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1.

发明公开
一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法失效

公开(公告)号：CN1257940A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99125749.9

申请日：1999-12-24

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王连卫 , 林成鲁 , 刘彦松 , 宋志棠 , 刘尔凯

IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/48 , H01L41/18 , C30B25/02

摘要： 本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c－取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率,一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入氧化锌(ZnO)薄膜过渡层解决了在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石和类金刚石薄膜)衬底上难以形成C－取向氮化铝(AlN)压电薄膜的难题。用本发明制备的氮化铝压电薄膜,制作声表面波(SAW)器件,其工作频率可达3千兆赫(GHz)以上。

2.

发明授权
一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法失效

公开(公告)号：CN1094524C

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN99125749.9

申请日：1999-12-24

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王连卫 , 林成鲁 , 刘彦松 , 宋志棠 , 刘尔凯

IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/48 , H01L41/18 , C30B25/02

摘要： 本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c-取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率，一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入氧化锌(ZnO)薄膜过渡层解决了在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石和类金刚石薄膜)衬底上难以形成C-取向氮化铝(AlN)压电薄膜的难题。用本发明制备的氮化铝压电薄膜，制作声表面波(SAW)器件，其工作频率可达3千兆赫(GHz)以上。