公开(公告)号：CN106714987B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480082120.9

申请日：2014-09-26

申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王希 ,  程成 ,  吴均 ,  王晖

IPC分类号： B08B1/04 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/67046 ,  B08B1/002 ,  B08B1/02 ,  B08B1/04 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/68764

摘要： 本发明公开了一种清洗半导体硅片的装置和方法。该装置包括刷子组件、摆臂、旋转驱动装置和升降驱动装置。刷子组件包括一个向硅片表面提供机械力的刷头。摆臂的一端安装刷子组件。旋转驱动装置与摆臂的另一端连接，旋转驱动装置驱动摆臂摆动并经过整个硅片表面，从而带动刷头在整个硅片表面移动。升降驱动装置与摆臂的另一端连接，升降驱动装置驱动摆臂上升或下降，从而带动刷子组件上升或下降。该装置利用刷头来清洗半导体硅片，提高了清洗效果。

公开(公告)号：CN106185854A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610369957.2

申请日：2016-05-30

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李昇浩 ,  赵旼熙 ,  姜基文 ,  金兑根

IPC分类号： C01B25/237 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/31111 ,  B01D1/0011 ,  B01D1/0041 ,  B01D1/0082 ,  B01D11/0484 ,  B01D11/0492 ,  C09K13/08 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  C01B25/237 ,  C01B25/2375 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67023

摘要： 公开了一种从包括硅(Si)、氟化氢(HF)和磷酸的处理液中再生磷酸溶液的方法，所述方法包括：通过向所述处理液供应对应于预设量或更多量的氟化氢而去除硅，通过将所述处理液加热到氟化氢的沸点或更高温度而去除所述氟化氢，和将所述磷酸的温度和浓度调节到预设值。

公开(公告)号：CN105914137A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610464167.2

申请日：2016-06-23

申请人： 无锡宏纳科技有限公司

发明人： 吕耀安

IPC分类号： H01L21/02 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10

CPC分类号： H01L21/02041 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  H01L21/02096

摘要： 本发明公开了一种湿法硅片清洗方法，包括以下步骤：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤5、在55℃～70℃的温度下，在使用SC?1溶液对硅片进行清洗；步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤7、在55℃～70℃的温度下，使用SC?2溶液对硅片进行清洗；步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。本发明在清洗中使用了合适的温度范围，与现有的常温的湿法清洗技术相比，反应速率加快，则在相同的清洗程度之下，本发明所使用的氢氟酸等有害化学物质减少。

公开(公告)号：CN105575792A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510733793.2

申请日：2015-11-03

申请人： 株式会社东芝

发明人： 平林英明 ,  长岛裕次

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01B19/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67075

摘要： 实施方式的处理装置具备：收纳氢氟酸缓冲液的收纳部；使用上述氢氟酸缓冲液进行处理物的处理的处理部；将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给的供给部；将在上述处理部中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给的回收部；对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算的运算部；以及将包含氨和水在内、与上述运算出的氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给的补充液供给部。

公开(公告)号：CN105449045A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511022694.X

申请日：2015-12-29

申请人： 常州比太科技有限公司

发明人： 解观超 ,  刘金浩 ,  上官泉元

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  C30B33/10

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02096

摘要： 本发明提供了一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法。本发明采用BOE蚀刻液与双氧水混合溶液对RIE制绒后晶体硅片进行清洗。其中，双氧水的作用是在RIE制绒后硅片表面生成一层氧化层，BOE蚀刻液中的HF溶液与氧化层反应，实现微腐蚀的效果。BOE蚀刻液能保持溶液的酸度，从而保证溶液腐蚀速率的稳定性。本发明能够对RIE制绒后的硅片表面进行微腐蚀，既能实现去除表面损伤层和表面尖端结构的效果，又能控制RIE制绒后的硅片反射率的上升速度。本发明清洗工艺可在室温下进行，清洗效果重复性好，避免使用控温设备，节约生产成本。

公开(公告)号：CN105448819A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610007830.6

