-
公开(公告)号：CN114530421A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210063101.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8258 , H01L27/092
Abstract: 本申请实施例所公开的一种器件的制备方法及其结构，包括对第二衬底进行离子注入，在第二衬底的内部形成缺陷层，得到待键合结构，将待键合结构和第一衬底进行键合，得到异质衬底，将第三衬底与异质衬底进行键合，得到异质复合衬底；异质复合衬底包括待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域；待刻蚀区域、待生长区域和待制备区域依次连接设置，在待刻蚀区域制备调制掺杂场效应晶体管结构，且在待生长区域制备隔离结构，且在待制备区域制备互补金属氧化物半导体结构，将调制掺杂场效应晶体管结构与互补金属氧化物半导体结构连接，得到器件。本申请可以兼容调制掺杂场效应晶体管和互补金属氧化物半导体，可以减小热应力。
-
公开(公告)号：CN111722318A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010602370.8
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法，包括以下步骤：获取铌酸锂晶体；在所述铌酸锂晶体表面沉积钛层，将沉积有钛层的铌酸锂晶体进行高温扩散处理，获得钛扩散后的铌酸锂晶体；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行清洗处理，去除所述光刻处理后残留的光刻胶以及所述高温扩散处理后残余的钛层；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行区域离子注入处理，获得注入离子后的铌酸锂晶体；其中，所述区域离子注入处理中注入的离子为能够提高所述铌酸锂晶体抗光折变性的离子；对所述注入离子后的铌酸锂晶体进行退火处理。该制备方法在内扩散技术的基础上注入能够提高铌酸锂抗光折变性的离子，能够有效减小铌酸锂光波导光损伤效应。
-
公开(公告)号：CN114355634B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111517323.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
-
公开(公告)号：CN114355634A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111517323.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连。本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
-
公开(公告)号：CN112382559B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202011271579.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/78 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种异质薄膜结构及其制备方法，所述方法包括：提供一III‑V族化合物衬底，于III‑V族化合物衬底的注入面沉积保护层；于III‑V族化合物衬底的背面沉积辅助剥离层，背面与注入面相对，辅助剥离层的热膨胀系数小于III‑V族化合物衬底的热膨胀系数；自注入面进行离子注入，在III‑V族化合物衬底内部形成缺陷层；去除注入面上的保护层；提供一硅衬底，将硅衬底与III‑V族化合物衬底的注入面进行键合，得到键合结构；对键合结构进行加热退火处理，沿缺陷层剥离部分键合结构，得到异质结构；对异质结构进行后处理，得到异质薄膜结构。本发明能够解决现有技术中的离子束剥离技术存在的因离子注入剂量过大导致的转移薄膜质量较差的技术问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114530758A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210063059.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开一种激光器结构的制备方法及其结构，包括对第一衬底结构进行刻蚀处理，得到待制备绝缘结构的待生长区域，对绝缘结构进行刻蚀处理，得到波导结构，波导结构与第三衬底层连接设置，波导结构与第一衬底层间隔设置，且与第二衬底层间隔设置，对第二衬底结构进行离子注入，使得在第二衬底结构内形成缺陷层，键合第一衬底结构和第二衬底结构得到异质衬底结构，在异质衬底结构上制备外延结构和激光器脊条结构，得到激光器结构，激光器脊条结构在异质衬底结构的位置与波导结构在异质衬底结构的位置对应重合。本申请可以提高后续制备的激光器结构的热导率，改善激光器结构的性能以及提高激光器结构的寿命。
-
公开(公告)号：CN111799364B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010602379.9
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/253 , H01L41/22
Abstract: 本申请提供一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，包括以下步骤：获取晶圆，所述晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；对所述晶圆进行还原性离子注入处理，获得注入还原性离子的晶圆；将所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理。该方法基于离子注入进行晶圆黑化，能够在不影响材料压电性能的情况下，获得高质量黑化晶圆。该方法利用离子注入技术，将Fe2+等还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆，Fe2+等的注入会占据晶格中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使晶圆内的载流子浓度提升，进而提高晶圆的电导率，降低电阻率，随后对晶圆进行退火修复，能够有效降低晶体的热释电效应。
-
-
公开(公告)号：CN113376772A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110697341.9
申请日：2021-06-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于锗硅电吸收调制器的硅光收发模块，包括电芯片部分和光芯片部分，所述光芯片部分包括发射模块和接收模块；所述发射模块包括激光器、锗硅电吸收调制器、第一转换器和第一耦合器；所述锗硅电吸收调制器与所述电芯片部分相连，用于将所述激光器发出激光加载上经过所述电芯片部分的电信号成为光信号，所述光信号依次通过所述第一转换器和第一耦合器进入光传输部分；所述接收模块包括锗硅探测器、第二转换器和第二耦合器；所述锗硅探测器与所述电芯片部分相连，用于探测依次经过第二耦合器和第二转换器的光信号，并将所述光信号转换为电信号；所述锗硅电吸收调制器和所述锗硅探测器采用相同的垂直结构。本发明能够降低制造成本。
-
公开(公告)号：CN112382559A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011271579.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/78 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种异质薄膜结构及其制备方法，所述方法包括：提供一III‑V族化合物衬底，于III‑V族化合物衬底的注入面沉积保护层；于III‑V族化合物衬底的背面沉积辅助剥离层，背面与注入面相对，辅助剥离层的热膨胀系数小于III‑V族化合物衬底的热膨胀系数；自注入面进行离子注入，在III‑V族化合物衬底内部形成缺陷层；去除注入面上的保护层；提供一硅衬底，将硅衬底与III‑V族化合物衬底的注入面进行键合，得到键合结构；对键合结构进行加热退火处理，沿缺陷层剥离部分键合结构，得到异质结构；对异质结构进行后处理，得到异质薄膜结构。本发明能够解决现有技术中的离子束剥离技术存在的因离子注入剂量过大导致的转移薄膜质量较差的技术问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.037 seconds)
