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公开(公告)号：CN111933609A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010636480.6
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种倒装芯片的凸点结构及其制备方法，其中，凸点结构包括基板，所述基板上形成有与所述基板相同材质的凸点；所述基板表面和凸点表面覆盖有绝缘层；所述绝缘层上形成有金属化层；所述金属化层包括金属布线层和凸点金属化，所述凸点金属化自所述的凸点上部的绝缘层经由所述绝缘层包覆的凸点侧壁延伸至所述基板正上方的绝缘层上；所述金属布线层位于所述基板正上方的绝缘层上，并与所述凸点金属化连接。制备方法通过刻蚀方法实现，其可制备极薄凸点，有利于高带宽信号的低损耗和低延迟传输，因此可用于高频电路的倒装焊互连。本发明具有刚度高，保型性好，一致性好的优点，降低了凸点短路的风险，保证倒装焊接质量和封装可靠性。
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