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公开(公告)号:CN115855126A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211585390.4
申请日:2022-12-09
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号: G01D5/14
摘要: 一种基于霍尔效应的非接触式位置传感器,属于传感器技术领域,本发明为解决现有霍尔式位置传感器只能测量一个维度上的位置变化,且直接输出测量结果,存在测量精度差,易受外界磁场干扰的问题。它包括:四个霍尔敏感器件沿磁缸的周向均匀分布设置,霍尔敏感器件与磁缸之间存在相等的距离,且四个霍尔敏感器件均置于磁缸的有效感应区内;当磁缸移动时,磁缸产生变化的磁场,磁敏感单元采集获取变化的磁场信号,将磁场信号转换为电压信号,并将电压信号输出至数据处理单元;数据处理单元通过电压信号的变化判断磁缸位置的变化。本发明用于对非接触式的位置感知。
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公开(公告)号:CN115712076A
公开(公告)日:2023-02-24
申请号:CN202211485675.0
申请日:2022-11-24
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号: G01R33/022
摘要: 应用于无人机上的磁总场梯度测量系统,属于涉及磁探测技术领域。解决了传统的磁场总场梯度测量系统无法同时兼顾体积和测量精度的问题。本发明包括两个磁敏感探头、支架和信号处理模块;支架固定在无人机底面上;信号处理模块固定在支架顶端;两个磁敏感探头固定在支架底端的两侧,无人机的飞行方向与两磁敏感探头间的连线垂直;两个磁敏感探头均用于探测磁场强度,并将探测到的两个磁场强度发送至信号处理模块;信号处理模块根据接收的两个磁场强度、以及结合两个磁敏感探头的相对位置进行差分梯度运算,获得磁总场梯度。本发明主要用于对地雷、地下未爆炸物或海面水雷进行探测。
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公开(公告)号:CN112670404A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN202011530124.2
申请日:2020-12-22
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要: 霍尔元件及霍尔元件的制备方法,涉及传感器技术领域。本发明是为了解决现有MEMS或IC工艺制作的霍尔元件由于引出电极不对称性和半导体材料的不均匀性导致的霍尔元件输出非线性和零点失调的问题。本发明所述霍尔元件包括一个八边形的霍尔功能层,所述八边形相对的两边长度相同且相互平行,霍尔功能层互不相邻的四条边上分别连接有一个电极,每个电极均设有电气连接端,其中两个电极的电气连接端作为霍尔元件的电压输入端,剩余两个电极的电气连接端作为霍尔元件的电压输出端。
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公开(公告)号:CN116840749A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202310386692.7
申请日:2023-04-12
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要: 本发明的一种磁平衡式磁场测量装置,涉及磁场检测装置。目的是为了克服现有弱磁检测中磁敏传感器与磁平衡线圈轴线的匹配存在难度,以及补偿电路复杂的问题,包括:磁敏传感器,用于在待检测弱磁场的作用下输出与待检测弱磁场的磁感应强度所对应的电压信号;电流补偿电路,用于根据电压信号生成补偿电流;电流补偿电路使得补偿线圈生成与待检测弱磁场方向相反的次级磁场;调节装置,用于调节磁敏传感器相对于补偿线圈的位置,以使磁敏传感器位于次级磁场的均匀处且令次级磁场与待检测弱磁场达到平衡;采样计量装置,用于对补偿电流进行采样,并根据补偿电流和补偿线圈的匝数计算得到待检测弱磁场的磁场强度。
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公开(公告)号:CN113697763A
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202110985272.1
申请日:2021-08-25
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要: 一种真空封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法,它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低和温度漂移,测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上,硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上,硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接;密封盖板安装在密封盖板接触面上,探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法:对谐振层进行二次封装,使硅谐振压力敏感芯片处于真空介质中工作,硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的压力谐振器和温度谐振器差分实现自补偿测量。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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公开(公告)号:CN113697763B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202110985272.1
申请日:2021-08-25
申请人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要: 一种真空封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法,它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低和温度漂移,测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上,硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上,硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接;密封盖板安装在密封盖板接触面上,探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法:对谐振层进行二次封装,使硅谐振压力敏感芯片处于真空介质中工作,硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的压力谐振器和温度谐振器差分实现自补偿测量。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
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