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公开(公告)号：CN103911667B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410121137.2
申请日：2014-03-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法，适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩埚内自上向下生长，当熔体凝固到坩埚缩颈处时，晶体被缩颈固定住，不再下滑，由于体积缩小，坩埚缩颈以下的晶体的直径小于坩埚的内径，晶体与坩埚壁分离，晶体直径越大，晶体与坩埚壁之间的间隙越大，分离越明显。本发明的优点在于晶体生长的直径大，质量优。
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公开(公告)号：CN104535578A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410748015.6
申请日：2014-12-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法，该方法先使用体积分数为3％-5％的溴甲醇溶液，对单晶材料(111)B面进行30-60分钟的化学减薄，去除材料加工损伤层，获得表面光亮平整的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，用肉眼或者普通光学显微镜便可清晰观察材料的各类缺陷。本发明的优点是：(1)快速便捷，在1小时内可以完成样品缺陷的揭示及观察。(2)适用范围广，可用于片状、块状、不规则等各种类型样品。(3)成本较低，不需要专用设备。(4)使用化学试剂减薄腐蚀，不会再次引入机械加工损伤。
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公开(公告)号：CN104357902A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546425.2
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置和方法。本合成装置包括加热氧化铝炉膛，内衬炉膛，控温系统，反应器皿，且可以进行两段独立或联合升降温。所述方法通过改变高温区和低温区的温场分布来实现温度梯度的调控，通过改变晶料分布方式来实现合成反应速率的控制；通过改变高温区与低温区的温度减少合成后晶料损失导致的化学计量比偏移。本发明的有益效果是：(1)温度梯度法结合晶料分布使得反应过程匀速可控，消除了因反应剧烈而导致的裂管风险。(2)合成的锭条在二次换管进行碲锌镉单晶生长时几乎没有晶料损失，保证了化学平衡计量比不偏移。(3)可以直接合成规格2英寸，3英寸和4英寸的各规格碲锌镉多晶锭条。
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公开(公告)号：CN103196919A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310100303.6
申请日：2013-03-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 本发明公开了一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法。包括晶体表面预处理、晶体表面清洗、配制腐蚀液并腐蚀晶体表面和观察识别晶体缺陷4个步骤，其特征在于：在观察识别晶体缺陷的步骤中使用常规光学显微镜对碲锌镉晶片表面的腐蚀坑进行观察，在1000倍率视场下，腐蚀坑底表面粗糙并因此在显微镜下成黑色的三角形、六边形或不规则形腐蚀坑所对应的缺陷为沉淀物，其中在50倍率视场下观察，腐蚀坑周围的材料形貌呈凹坑的孤立腐蚀坑为富碲沉淀物形成的腐蚀坑；腐蚀坑周围的材料中有大量位错腐蚀坑集聚的腐蚀坑为富镉沉淀物形成的腐蚀坑。本发明的特点在于：能直接在碲锌镉材料表面识别各种沉淀物腐蚀坑，便于研究和快速检测沉淀物。
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公开(公告)号：CN104406532B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410546842.7
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法，本发明先使用体积分数为1％-5％的溴甲醇溶液，对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄，获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，在100倍视场下用光学显微镜进行观察，确定损伤层刚好完全去除的位置，比较损伤层去除前后的晶片厚度差异，计算损伤层厚度。本发明的优点是：(1)通过观察晶片表面缺陷的形貌来判断损伤层厚度，结果直观准确。(2)能够在1小时内完成晶片损伤层厚度检测，不存在多次腐蚀及多次检测，便利快捷，实用性高。
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公开(公告)号：CN104406532A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410546842.7
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法，本发明先使用体积分数为1％-5％的溴甲醇溶液，对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄，获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，在100倍视场下用光学显微镜进行观察，确定损伤层刚好完全去除的位置，比较损伤层去除前后的晶片厚度差异，计算损伤层厚度。本发明的优点是：(1)通过观察晶片表面缺陷的形貌来判断损伤层厚度，结果直观准确。(2)能够在1小时内完成晶片损伤层厚度检测，不存在多次腐蚀及多次检测，便利快捷，实用性高。
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公开(公告)号：CN103911667A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410121137.2
申请日：2014-03-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法，适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩埚内自上向下生长，当熔体凝固到坩埚缩颈处时，晶体被缩颈固定住，不再下滑，由于体积缩小，坩埚缩颈以下的晶体的直径小于坩埚的内径，晶体与坩埚壁分离，晶体直径越大，晶体与坩埚壁之间的间隙越大，分离越明显。本发明的优点在于晶体生长的直径大，质量优。
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公开(公告)号：CN103217328A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310100370.8
申请日：2013-03-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种用于揭示碲锌镉晶体各类缺陷的腐蚀液，它由HNO3、HF、H2O2和H2O构成，以体积百分数计：混合液中质量浓度为70±1%的HNO3含有20%～25%，质量浓度为40%的HF含有20%～25%，质量浓度为30%的H2O2含有20%～25%，其余体积由H2O补足，组分之和为HNO3+HF+H2O2+H2O=100%。本发明的特点在于：能直接在碲锌镉晶体表面揭示各类缺陷，便于快速检测各类缺陷，并能形成区别显著的位错腐蚀坑和沉淀物腐蚀坑，所形成的沉淀物腐蚀坑的特征形貌尺寸比沉淀物本身的尺寸要大出数倍，适合于检测较小尺寸的沉淀物缺陷。
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公开(公告)号：CN203878235U
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201420145016.7
申请日：2014-03-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本专利公开了一种基于缩颈型晶体坩埚，它适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。该坩埚利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩埚内自上向下生长，当熔体凝固到坩埚缩颈处时，晶体被缩颈固定住，不再下滑，由于体积缩小，坩埚缩颈以下的晶体的直径小于坩埚的内径，晶体与坩埚壁分离，晶体直径越大，晶体与坩埚壁之间的间隙越大，分离越明显。本专利的优点在于晶体生长的直径大，质量优。
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公开(公告)号：CN204224740U
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201420597484.8
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本专利公开了一种利用温度梯度合成碲锌镉多晶的合成装置。本合成装置包括加热氧化铝炉膛，内衬炉膛，控温系统，反应器皿，且可以进行两段独立或联合升降温。所述方法通过改变高温区和低温区的温场分布来实现温度梯度的调控，通过改变晶料分布方式来实现合成反应速率的控制；通过改变高温区与低温区的温度减少合成后晶料损失导致的化学计量比偏移。本专利的有益效果是：(1)温度梯度法结合晶料分布使得反应过程匀速可控，消除了因反应剧烈而导致的裂管风险。(2)合成的锭条在二次换管进行碲锌镉单晶生长时几乎没有晶料损失，保证了化学平衡计量比不偏移。(3)可以直接合成规格2英寸，3英寸和4英寸的各规格碲锌镉多晶锭条。
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