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公开(公告)号:CN118281085A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410366207.4
申请日:2024-03-28
申请人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/103 , H01L31/18
摘要: 本发明涉及一种大面积PIPS辐射探测器及其制作方法,属于光电子技术领域。本发明通过硅平面工艺在辐射探测器的有源区周围设计制作一高浓度深结硼掺杂的多重保护环,有效改变有源区周围的电场分布,抑制器件表面漏电流,有效提高器件分辨率;同时在有源区表面设计制作一金属挡光层,挡光层表面设计制作一有机钝化保护膜,以避免光干扰和环境对金属挡光层的腐蚀,提高器件可靠性和稳定性。