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公开(公告)号：CN108231811A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810062611.7
申请日：2018-01-23
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148 , G02B3/00 , G02B5/18
摘要： 本发明提出了一种能降低偏振成像器件像元间光串扰的微透镜阵列，包括像元阵列、平坦化层、光栅阵列和微透镜阵列；像元阵列由多个按阵列形式分布的像元组成；光栅阵列由多个按阵列形式分布的亚波长光栅组成；微透镜阵列由多个按阵列形式分布的微透镜组成；其创新在于：所述微透镜的直径与像元的对角线等长；相邻微透镜之间设置有隔离槽，隔离槽的深度达到光栅阵列表面。本发明的有益技术效果是：提出了一种用于偏振成像器件的微透镜阵列，该微透镜阵列能有效降低像元间的光串扰。
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公开(公告)号：CN117072821A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311142922.1
申请日：2023-09-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明公开了一种芯片角度控制装置，包括躯干、可活动安装于所述躯干上以用于承载芯片的芯片承载组件以及角度控制组件，角度控制组件用于控制所述芯片承载组件按照既定角度翻转，以控制承载于所述芯片承载组件上的芯片按照既定角度翻转，配合X‑RAY芯片检测设备使用，不但可以对芯片进行平面投影检测，还能让承载组件翻转角度，从而带动待检测芯片发生角度翻转，变换X射线照射位置，对芯片实行多角度投影，做到更全面的还原芯片内部结构。
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公开(公告)号：CN108281505A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810082946.5
申请日：2018-01-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0236 , H01L31/18 , G01J1/42
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/101 , G01J1/42 , H01L31/02363 , H01L31/1804
摘要： 本发明提出了一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器，包括：P+区和N+区分别形成在N型衬底层上下两侧的表层中，硅微结构层形成在N+区的下侧面上；钝化膜设置在硅微结构层表面；增透膜设置在P+区表面；增透膜上设置有P电极孔，P电极通过P电极孔与P+区接触；钝化膜上设置有N电极孔，N电极通过N电极孔与N+区接触；硅微结构层由N+区表面在高浓度硫气氛中被飞秒激光脉冲瞬态熔融而得。本发明的有益技术效果是：提出了一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器；该光电探测器中设置了硅微结构层，硅微结构层对可见光及近红外光的有较高的吸收率，并且可以被很好的钝化，暗电流较低。
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公开(公告)号：CN118690130A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410687115.6
申请日：2024-05-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： G06F18/20 , G06F18/2411 , G06F18/27 , G06N3/006 , G06F123/02
摘要： 本发明属于数据挖掘技术领域，涉及一种基于PSO‑ADGM‑SVR组合模型的预测方法，包括：采集最近的边坡位移数据，并对其进行预处理；将预处理后的数据输入优化后的PSO‑ADGM模型，得到PSO‑ADGM预测结果；将预处理后的数据输入优化后的PSO‑SVR模型，得到PSO‑SVR预测结果；计算权重向量，利用权重向量对PSO‑ADGM预测结果和PSO‑SVR预测结果进行加权组合，得到组合模型预测的边坡位移；ADGM可以发掘时序数据的趋势性特征，SVR能够反应时序数据的随机性特征，两者具有一定的互补性，因此本发明将ADGM和SVR模型耦合得到PSO‑ADGM‑SVR组合模型，提高了预测精度。
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公开(公告)号：CN117214868A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311383517.9
申请日：2023-10-24
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要： 本发明属于激光探测技术、激光引信领域，具体涉及一种集成化抗辐射杂散光的接收装置，包括：探测器、偏压电路以及光学系统；所述偏压电路分别与探测器的P端和N端连接；探测器的靶面与光学系统的输出端相对应；所述光学系统包括第一接收透镜、第二接收透镜、隔光桶以及第三接收透镜；其中第二接收透镜的凸起端与第一接收透镜的凹陷端对应，隔光桶设置在第二接收透镜与第三接收透镜之间；窄带滤光膜镀覆在第二个接收透镜表面；第三接收透镜用于将视场内的光束最终汇聚到探测器靶面；本发明采用集成式结构设计、从光机电三项措施执行，贯穿低成本思想的基础，提高接收模块的探测能力和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN107958845B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201711236302.9
申请日：2017-11-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/56
摘要： 本发明涉及一种用于长线列探测器的塑封方法，其特征在于，包括如下步骤：采用贴片工艺和压焊工艺将长线列探测器与陶瓷载体完成常规封装；将封装完毕的长线列探测器和陶瓷载体放入塑料模具中，露出部分管脚；通过安装夹具的位置调整，完成长线列探测器与陶瓷载体相对位置的固定；最后通过在塑料模具中添加塑封胶，加热固化完成长线列探测器的塑封操作。本发明方法成本低廉、工艺操作简单，成品率高，适合基础科研和小规模塑封生产硅基光电探测器。
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公开(公告)号：CN114779038A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210456881.2
申请日：2022-04-27
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种EMCCD器件老化性能分析方法，包括找出增益退化的影响因素，调节EMCCD器件的倍增电压，使EMCCD器件的倍增倍数为第一初始倍增倍数，开始第一次增益退化测试；如果倍增倍数进入了稳定期则结束第一次增益退化测试，并使EMCCD器件断电预定的时间后进行第二次增益退化测试；将两次增益退化测试的结果进行比较，判断该EMCCD器件是否能够进行快速老化。本发明中，通过选定倍增倍数作为参考参数验证EMCCD器件的衰减情况，可以分析器件的衰减曲线是否符合器件的衰减特性，进而判断该EMCCD器件是否能够进行快速老化并投入使用，从而可以验证EMCCD器件的老化性能，有助于提高国产EMCCD的可靠性。
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公开(公告)号：CN106876317B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710120910.7
申请日：2017-03-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种用于超大尺寸CCD封装的夹具，所述超大尺寸CCD由芯片、陶瓷管壳和光窗片组成;所述夹具由短路板、外托架、多根螺钉和多块压板组成；本发明还公开了一种超大尺寸CCD的封装方法；本发明的有益技术效果是：提出了一种用于超大尺寸CCD封装的夹具及封装方法，通过专用夹具来对超大尺寸CCD进行封装作业，能够有效避免器件封装过程中出现静电损伤。
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公开(公告)号：CN106449689A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610993256.6
申请日：2016-11-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14806
摘要： 一种带聚酰亚胺垫层的帧转移可见光CCD，所述帧转移可见光CCD由衬底层、二氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层、硼磷硅玻璃层、氮化钛层、钛层、铝层和聚酰亚胺垫层组成；本发明的有益技术效果是：提出了一种带聚酰亚胺垫层的帧转移可见光CCD，通过在铝层和氮化钛层之间加入钛层，有效提高了铝层与下层结构的附着性，避免了起层现象出现。
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公开(公告)号：CN106356290A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610962410.3
申请日：2016-10-28
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L21/265 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/107 , H01L21/2654 , H01L31/1804
摘要： 一种1064nm硅基雪崩探测器，所述1064nm硅基雪崩探测器包括衬底层、光敏区、雪崩区、保护环和截止环，其创新在于：保护环的数量为两个，第一保护环设置在光敏区外围，光敏区的外周边沿位于第一保护环的径向中部，雪崩区与第一保护环之间留有间隔，第二保护环设置在第一保护环的外围，第二保护环和第一保护环之间留有间隔，截止环设置在第二保护环的外围，截止环和第二保护环之间留有间隔。本发明的有益技术效果是：提出了一种1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法，该探测器具备较好的抗边缘击穿能力，能在高温环境下长期稳定工作。
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