公开(公告)号：CN201924102U

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201020531080.0

申请日：2010-09-16

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 王香泉 ,  郝建民 ,  王利杰 ,  孟大磊 ,  郭俊敏 ,  洪颖

IPC分类号： C30B23/06 ,  C30B29/36

摘要： 本实用新型公开了一种高温碳化硅单晶生长炉的加热温控装置。该装置包括：感应线圈，用于接收无线射频发生器发射的中频交变电流，并对密闭坩埚内的生长系统进行加热；感应线圈移动系统，连接至感应线圈，用于对感应线圈进行定位、和/或定速控制；可编程逻辑控制器，连接至感应线圈移动系统，用于根据预先设置的控制程序控制感应线圈移动系统；温度检测装置，用于检测生长系统的温度；欧陆表，连接至温度检测装置，用于控制生长系统的温度；终端计算机，连接至可编程逻辑控制器以及欧陆表，用于对可编程逻辑控制器以及欧陆表进行控制。借助于本实用新型的技术方案，能够对生长系统的温度进行精确控制。

公开(公告)号：CN201842897U

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201020531069.4

申请日：2010-09-16

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 王利杰 ,  郝建民 ,  王香泉 ,  孟大磊 ,  洪颖 ,  郭俊敏

IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/36

摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，包括：真空室、机械泵、分子泵、真空计、气动阀、质量流量控制计和针阀；进一步地，所述提纯及压力控制系统还包括：布置在机械泵与真空室间的压力控制系统，所述压力控制系统包括：测量所述真空室内压力值的压力传感器；将预设的压力值与所述压力传感器测量的压力值进行比较计算并输出压力控制指令的PID控制电路；以及，根据所述PID控制电路输出的压力控制指令调节所述低真空链路与所述真空室间阀门开启比例的压力控制执行部件。本实用新型能够对碳化硅单晶生长前的提纯工艺以及对碳化硅单晶生长过程中所涉及的各工艺提供稳定可靠的压力控制。