公开(公告)号：CN117423769A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311318909.7

申请日：2023-10-12

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 谢俊聃 ,  董益钦 ,  段玲 ,  罗杰仙 ,  郭娟 ,  文莎莎 ,  慕丽 ,  钟雪 ,  熊振国 ,  淳宗洁

IPC分类号： H01L31/111 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明涉及一种高耐压大电流光控双向晶闸管，属于光电子器件领域。该光控双向晶闸管具有球形槽状的光敏门极结构，球形槽状的光敏门极结构形成于双向晶闸管的中心区域。此外，在球形槽的表面蒸镀有减反射膜，在减反射膜的表面粘附有钝化膜。其中，减反射膜的光学厚度接近于入射光波长的四分之一，其折射率接近于空气折射率与硅折射率乘积的平方根。本发明通过改变光敏门极结构为球形槽，使光控双向晶闸管在两个方向上的光触发灵敏度相近，增强了光控双向晶闸管耐大电压大电流的能力。