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公开(公告)号：CN117926399A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311662956.3
申请日：2023-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法，步骤一，装籽晶，将模具置于坩埚中，装入氧化镓原料，将坩埚放置于保温筒中心，关炉，抽真空；步骤二，充保护气体；步骤三，升温；步骤四，采用导模法进行氧化镓晶体生长，在生长过程中晶体出现多晶、孪晶、平肩现象，需要回熔；步骤五，停止提拉晶体；步骤六，升温；步骤七，向上提拉晶体，对晶体底面进行测温；步骤八，在步骤二生长气压基础上，向炉腔内再充入气体；步骤九再升温；步骤十，晶体回熔；步骤十一，放气降温；步骤十二，重新步骤四采用导模法氧化镓晶体生长；步骤十三，降温，降温至室温，即得到完整的氧化镓晶体。本方法可以实现晶体回熔又不损伤模具和籽晶，大幅提升氧化镓晶体生长成品率。
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公开(公告)号：CN111733448B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010783261.0
申请日：2020-08-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种液相提拉晶体生长过程中的放肩过程的晶体形貌调节方法，特别涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本发明利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
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公开(公告)号：CN117552088A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311314610.4
申请日：2023-10-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 一种利于导模法3‑4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法，坩埚和模具清洗晾干；放进处理炉抽真空、加热、保温后取出；将模具固定在坩埚中，放入Ga2O3原料后放入单晶生长炉，抽真空、充CO2、加热原料融化、降温，将坩埚和模具取出；坩埚中放入Ga2O3原料，抽真空、充CO2；加热、保温，坩埚两个矩形开口加大模具边缘处Ga2O3原料的挥发量；将籽晶放入模具中心，待籽晶底部融化，提拉籽晶，使晶体进入放肩生长过程；放肩结束后，晶体生长进入等径过程，坩埚上部矩形开口使模具顶部V形口长度方向上的温度梯度降低；待晶体等径生长完毕，将晶体提拉出至模具上方，生长完成。该方法有利于晶体进行等径生长，提高了生长晶体质量。
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公开(公告)号：CN112216602A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011141093.1
申请日：2020-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/306 , B23K26/356 , B23K26/60 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
摘要： 本发明公开了一种用于锑化铟单晶片的抛光方法。该抛光方法分成两步：先经过激光抛光，然后再进行化学机械抛光。由于采用两步抛光方法，省去了传统单晶片切割后、抛光前常用的研磨过程，提高了抛光效率。利用激光抛光所具有的非接触加工，低损伤加工的特性，使化学机械抛光前的单晶片表面已达到微米级抛光水准，且不存在研磨后残留的划痕，从而使之后化学机械抛光过程不需要达到很高的厚度去除量，大幅度缩短了化学机械抛光时间，激光抛光过程时间最低可缩短至10分钟，配合化学机械抛光，整体抛光时间可控制在30分钟以内。且通过化学机械抛光对锑化铟单晶片进行抛光后，晶片表面实现了全局平坦化，表面粗糙度Ra小于0.3nm。
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公开(公告)号：CN106399962A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610992079.X
申请日：2016-11-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种提高磁控溅射镀膜均匀性及稳定性的靶材基座。该设计在基座下部安装可使基座旋转用于调整高度的电机，电机的传动杆的一端伸入基座下部螺纹连接，且通过螺母锁紧。采用本设计解决了传统磁控溅射镀膜中，由于随着使用次数的增加，靶材消耗，靶基距变大，当其它参数不变时，所镀的膜会逐渐不符合要求的问题。确保了磁场的均匀性，进而保证了镀膜的均匀性及稳定性。
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公开(公告)号：CN105970290A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610615336.8
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件包括用于支撑铱反射屏的氧化锆内保温筒；覆盖在铱反射屏之上的上部保温部件，其上留有籽晶杆入口；环绕氧化锆内保温筒的中部保温部件；环绕铱坩埚和发热体的下部保温部件。该装置设计能够减少铱坩埚的损耗，有效抑制晶体内部杂质元素的含量，从而能够很好地抑制晶体内部缺陷，延长坩埚使用寿命，为实现大规模生产高质量、低成本的氧化镓单晶奠定了基础。
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公开(公告)号：CN112444529B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202011426046.1
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N23/207
摘要： 一种辨别非（100）面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法，将非（100）面氧化镓晶体放置在设备样品台上；将入射狭缝宽度设为10mm~13mm；将2θ设定为31.738°对应晶面为（002）；将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数，样品台复位，然后以原点为中心在X‑Y平面上旋转180°，再以[010]晶向为轴将样品从0°旋转至90°，旋转步长设定为0.1°~0.3°，记录（002）面衍射峰个数；如果上述过程中，只探测到1个（002）面衍射峰，则判定测试区域内无孪晶，若探测到多个（002）面衍射峰，则判定测试区域内有孪晶；提高了效率、降低了成本。
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公开(公告)号：CN114574965A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210482935.2
申请日：2022-05-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种改变氧化镓熔体流动性的原料掺杂方法。方法为：一、取一定量的Ga单质溶于稀盐酸溶液中，形成GaCl3溶液；二、掺杂元素为Li、Na、K中任意一种，按照一定量的Ga单质的质量计算掺杂剂的质量，将掺杂剂放入GaCl3溶液中；三、将GaCl3溶液进行烘干处理，得到干燥的GaCl3固体；四、将GaCl3固体进行烧结，通入动态氧气，使GaCl3固体完全转化为氧化镓；五、将烧结好的氧化镓取出进行球磨，得到粉末状氧化镓原料。采用本发明进行氧化镓单晶生长，使原料完全熔化，且流动性较好，气泡很好地被排除。铱坩埚边缘和底部温度明显降低，铱金损耗相比原有工艺减少40%以上，降低了成本，延长了坩埚寿命。
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公开(公告)号：CN114161258A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111504627.7
申请日：2021-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B9/06 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B41/04 , H01L21/463
摘要： 本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出现解理，其中包括用于承载晶片具有一定刚度的保护基板，采用本发明能够解决氧化镓晶片在边缘磨削过程中易解理的问题，同时设计的方法简单，承载氧化镓晶片的基板能够重复使用，又便于操作。
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公开(公告)号：CN109110810A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811148474.5
申请日：2018-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种砷锗镉晶体生长原料的稳流合成方法。把高纯度的Cd、Ge和As原料放入船型坩埚内，再放入半椭圆形的坩埚内，推入带有稳流装置的长型外坩埚内，抽真空进行密封后放入三温区合成炉中进行合成，使装As原料的坩埚处于炉体第一温区部位，稳流装置处于第二温区部位，装Cd原料和Ge原料的坩埚处于第三温区部位。本方法通过三温区合成炉精确控制Cd、Ge和As原料反应温度，降低合成过程中的多余中间产物，并通过稳流装置，控制反应速度，保证了合成的安全性，有效调节合成原料化学计量比。
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