-
公开(公告)号：CN116544294A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310027692.8
申请日：2023-01-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/102 , H01L31/024 , H01L31/0296 , H01L31/02 , G05D23/24
摘要： 本发明公开了一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件，其结构从下往上依次为三级半导体制冷器，环氧胶，锰钴镍氧热敏电阻，环氧胶，碲镉汞探测器；其中锰钴镍氧热敏电阻结构从下往上依次为蓝宝石衬底，锰钴镍氧薄膜，以及热敏薄膜表面两侧的镉/金复合电极；其中碲镉汞探测器结构从下往上依次为蓝宝石衬底，环氧胶，碲镉汞功能材料，阳极氧化层，ZnS增透层，以及碲镉汞材料表面两侧的铟/金复合电极。该探测器组件不仅能够准确测得探测器温度的实时变化，而且有效解决了常规工艺中将热敏电阻贴附在探测器侧壁上带来的温度漂移问题，使得碲镉汞探测器的精确控温成为可能，极大缓解了高精度应用场景中对探测器控温精度的要求。
-
公开(公告)号：CN116314420A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310027641.5
申请日：2023-01-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/103 , G01K7/16 , G01K15/00 , H01L31/0392 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种集成温度监测结构的红外探测器，在红外材料的一侧制备红外探测器；在另一侧上制备用于温度监测的温度敏感单元。该温度敏感单元通过在红外材料上生长绝缘介质层和铬铂金属层结构，并制备电极区，将铬铂金属层的两端引出后测量电阻可以实时监测芯片的温度。本专利用于温度监测的温度敏感单元通过光刻、镀膜等技术进行制备，一致性好。这种温度敏感单元可以根据探测器结构对铬铂金属层结构进行调整，可达到准确测量红外探测器温度的效果。
-
公开(公告)号：CN109148623A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810945383.8
申请日：2018-08-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法，其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层，非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层，n型Al0.45Ga0.55N层，倍增区非故意掺杂AlN层，p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区p型Al0.45Ga0.55N层，p型GaN帽层；在p型GaN帽层与n型Al0.45Ga0.55N层上分别有p型与n型欧姆接触电极；一钝化层，覆盖在刻蚀到n型Al0.45Ga0.55N层的台面上，对刻蚀台面进行保护。该器件最大的优点是利用弱p型Al0.45Ga0.55N层作为吸收区，AlN作为倍增区，这能够有效降低AlGaN基雪崩二极管的过剩噪声，提高器件的信噪比，而且有助于提高器件的紫外抑制比。
-
公开(公告)号：CN103579406A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310469889.3
申请日：2013-10-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/09 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/09 , H01L31/022408
摘要： 本发明公开了一种改善响应光谱平整度的红外探测器结构，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电极和光敏感区隔离。本发明的器件结构简单且有效，消除了响应光谱谱形的非线形，提高了光谱的平整度。
-
公开(公告)号：CN103117241A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310039849.5
申请日：2013-01-31
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种物理刻蚀工艺中的贴片方法：其步骤为：(1)选取胶带：需要采用聚酰亚胺耐高温双面胶带；(2)裁剪双面胶：将聚酰亚胺双面胶带裁剪成比所需刻蚀样品稍大的尺寸；(3)固定胶带：将聚酰亚胺双面胶带的下表面保护膜剥离后牢固地粘在刻蚀机的样品台上，然后将胶带的上表面保护膜也除去；(4)粘贴样品：将需要刻蚀的样品放置在聚酰亚胺双面胶上，并加以一定的正压力将样品牢固地与聚酰亚胺胶带进行粘接；(5)剥离胶带：在物理刻蚀工艺完成后，一般的硬质刻蚀样品可以直接从聚酰亚胺双面胶带上取下，然后将胶带从样品台上剥离即可。该方法具有操作方便、导热性好、刻蚀图形佳和成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN102543791A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019073.6
申请日：2012-01-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种以碲镉汞为基底的薄膜附着力定量测试方法：(1)光刻图形：用光刻的方法在碲镉汞基底上的薄膜表面形成方格图形；(2)形成方格：用刻蚀或浮胶的方法将薄膜分割形成若干方格；(3)粘贴胶带：将胶带粘在薄膜上，并施以一定的正压力；(4)剥离薄膜：将胶带折起沿与薄膜平行的方向，以恒定的速度施加拉力；(5)计算百分比：用最终薄膜表面方格的脱落百分比来定量评价以碲镉汞为基底的薄膜附着力。该方法具有操作方便、数据直观、成本低和非破坏性等优点，并且能对正式的碲镉汞样品进行在线检测。
-
公开(公告)号：CN102181922A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110063540.0
申请日：2011-03-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： C30B25/08
摘要： 本专利公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种石英容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。
-
公开(公告)号：CN101777424B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010101878.6
申请日：2010-01-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于步骤如下：在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔；制备PVDF有机聚合物薄膜；在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极；光刻腐蚀金属上电极；氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶；在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极；光刻腐蚀去除多余包裹电极，完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。本发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性，使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
-
公开(公告)号：CN101707215B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910226314.2
申请日：2009-11-18
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本专利公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AlN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。
-
公开(公告)号：CN101769941A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010101896.4
申请日：2010-01-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01Q60/30
摘要： 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
111 条记录 (耗时 0.054 秒)