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公开(公告)号：CN103915433A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410120973.9
申请日：2014-03-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本发明嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN103881119A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410020982.0
申请日：2014-01-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米管的制备方法。其特征在于，通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物浸润模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米管形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米管。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米管，方法及工艺简单，易于控制纳米管径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米管的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN103881119B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410020982.0
申请日：2014-01-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米管的制备方法。其特征在于，通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物浸润模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米管形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米管。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米管，方法及工艺简单，易于控制纳米管径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米管的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN103539956A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310469956.1
申请日：2013-10-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法。通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物填充满整个模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米线形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米线。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米线，方法及工艺简单，易于控制纳米线径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米线的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN103539956B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310469956.1
申请日：2013-10-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法。通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物填充满整个模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米线形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米线。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米线，方法及工艺简单，易于控制纳米线径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米线的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN203883004U
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201420145033.0
申请日：2014-03-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本专利公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本专利嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。
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