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公开(公告)号：CN104362252A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546599.9
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： H01L51/05 , H01L51/0034 , H01L51/10
摘要： 本发明公开一种基于二硫化钼薄膜的PVDF基铁电场效应管的制备方法。其特征在于，在热氧化生长SiO2的Si衬底上制备MoS2薄膜，然后采用光刻、lift off方法刻蚀出场效应管结构的源漏电极，然后将聚偏氟乙烯基有机铁电聚合物薄膜转移至有源漏电极的MoS2薄膜上，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性。最后再通过光刻、刻蚀方法制备金属栅电极从而制备完成MoS2铁电场效应晶体管器件，本发明制备一种有机铁电场效应晶体管结构，方法及工艺简单，为研究铁电极化调控MoS2的电子输运特性以及相关光电、存储器件提供了保证。
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公开(公告)号：CN103881119A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410020982.0
申请日：2014-01-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米管的制备方法。其特征在于，通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物浸润模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米管形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米管。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米管，方法及工艺简单，易于控制纳米管径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米管的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN102003998B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010286025.4
申请日：2010-09-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种高灵敏非制冷红外探测器。本发明用聚偏二氟乙烯和三氟乙烯的共聚物作为热释电材料，并将其运用郎缪尔-布拉吉特方法生长在制备好金属底电极的聚酯材料衬底上，然后在材料上表面生长金属上电极，形成电容器结构，并在上电极上生长聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸导电聚合物作为红外吸收层。
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公开(公告)号：CN100374832C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200510026024.5
申请日：2005-05-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法，所说的吸收层是置在焦平面探测器的上电极层上的，或者是置在焦平面探测器的铁电薄膜上的钛与二氧化钛混合的多孔薄层。制备方法首先采用直流磁控溅射方法将金属Ti溅射铁电薄膜上或上电极层上，然后利用化学腐蚀的方法，将钛膜腐蚀成多孔态，目的是为了降低薄膜中自由电子密度，将其等离子吸收边调节到探测器应用的红外波长。薄膜多孔结构中高密度的表面态对入射进来的电磁波进一步吸收使之不同于通常金属。本发明的优点：与常规的金黑吸收层工艺相比，本吸收层制备工艺简单，可以通过光刻以及腐蚀或干法刻蚀等途径制备成分立灵敏元结构。
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公开(公告)号：CN101075647A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710041610.6
申请日：2007-06-04
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器，它利用复合探测材料AlGaN/PZT的双波段吸收特性，同时实现紫外光和红外光的探测。入射光束先经过AlGaN PIN结构，能量较高的紫外光被吸收，转化为紫外光电流；能量较低的红外光透过蓝宝石衬底，被PZT铁电薄膜吸收，形成的光电流通过铟柱倒焊接出。本发明的双波段探测器充分利用了不同材料的探测优势，实现了两个波段的同时探测；同时，此探测器工作于室温，简便易用。
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公开(公告)号：CN1693858A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026024.5
申请日：2005-05-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法，所说的吸收层是置在焦平面探测器的上电极层上的，或者是置在焦平面探测器的铁电薄膜上的钛与二氧化钛混合的多孔薄层。制备方法首先采用直流磁控溅射方法将金属Ti溅射铁电薄膜上或上电极层上，然后利用化学腐蚀的方法，将钛膜腐蚀成多孔态，目的是为了降低薄膜中自由电子密度，将其等离子吸收边调节到探测器应用的红外波长。薄膜多孔结构中高密度的表面态对入射进来的电磁波进一步吸收使之不同于通常金属。本发明的优点：与常规的金黑吸收层工艺相比，本吸收层制备工艺简单，可以通过光刻以及腐蚀或干法刻蚀等途径制备成分立灵敏元结构。
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公开(公告)号：CN1362749A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01139083.2
申请日：2001-12-07
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L41/24 , H01L41/187 , C04B41/87
摘要： 本发明提供了一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法,该方法包括:前驱体溶液的配制,即将溶剂醋酸、去离子水和添加剂甲酰胺与溶质醋酸镍、硝酸镧以0.3M的浓度在一定的温度下混合得到前驱体溶液和薄膜材料的制备,即将配制好的前驱体溶液采用旋转镀膜方式在基片上得到凝胶膜,然后在快速退火炉中分段进行热处理,形成薄膜材料。用该方法得到的薄膜具有高度的择优取向和良好的金属特性,在室温下的电阻率约为7.6×10－4Ωcm。用该薄膜可在其上制备出高质量的铁电薄膜材料或可作为铁电薄膜器件的底电极。
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公开(公告)号：CN103881119B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410020982.0
申请日：2014-01-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米管的制备方法。其特征在于，通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物浸润模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米管形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米管。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米管，方法及工艺简单，易于控制纳米管径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米管的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN102610758B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210073711.2
申请日：2012-03-19
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明公开一种铁电隧道结室温红外探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、金属底电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在柔性薄膜衬底表面蒸发或溅射金属作为底电极，然后在底电极表面运用LB法生长厚度1-6纳米PVDF基聚合物薄膜作为铁电功能层，随后在铁电功能层上运用蒸发或溅射方法制备金属上电极形成铁电隧道结，最后减薄衬底。器件是通过通入微小恒定电流，光照下测量电极两端电压实现红外探测。该探测器具有根据应用环境和探测目标的需求温度系数大小与极性可调，无需对入射辐射调制等特性。
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公开(公告)号：CN103539956A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310469956.1
申请日：2013-10-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法。通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物填充满整个模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米线形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米线。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米线，方法及工艺简单，易于控制纳米线径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米线的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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