公开(公告)号：CN119890183A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510022215.1

申请日：2025-01-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  黄阳 ,  谢晓明 ,  李坤 ,  肖克来提

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种传输线结构、制备方法及其应用，该传输线结构包括衬底、绝缘介质层及导电布线层，其中，衬底中设有多个贯穿衬底的通孔，且通孔的内壁倾斜设置，绝缘介质层覆盖衬底的第一表面、第二表面及通孔的内壁，导电布线层位于绝缘介质层表面，导电布线层包括中心导线，中心导线作为信号线。本发明通过在通孔内壁上直接形成中心导线(即孔内传输线)，实现了与第一表面和第二表面上的中心导线(平面传输线)结构设计的一致性，从而保证了阻抗匹配，避免了信号在孔内传输线与平面传输线之间传递时因阻抗不匹配而导致的信号损耗，从而显著提升信号传输的完整性和效率，有助于实现更高频信号的稳定传输。

公开(公告)号：CN116913895A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310941238.3

申请日：2023-07-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  黄阳 ,  李坤 ,  肖克来提 ,  谢晓明

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种超导硅通孔转接板及其制备方法，所述超导硅通孔转接板包括：上凹槽、下凹槽、凹槽埋层及超导金属柱；其中，所述上凹槽及所述下凹槽分别对应设置在所述基板的上表面及下表面，且所述通孔贯穿所述上凹槽及所述下凹槽；所述凹槽埋层形成在所述上凹槽的内壁表面及所述下凹槽的内壁表面；所述超导金属柱填充设置在所述上凹槽、所述下凹槽及所述通孔内。本发明提供的超导硅通孔转接板及其制备方法能够解决现有超导硅通孔转接板中的超导金属柱因冷缩松动无法实现电连接功能的问题。

公开(公告)号：CN118139514A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410255214.7

申请日：2024-03-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  樊涛 ,  黄阳 ,  肖克来提 ,  谢晓明

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/82

Abstract: 本发明提供一种超导电路基板结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一包括相对设置的第一面及第二面的硅基板，形成贯穿硅基板且开口位于第一面及第二面上的贯穿孔，自第一面与第二面中至少一面扩大贯穿孔的开口以得到内壁倾斜的通孔；形成覆盖通孔内壁及第一面、第二面的第一绝缘层；于第一绝缘层表面依次形成覆盖第一绝缘层表面的第一超导金属层、覆盖第一超导金属层表面的第二绝缘层及覆盖第二绝缘层表面的第二超导金属层；基于第一超导金属层形成地线层，基于第二超导金属层形成信号线层；形成填充通孔的剩余部分的填充层。本发明的超导电路基板结构及其制备方法保证了超导电路基板结构的高频传输性能，能够实现超导集成电路弱信号的高频传输。