公开(公告)号：CN116314095A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211617989.1

申请日：2022-12-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  李坤

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种倒装焊凸点限位结构及其制备方法，所述倒装焊凸点限位结构提供一基板，在所述基板表面形成凸点限位结构；在所述基板表面及所述凸点限位结构表面形成绝缘层，所述绝缘层完整包覆所述基板表面及所述凸点限位结构表面；在所述绝缘层上方形成金属层，所述金属层包括金属布线和限位结构金属化层；所述金属布线位于基板正上方的绝缘层上，与所述限位结构金属化层连接。本发明的凸点限位结构使得其高度的一致性可控，基板的平整度可控，保证倒装焊质量具有较高的良品率。

公开(公告)号：CN111933609A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010636480.6

申请日：2020-07-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  李坤 ,  杨帆

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种倒装芯片的凸点结构及其制备方法，其中，凸点结构包括基板，所述基板上形成有与所述基板相同材质的凸点；所述基板表面和凸点表面覆盖有绝缘层；所述绝缘层上形成有金属化层；所述金属化层包括金属布线层和凸点金属化，所述凸点金属化自所述的凸点上部的绝缘层经由所述绝缘层包覆的凸点侧壁延伸至所述基板正上方的绝缘层上；所述金属布线层位于所述基板正上方的绝缘层上，并与所述凸点金属化连接。制备方法通过刻蚀方法实现，其可制备极薄凸点，有利于高带宽信号的低损耗和低延迟传输，因此可用于高频电路的倒装焊互连。本发明具有刚度高，保型性好，一致性好的优点，降低了凸点短路的风险，保证倒装焊接质量和封装可靠性。

公开(公告)号：CN116913895A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310941238.3

申请日：2023-07-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  黄阳 ,  李坤 ,  肖克来提 ,  谢晓明

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种超导硅通孔转接板及其制备方法，所述超导硅通孔转接板包括：上凹槽、下凹槽、凹槽埋层及超导金属柱；其中，所述上凹槽及所述下凹槽分别对应设置在所述基板的上表面及下表面，且所述通孔贯穿所述上凹槽及所述下凹槽；所述凹槽埋层形成在所述上凹槽的内壁表面及所述下凹槽的内壁表面；所述超导金属柱填充设置在所述上凹槽、所述下凹槽及所述通孔内。本发明提供的超导硅通孔转接板及其制备方法能够解决现有超导硅通孔转接板中的超导金属柱因冷缩松动无法实现电连接功能的问题。

公开(公告)号：CN119890183A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510022215.1

申请日：2025-01-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  黄阳 ,  谢晓明 ,  李坤 ,  肖克来提

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种传输线结构、制备方法及其应用，该传输线结构包括衬底、绝缘介质层及导电布线层，其中，衬底中设有多个贯穿衬底的通孔，且通孔的内壁倾斜设置，绝缘介质层覆盖衬底的第一表面、第二表面及通孔的内壁，导电布线层位于绝缘介质层表面，导电布线层包括中心导线，中心导线作为信号线。本发明通过在通孔内壁上直接形成中心导线(即孔内传输线)，实现了与第一表面和第二表面上的中心导线(平面传输线)结构设计的一致性，从而保证了阻抗匹配，避免了信号在孔内传输线与平面传输线之间传递时因阻抗不匹配而导致的信号损耗，从而显著提升信号传输的完整性和效率，有助于实现更高频信号的稳定传输。