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发明公开
EMCCD器件老化性能分析方法及老化工艺验证方法审中-实审

公开(公告)号：CN114779038A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210456881.2

申请日：2022-04-27

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 李钦 , 吴琼瑶 , 伍明娟 , 林珑君 , 罗俊 , 陈湘渝 , 向荣珍 , 赵钢

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及一种EMCCD器件老化性能分析方法，包括找出增益退化的影响因素，调节EMCCD器件的倍增电压，使EMCCD器件的倍增倍数为第一初始倍增倍数，开始第一次增益退化测试；如果倍增倍数进入了稳定期则结束第一次增益退化测试，并使EMCCD器件断电预定的时间后进行第二次增益退化测试；将两次增益退化测试的结果进行比较，判断该EMCCD器件是否能够进行快速老化。本发明中，通过选定倍增倍数作为参考参数验证EMCCD器件的衰减情况，可以分析器件的衰减曲线是否符合器件的衰减特性，进而判断该EMCCD器件是否能够进行快速老化并投入使用，从而可以验证EMCCD器件的老化性能，有助于提高国产EMCCD的可靠性。