度。
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公开(公告)号：CN114549599A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210038925.X
申请日：2022-01-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种晶圆快速预对准方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：对目标晶圆的灰度图像进行边缘检测，获得目标晶圆的轮廓二值图像；降低轮廓二值图像的分辨率，获得对应的低分辨率图像；对低分辨率图像中的轮廓进行直线检测，获得低分辨率图像中对应的平边端点粗坐标；基于平边端点粗坐标在轮廓二值图像中对应的预设邻域图像进行直线检测，获得轮廓二值图像中对应的平边端点精坐标；根据平边端点精坐标对目标晶圆的轮廓进行圆拟合，获得轮廓对应的圆心坐标和平边旋转角，以基于圆心坐标和平边旋转角对目标晶圆进行对准。本发明能够有效提高直线检测获得平边端点坐标的速度，进而缩短晶圆预对准时间，提高晶圆预对准的实时性和效率。
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公开(公告)号：CN112097950A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010849570.3
申请日：2020-08-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01K11/00
摘要： 本发明提供了一种基于光热反射的温度测量方法、装置及终端设备，该方法包括：获取第一温度的待测件在第一波长下的第一探测值、以及在第二波长下的第二探测值，确定第一探测比；获取第二温度的待测件在第一波长下的第三探测值、以及在第二波长下的第四探测值，确定第二探测比；基于第一探测比和第二探测比确定第一求解系数，基于第一求解系数确定第二求解系数；获取未知当前温度的待测件在第一波长下的第五探测值、以及在第二波长下的第六探测值，确定第三探测比，基于第一求解系数、第二求解系数以及第三探测比确定待测件的当前温度。本发明提供的基于光热反射的温度测量方法、装置及终端设备能够提高温度测量精度。
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公开(公告)号：CN116288718A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310085677.9
申请日：2023-02-07
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种碳化硅外延生长室，属于半导体领域，包括上室体及下室体，上室体具有上空腔，所述上室体内设有上支撑板；下室体固设于上室体的下方，下室体具有下空腔，下室体内设有下支撑板，上支撑板与下支撑板之间构成生长室，下支撑板内部设有储气腔，下支撑板的下方还设有连通储气腔的气道；下支撑板上且位于储气腔的上方设有圆形凹槽，下支撑板上还设有连通储气腔与生长室的通气孔。本发明提供的碳化硅外延生长室，清理时将上室体取出即可对生长室内部进行清理，结构简单，方便拆卸清洁；上室体和下室体均设有中空腔，降低了生长室的重量，方便生长室的取出和安装。
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公开(公告)号：CN115431169A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211021727.9
申请日：2022-08-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种真空连接转换装置、载片抛光方法及抛光机，属于半导体技术领域，包括：轴套、内套筒、轴承以及分体端盖，轴套具有上连接段和下连接段，上连接段内的上通孔的孔径大于下连接段的下通孔的孔径，上通孔和下通孔的相接处构成支撑平台；内套筒设置于上通孔内；其中，上连接段上设有用于真空管路的安装孔，内套筒上设有抽气孔；轴承设置于支撑平台上，用于连接载片轴；分体端盖封装于上通孔的上端，对内套筒内的真空腔构成密封。本发明提供的真空连接转换装置，利用轴承保证载片轴转动的速度的均匀性，能够提升载片抛光面的均匀性，避免后序制作的产品报废，提高产品的加工质量。
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公开(公告)号：CN109637928B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811477128.1
申请日：2018-12-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本发明提供了一种去除晶圆表面蓝膜的辅助设备及方法，属于晶圆制造技术领域，去除晶圆表面蓝膜的辅助设备包括真空发生器、承片台、紫外灯、控制器和压力传感器，承片台通过第一气体管道与真空发生器连接，用于吸附固定晶圆；紫外灯与承片台相对设置，用于照射晶圆表面的蓝膜；控制器分别与紫外灯和真空发生器电性连接，用于控制紫外灯和真空发生器的打开和关闭；压力传感器设置在第一气体管道上，与控制器电性连接，用于检测第一气体管道内的压力并反馈给控制器。本发明提供的去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，紫外灯用于照射蓝膜来消弱蓝膜的粘性，降低了蓝膜与晶圆的分离难度，避免了去除蓝膜时对晶圆造成的破坏。
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公开(公告)号：CN109637928A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811477128.1
申请日：2018-12-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67011 , H01L21/3105 , H01L21/67242 , H01L21/6838
摘要： 本发明提供了一种去除晶圆表面蓝膜的辅助设备及方法，属于晶圆制造技术领域，去除晶圆表面蓝膜的辅助设备包括真空发生器、承片台、紫外灯、控制器和压力传感器，承片台通过第一气体管道与真空发生器连接，用于吸附固定晶圆；紫外灯与承片台相对设置，用于照射晶圆表面的蓝膜；控制器分别与紫外灯和真空发生器电性连接，用于控制紫外灯和真空发生器的打开和关闭；压力传感器设置在第一气体管道上，与控制器电性连接，用于检测第一气体管道内的压力并反馈给控制器。本发明提供的去除晶圆表面蓝膜的辅助设备，紫外灯用于照射蓝膜来消弱蓝膜的粘性，降低了蓝膜与晶圆的分离难度，避免了去除蓝膜时对晶圆造成的破坏。
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公开(公告)号：CN109211481A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811358970.3
申请日：2018-11-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01M3/02
摘要： 本发明提供了一种焊接波纹管漏点检测装置，包括上固定板、下固定板、连杆机构、压紧机构及抽放气管路；上固定板底面上可拆卸连接有多条间隔设置的上环形密封圈；下固定板顶面上可拆卸连接有多条间隔设置的下环形密封圈；连杆机构包括连接上固定板与下固定板的连接杆，以及调节连接杆与上固定板和/或下固定板固定位置的调紧机构；压紧机构设有至少两个，分别设置于上固定板和/或下固定板上，包括与波纹管法兰的侧壁相抵接的压板；抽放气管路设置于上固定板的顶面上。本发明提供的焊接波纹管漏点检测装置能够对不同直径、不同伸缩长度的波纹管进行密封固定，使用灵活，固定牢固。
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公开(公告)号：CN115431169B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202211021727.9
申请日：2022-08-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种真空连接转换装置、载片抛光方法及抛光机，属于半导体技术领域，包括：轴套、内套筒、轴承以及分体端盖，轴套具有上连接段和下连接段，上连接段内的上通孔的孔径大于下连接段的下通孔的孔径，上通孔和下通孔的相接处构成支撑平台；内套筒设置于上通孔内；其中，上连接段上设有用于真空管路的安装孔，内套筒上设有抽气孔；轴承设置于支撑平台上，用于连接载片轴；分体端盖封装于上通孔的上端，对内套筒内的真空腔构成密封。本发明提供的真空连接转换装置，利用轴承保证载片轴转动的速度的均匀性，能够提升载片抛光面的均匀性，避免后序制作的产品报废，提高产品的加工质量。
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