公开(公告)号：CN112993096B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202110076337.0

申请日：2021-01-20

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 江萍 ,  马娜 ,  武文轩 ,  刘鹏 ,  张会

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14

摘要： 本申请涉及一种单光子源集成器件加工方法，包括：通过分子束外延(MBE)工艺，在生长衬底上依次生长牺牲层和自组装量子点层；通过外延层剥离(ELO)工艺，将自组装量子点层转移到器件衬底上。通过本申请，量子点薄膜层可以转移到任意半导体衬底或金属材料衬底等器件衬底上，易于实现集成。

公开(公告)号：CN116560000A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310440679.5

申请日：2023-04-23

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 江萍 ,  李松泽 ,  曾佑韬 ,  马化燕 ,  刘鹏 ,  乔晓振

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B5/00

摘要： 本发明关于一种半导体波导与SPP波导耦合器，涉及集成纳米光子芯片技术领域。包括第一耦合器和第二耦合器，第一耦合器包括第一半导体波导、第一SPP波导和第二SPP波导；第二耦合器包括第二半导体波导、第三SPP波导和第四SPP波导；第一半导体波导位于第一SPP波导与第二SPP波导之间，第一半导体波导形成V形尖端结构，实现从光波模式到SPP模式的转化；第二半导体波导位于第三SPP波导与第四SPP波导之间，第二半导体波导的输入端设有V形槽，实现从SPP模式到光波模式的转化。本发明既可以将半导体中的光波转换为金属波导的SPP模式，也可以将金属波导的SPP模式传输至半导体波导中的光波模式。

公开(公告)号：CN112993096A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110076337.0

申请日：2021-01-20

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 江萍 ,  马娜 ,  武文轩 ,  刘鹏 ,  张会

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14

摘要： 本申请涉及一种单光子源集成器件加工方法，包括：通过分子束外延(MBE)工艺，在生长衬底上依次生长牺牲层和自组装量子点层；通过外延层剥离(ELO)工艺，将自组装量子点层转移到器件衬底上。通过本申请，量子点薄膜层可以转移到任意半导体衬底或金属材料衬底等器件衬底上，易于实现集成。