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公开(公告)号：CN116396071A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111582746.4
申请日：2021-12-22
申请人： 中国石油天然气集团有限公司 , 中国石油集团工程材料研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/45 , C04B35/622 , C04B35/626 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本发明公开了一种分步制备Pb掺杂BiCuSeO基热电材料的方法，包括以下步骤，采用热爆法合成Bi1‑xPbxCuSeO；采用自蔓延高温合成法合成Cu2Se；按Bi1‑xPbxCuSeO‑xCu2Se的化学计量比称量Bi1‑xPbxCuSeO和Cu2Se粉末，将两种粉末均匀混合，通过放电等离子烧结合成Pb掺杂BiCuSeO基热电块体材料；所述采用热爆法合成Bi1‑xPbxCuSeO，具体包括，将Bi粉、Pb粉、CuO粉和Se粉，按照化学通式Bi1‑xPbxCuSeO配比，均匀混粉后进行热爆。本发明的方案可以提高放电等离子烧结过程中沿压力方向的非均匀界面含量，可降低晶格热导率，最终达到全面提升材料热电优值(ZT值)的目的。
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公开(公告)号：CN116356172A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111582756.8
申请日：2021-12-22
申请人： 中国石油天然气集团有限公司 , 中国石油集团工程材料研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种三元热电材料及其制备方法，所述的制备方法具体步骤如下：1)称量Cu粉、Au粉和Te粉，混合后放入球磨罐，抽真空后充入惰性保护气体，将球磨罐密封；2)将密封的球磨罐放入球磨机中进行干磨；3)干磨结束后，进行湿磨；4)湿磨结束后，取出粉末，放入干燥箱干燥；5)将干燥后的粉末通过烧结制成块体得到Cu2‑2xAu2xTe三元热电材料，其中，x的取值范围为0.35≤x≤0.55。本发明通过在Cu2Te中引入适量的Au，降低材料的载流子浓度和热导率，优化电导率和Seebeck系数，机械合金化与放电等离子烧结结合制备纳米结构块体材料则有利于进一步降低热导率，达到全面提升块体材料的热电优值(ZT值)的目的。
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公开(公告)号：CN116354316A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111603535.4
申请日：2021-12-24
申请人： 中国石油天然气集团有限公司 , 中国石油集团工程材料研究院有限公司
IPC分类号： C01B19/00 , H10N10/852 , H10N10/01
摘要： 本发明公开了一种热电材料及其制备方法，属于热电材料领域。本发明的制备方法，采用固相反应法，不需要通过分子束外延生长等复杂制备工艺，制备流程简单，且耗时短、速度快。本发明的(Cu1‑xAgx)2Te热电材料，通过在Cu2Te中掺杂Ag，增加铜空位形成能，从而降低空位浓度，同时降低了材料的载流子浓度，使材料电导率和塞贝克系数得到平衡和优化，总热导率也因载流子热导率贡献的下降而大幅降低。最终，采用相同制备工艺下，掺Ag的Cu2Te的最高热电优值ZT值高达1.78，相比未掺杂的Cu2Te提高了117％。
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