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公开(公告)号：CN104332405B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410482922.0
申请日：2014-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO2层包裹的锗纳米线阵列；4）去除包裹在纳米线两端表面的SiO2层，裸露出锗纳米线的两端；5）在锗纳米线的延长线上沉积金属引线、源极电极和漏极电极，在硅衬底上制作栅极电极；6）在步骤5）的结构表面形成Si3N4保护层；7）去除纳米线图形区域和金属电极图形区域内的Si3N4保护层，直至完全露出锗纳米线、源极电极和漏极电极。本发明的锗纳米线基于自上而下的方法，工艺过程简单，可控性强，与传统的CMOS工艺完全兼容，成本较低，适于工业生产。
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公开(公告)号：CN104241116A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410404017.3
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02227 , H01L21/02236
Abstract: 本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，包括：采用不同试剂对锗片表面进行清洗，有效除去锗表面污物以及表层氧化层，实现锗表面的初步氯化；然后采用乙醇和水的混合液配制硫醇试剂，采用适当加热的钝化条件在锗表面得到自组装膜。本发明具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。
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公开(公告)号：CN104730136A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510136798.7
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , C12Q1/68
Abstract: 本发明涉及一种基于锗纳米线场效应晶体管的生物传感器、方法及应用，其特征在于以具有锗纳米线沟道的锗纳米线场效应晶体管作为换能器，采用表面修饰剂对锗纳米线沟道进行功能化修饰以生成不同用途的生物传感器。依不同表面修饰剂对锗纳米线沟道表面进行功能化修饰有以下不同的应用：①PH检测，②免疫检测和③核酸杂交检测。本发明提供的基于锗浓缩技术的锗纳米线场效应晶体管生物传感器采用可与CMOS工艺兼容的锗浓缩技术，制备出锗纳米线可控，制备的锗纳米线为核壳结构，为锗纳米线的生化检测应用提供了良好修饰的平台。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102964617B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210521466.7
申请日：2012-12-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生物分子固定的薄膜、制作方法及应用。所述用于生物分子固定的薄膜，其特征在于在电化学聚合沉积的聚苯胺薄膜中加入含有疏基分子的化学试剂R-SH，将还原单元中的二级胺部分还原成一级胺，将氧化单元中的三级胺叔胺还原成二级胺，使没有活性的氧化单元与醛基反应生成烯胺，从而增加了生物分子的固定效率。本发明提供的薄膜制备分为导电和非导电两大类，以QCM表面利用还原态聚苯胺固定蛋白质分子甲胎蛋白抗体和在不导电玻璃表面利用还原态聚苯胺固定核酸分子作为实例说明其应用。
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公开(公告)号：CN102964617A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210521466.7
申请日：2012-12-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生物分子固定的薄膜、制作方法及应用。所述用于生物分子固定的薄膜，其特征在于在电化学聚合沉积的聚苯胺薄膜中加入含有疏基分子的化学试剂R-SH，将还原单元中的二级胺部分还原成一级胺，将氧化单元中的三级胺叔胺还原成二级胺，使没有活性的氧化单元与醛基反应生成烯胺，从而增加了生物分子的固定效率。本发明提供的薄膜制备分为导电和非导电两大类，以QCM表面利用还原态聚苯胺固定蛋白质分子甲胎蛋白抗体和在不导电玻璃表面利用还原态聚苯胺固定核酸分子作为实例说明其应用。
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公开(公告)号：CN104241116B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410404017.3
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，包括：采用不同试剂对锗片表面进行清洗，有效除去锗表面污物以及表层氧化层，实现锗表面的初步氯化；然后采用乙醇和水的混合液配制硫醇试剂，采用适当加热的钝化条件在锗表面得到自组装膜。本发明具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。
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公开(公告)号：CN104332405A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410482922.0
申请日：2014-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L29/66439
Abstract: 本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO2层包裹的锗纳米线阵列；4）去除包裹在纳米线两端表面的SiO2层，裸露出锗纳米线的两端；5）在锗纳米线的延长线上沉积金属引线、源极电极和漏极电极，在硅衬底上制作栅极电极；6）在步骤5）的结构表面形成Si3N4保护层；7）去除纳米线图形区域和金属电极图形区域内的Si3N4保护层，直至完全露出锗纳米线、源极电极和漏极电极。本发明的锗纳米线基于自上而下的方法，工艺过程简单，可控性强，与传统的CMOS工艺完全兼容，成本较低，适于工业生产。
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公开(公告)号：CN104157554A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410406487.3
申请日：2014-08-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0209 , H01L21/02052 , H01L21/02096
Abstract: 本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于利用Ge与含长碳链硫醇，在特定条件下反应，通过调整反应体系的成份和温度，实现Ge表面氧化层的有效去除，实现Ge表面的稳定钝化保护，所述的长碳链硫醇为CH3(CH2)nSH，n≥9。具体为n＝11的十二硫醇，n＝15的十六硫醇或n＝17的十八硫醇。本发明制备的钝化Ge在大气环境下能长时间(>15天，至少15天)维持稳定，远远大于已报到的48h，其在水相(高湿度)条件下的稳定时间也超过10天，远大于已报到的数小时；本发明提供的Ge表面清洗与钝化的方法，具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。
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