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公开(公告)号：CN111733448B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010783261.0
申请日：2020-08-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种液相提拉晶体生长过程中的放肩过程的晶体形貌调节方法，特别涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本发明利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
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公开(公告)号：CN111733448A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010783261.0
申请日：2020-08-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种液相提拉晶体生长过程中的放肩过程的晶体形貌调节方法，特别涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本发明利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
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公开(公告)号：CN212293838U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021617463.X
申请日：2020-08-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本实用新型利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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