一种非介入式光纤型气体管道泄漏次声波检测装置

    公开(公告)号:CN116772127A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310747244.5

    申请日:2023-06-21

    IPC分类号: F17D5/06 F17D5/02 G01M3/24

    摘要: 本发明提供一种非介入式光纤型气体管道泄漏次声波检测装置,包括:底座、保护壳、导管、受力隔膜、膜片和光纤传感器;底座固定在气体管道上,所述保护壳设置在所述底座上,所述保护壳靠近气体管道的一端设有受力隔膜,远离气体管道的一端设有膜片;设置在所述保护壳内的导管一端连通受力隔膜,另一端连通膜片;所述膜片的下方设有光纤传感器,光纤传感器连接信号处理模块;受力隔膜感测气体管道泄漏时的次声波信号,通过与其连接的导管使膜片产生挠曲变形,利用传感器感测膜片的变化并转化为可测的光信号后输出。本发明结构简单,安装方便,灵敏度高,便于维修,造价低,可检测较长距离的管道,提高了声波法泄漏检测技术的适用性。

    一种单光子源集成器件加工方法

    公开(公告)号:CN112993096B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202110076337.0

    申请日:2021-01-20

    IPC分类号: H01L33/00 H01L33/06 H01L33/14

    摘要: 本申请涉及一种单光子源集成器件加工方法,包括:通过分子束外延(MBE)工艺,在生长衬底上依次生长牺牲层和自组装量子点层;通过外延层剥离(ELO)工艺,将自组装量子点层转移到器件衬底上。通过本申请,量子点薄膜层可以转移到任意半导体衬底或金属材料衬底等器件衬底上,易于实现集成。

    一种单光子源集成器件加工方法

    公开(公告)号:CN112993096A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110076337.0

    申请日:2021-01-20

    IPC分类号: H01L33/00 H01L33/06 H01L33/14

    摘要: 本申请涉及一种单光子源集成器件加工方法,包括:通过分子束外延(MBE)工艺,在生长衬底上依次生长牺牲层和自组装量子点层;通过外延层剥离(ELO)工艺,将自组装量子点层转移到器件衬底上。通过本申请,量子点薄膜层可以转移到任意半导体衬底或金属材料衬底等器件衬底上,易于实现集成。