公开(公告)号：CN104701420B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510120667.X

申请日：2015-03-19

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 黄烈云 ,  王昊璇 ,  钟奇志 ,  向勇军 ,  韩恒利

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种硅基紫外增强型光电二极管制作方法，该方法中，通过较为简单的工艺制作出了硅基紫外增强型光电二极管，器件性能与进口产品不相伯仲；本发明的有益技术效果是：采用全新工艺制作出了硅基紫外增强型光电二极管，器件性能与进口产品相当，工艺简单、成本较低。

公开(公告)号：CN104701420A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510120667.X

申请日：2015-03-19

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 黄烈云 ,  王昊璇 ,  钟奇志 ,  向勇军 ,  韩恒利

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种硅基紫外增强型光电二极管制作方法，该方法中，通过较为简单的工艺制作出了硅基紫外增强型光电二极管，器件性能与进口产品不相伯仲；本发明的有益技术效果是：采用全新工艺制作出了硅基紫外增强型光电二极管，器件性能与进口产品相当，工艺简单、成本较低。

公开(公告)号：CN204589289U

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201520276064.4

申请日：2015-04-30

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 王晓强 ,  钟奇志 ,  朱梦楠

IPC分类号： C23C14/24

摘要： 本实用新型公开了一种新型热蒸发用坩埚结构；其包括埚体，改进在于：所述埚体内壁上套接有筒状内胆，内胆下端与埚体底部之间留有间隙。主要用途及优点：坩埚增加了“内胆”结构，可以抑制热蒸发过程中“爬锅”现象。新坩埚结构简单，安装方便，成本低廉，实用性强。使用新坩埚不仅金属化薄膜生长的量产化效率最佳，同时也能够确保热蒸发工艺质量。

公开(公告)号：CN203250738U

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201320153256.7

申请日：2013-03-29

申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

发明人： 但伟 ,  王波 ,  向勇军 ,  凌茂真 ,  孙诗 ,  王昊璇 ,  张臻凌 ,  郭林红 ,  周红 ,  钟奇志

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/105

摘要： 本实用新型涉及电子元器件技术领域，具体公开了一种二象限光电二极管，其包括管座、与管座固定安装的芯片及二极管引线，所述芯片上设有两个PIN光电探测器；该每一PIN光电探测器均包括一本征硅衬底层、设于本征硅衬底层正面的光敏区，及设于本征硅衬底层背面的欧姆接触层；所述光敏区正面及欧姆接触层背面均设有金属电极，二极管引线分别与其对应的金属电极电性连接。本实用新型可以广泛适用于光纤通信、测距、传感以及从可见光至近红外领域的光脉冲检测和工业控制领域，尤其适用于激光陀螺的光电接收转换，其具有较为优良的技术参数，响应速度和响应度均较高。