申请日：2016-01-06

申请人： 江苏博普电子科技有限责任公司

发明人： 张卫平 ,  陈强 ,  张复才

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/481 ,  H01L2221/1073

摘要： 本发明公开了一种避免硅片引线孔发白的结构及工艺处理方法，硅片蒸发处理工艺前，降低硅片上引线孔表面结构与氧化层之间的差异。采用本发明避免硅片引线孔发白的结构及工艺处理方法，可以减少甚至完全避免引线孔发白现象的出现，使硅片表面没有明显色差，避免了后续工艺中设备识别硅片时因色差导致的判断处理错误，提高了硅片封装良率。

公开(公告)号：CN105304756A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510720547.3

申请日：2015-10-30

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 刘源 ,  蔡先武 ,  刘贤金 ,  刘文峰 ,  周小荣

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02096

摘要： 本发明公开了一种太阳能晶硅电池返工片处理工艺，包括以下步骤：（1）对所述太阳能晶硅电池返工片进行氧化处理；（2）将步骤（1）氧化处理后的返工片放入清洗液中清洗，以去除步骤（1）氧化过程中产生的氧化物。该工艺具有降低返工片处理不良比例、避免传统制绒返工处理产生的花晶和暗纹问题、工艺简单、处理灵活等优点，且可与传统的制绒尾液返工处理工艺相结合，共同应用于返工片的返工处理。

公开(公告)号：CN105304746A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510622094.0

申请日：2015-09-24

申请人： 新奥光伏能源有限公司

发明人： 王进 ,  张娟 ,  陈光羽 ,  谷士斌 ,  张林 ,  田小让 ,  侯洪涛 ,  赵冠超 ,  何延如 ,  杨荣 ,  王琦 ,  李立伟 ,  郭铁

IPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/074 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02096 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，用以去除传送过程中晶体硅片表面和硅薄膜层上的沾污和氧化层，提高晶体硅片表面的钝化质量，提升电池的填充因子和转换效率。所述异质结太阳能电池的制备方法，包括：在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗。

公开(公告)号：CN104752551A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310726922.6

申请日：2013-12-25

申请人： 新奥光伏能源有限公司

发明人： 张林 ,  田小让 ,  毛卫平 ,  谷士斌 ,  赵冠超 ,  杨荣 ,  郭铁 ,  孟原

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1876 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了一种太阳能硅片的清洗方法，包括对太阳能硅片进行RCA清洗，RCA清洗包括：对太阳能硅片进行预清洗使得硅片表面产生氧化后，进行刻蚀处理；其中，采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对太阳能硅片进行刻蚀处理。该清洗方法，在对太阳能硅片进行RCA清洗时，采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对经过预清洗后的太阳能硅片进行刻蚀处理，利用硅片与双氧水、氢氟酸和水的混合溶液的界面化学变化，促进对硅片表面进行微刻蚀，从而降低硅片表面的金属污染，进而降低硅片表面的金属原子与硅片中的少子的复合，提高太阳能硅片中少子的寿命，从而提高太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN104475390A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410355331.7

申请日：2014-07-24

申请人： 如皋市易达电子有限责任公司

发明人： 蔡彤 ,  张练佳 ,  贲海蛟 ,  梅余锋

IPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67086 ,  H01L29/6609

摘要： 本发明涉及一种二极管芯片酸洗工艺，还涉及一种用于实现该酸洗工艺的设备，所述工艺依次为混合酸清洗、酸与双氧水清洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，所述氨水与双氧水的混合清洗液为氨水、双氧水与纯水，所述氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:3～6，所述二极管芯片酸洗工艺的设备，包括在酸洗机上依次设置的混合酸清洗段、酸与双氧水清洗清洗段、氨水与双氧水清洗清洗段及水超声清洗段。本发明的优点在于：采用该浓度的氨水清洁芯片表面时，使得芯片表面的游离金属离子大大的减少，提高了二极管常温下电性能和高温电性能，且通过水超声清，解决了残留的氨水的清洗问题。