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公开(公告)号：CN1088541C
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN98122067.3
申请日：1998-12-04
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AIN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOI材料制备方法，系利用离子束合成或AI膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AIN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以AIN为绝缘埋层的SOI结构，这种SOI材料的导热性能优于常规的以SiO2为绝缘埋层的SOI，更加适应高温、大功率SOI电路的需要。
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公开(公告)号：CN1278654A
公开(公告)日：2001-01-03
申请号：CN00115500.8
申请日：2000-04-27
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明涉及采用多孔硅分离技术将硅衬底上制作的器件转移到特定衬底上实现器件的转移。属于微电子领域。本发明特征是利用阳极氧化的方法在单晶硅片上制作具有分层结构的多孔硅,在多孔硅的外延层上制作器件,采用倒装贴片技术将电路与特定基体孙键合,利用特殊方法在多孔层区域将衬底硅与已制作器件的上层硅分离。这种技术制作的电路具有散热好、功耗低,在大功率器件以及移动通信系统所使用的射频电路方面将会有重要应用,并利于与MCM(多芯片模块)技术相结合。
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公开(公告)号：CN1257940A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99125749.9
申请日：1999-12-24
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c－取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率,一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入氧化锌(ZnO)薄膜过渡层解决了在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石和类金刚石薄膜)衬底上难以形成C－取向氮化铝(AlN)压电薄膜的难题。用本发明制备的氮化铝压电薄膜,制作声表面波(SAW)器件,其工作频率可达3千兆赫(GHz)以上。
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公开(公告)号：CN1227400A
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：CN98122067.3
申请日：1998-12-04
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3215 , H01L21/265 , H01L21/302
摘要： 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOl材料制备方法，系利用离子束合成或Al膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和智能剥离工艺相结合，制备以用AlN为绝缘埋层的SOl结构，这种SOl材料的导热性能优于常规的以SiO2为绝缘埋层的SOl，更加适应高温、大功率SOl电路的需要。
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公开(公告)号：CN1094524C
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN99125749.9
申请日：1999-12-24
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c-取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率，一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入氧化锌(ZnO)薄膜过渡层解决了在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石和类金刚石薄膜)衬底上难以形成C-取向氮化铝(AlN)压电薄膜的难题。用本发明制备的氮化铝压电薄膜，制作声表面波(SAW)器件，其工作频率可达3千兆赫(GHz)以上。
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公开(公告)号：CN1279505A
公开(公告)日：2001-01-10
申请号：CN00115501.6
申请日：2000-04-27
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/314 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及一种低剂量氧注入制作绝缘层上硅(SOI)电路的方法,属于微电子技术领域。本发明特征在于4～6×1017/cm2低剂量注氧后,经预氧化淀积Si3N4,再光刻将有源区保护,并进行热氧化,再进行1300℃－1350℃,3～5小时高温退火,获得SOI结构,可直接进行互补金属氧化物半导体晶体管的制作,本发明提供的方法与硅集成电路完全兼容。
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公开(公告)号：CN1119830C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN00115500.8
申请日：2000-04-27
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及一种器件转移方法，属于微电子领域。包括利用阳极氧化方法在单晶硅上制作具有分层结构的多孔硅和将衬底沿多孔硅层分离，其特征在于：(1)分层结构的多孔硅是在P-或n-Si(100)衬底上制作的，其工艺是在HF/酒精或HF/水溶液中先采用5mA/cm2较小的电流密度，再采用25mA/cm2较大的电流密度；(2)在多孔硅上实现上层硅外延生长，外延的单晶硅的厚度为2-15μm；在外延层上制作电路或器件，并进行封装前的分散处理；(3)采用贴片技术将电路或器件倒装键合在特定衬底上。依本发明制作的电路或器件具有散热好、功耗低，在大功率器件以及移动通信系统所使用的射频电路方面将会有重要应用，并利于与MCM(多芯片模块)技术相结合。
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公开(公告)号：CN1272690A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN00115306.4
申请日：2000-03-30
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种局部注氧隔离形成绝缘层上硅(SOI)材料的边界应力消除方法,属于微电子领域,本发明提供的方法特征是将硅工艺中的局部氧化工艺与传统的硅中注氧隔离技术结合起来,采用先区域氧化然后再高温退火工艺,与硅集成电路工艺完全兼容,在微电子机械系统也有重要应用。
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公开(公告)号：CN2403124Y
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：CN99252051.7
申请日：1999-12-10
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 一种改进型微净化室晶片键合装置,属于微净化技术领域。本实用新型通过采用新型气液混合射流装置取代原微净化室晶片键合的水冲洗方式,使去除微粒能力在0.5μm以下,提高了晶片键合的成功率和键合质量。同时采用带有异尺寸的专用晶片隔离器的构件,增加了异尺寸(如3英寸和4英寸)键合功能。所以本实用新型对于开发低成本的实用的晶片键合设备,改善晶片键合质量,推动SOI技术的发展,具有重要现实价值。
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