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公开(公告)号：CN117091709A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311072891.7
申请日：2023-08-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种用于多级冷屏的光敏元响应率非均匀性校正方法及系统，涉及数据处理技术领域。本发明可以对含多级冷屏且窗口和冷屏开孔为任意形状的杜瓦内探测器响应率测试结果进行校正，其中，对窗口面进行网格划分，计算每个窗口面网格单元对面阵红外探测器芯片中光敏元的有效立体角，以生成探测器光敏元有效立体角分布矩阵，接着，基于探测器光敏元有效立体角分布矩阵确定整个面阵红外探测器芯片中光敏元的F数分布矩阵，并采用这一F数分布矩阵校正光敏元响应率矩阵实现对焦平面响应率非均匀性的校正，具有算法实现过程简单，计算结果准确，适用范围广等优点。
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公开(公告)号：CN116247517A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310264608.4
申请日：2023-03-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明涉及一种产生径向偏振柱矢量光束的太赫兹量子级联激光器，结构从下至上依次为，衬底层，下电极层和有源区层。有源区层上有位于中心的圆形第一上电极层，围绕着第一上电极层的圆环状第二上电极层和围绕着第二上电极层的圆环状吸收边界层。所述有源区层与第一上电极层交界处结构为一阶同心圆金属掩埋光栅，第二上电极层的结构为二阶同心圆金属‑空气光栅。一阶同心圆金属掩埋光栅与二阶同心圆金属‑空气光栅的圆心重合。一阶同心圆金属掩埋光栅激射角向基模，在波导内产生各向同性的柱面波辐射；二阶同心圆金属‑空气光栅将波导内光耦合为垂直面发射的径向偏振柱矢量光束。最终本发明器件可以单片集成的获得径向偏振的柱矢量光束。
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公开(公告)号：CN112821186A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110100819.5
申请日：2021-01-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01S5/023 , H01S5/0233 , H01S5/0239 , H01S5/026 , H01S5/06
摘要： 本发明涉及一种面发射太赫兹量子级联激光器，包括一衬底以及位于该衬底上方的键合金属层，所述键合金属层的上方设置有引线区以及位于所述引线区之间的天线阵列，所述天线阵列为周期性脊条阵列，所述周期性脊条阵列包括若干个周期单元，每个周期单元中包含两个间隔设置且宽度不同的脊条。另外，本发明还涉及一种面发射太赫兹量子级联激光器的制备方法。本发明可以实现紧致的远场光斑，从而有利于提高激光器的高温特性以及连续波模式下的工作性能。同时，本发明并不需要任何的外腔耦合结构，提高了激光器输出信号的稳定性。
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公开(公告)号：CN109244176A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811176475.0
申请日：2018-10-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/109
摘要： 本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p-n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p-n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。
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公开(公告)号：CN108922898A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810945391.2
申请日：2018-08-20
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
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公开(公告)号：CN105762221B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610236474.5
申请日：2016-04-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p‑n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p‑n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。
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公开(公告)号：CN106449377A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611061341.5
申请日：2016-11-25
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/0331
摘要： 本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层，掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层，掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止，从而可以方便地控制掩膜刻蚀的终点。掩膜的去除方法采用浓盐酸浸泡，通过去除牺牲层，可以将掩膜整体完全去除。该掩膜使得干法刻蚀技术可以被用于二氧化硅掩膜的成形，能够解决现有的湿法腐蚀掩膜工艺面临的尺寸均匀性差，侧壁倾斜，工艺窗口小等缺点。
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公开(公告)号：CN105762221A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236474.5
申请日：2016-04-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/1828
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p?n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p?n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。
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公开(公告)号：CN105762209A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236574.8
申请日：2016-04-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/1032 , H01L31/03529
摘要： 本发明公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本发明采用将p?n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本发明对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
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公开(公告)号：CN103911667A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410121137.2
申请日：2014-03-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法，适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩埚内自上向下生长，当熔体凝固到坩埚缩颈处时，晶体被缩颈固定住，不再下滑，由于体积缩小，坩埚缩颈以下的晶体的直径小于坩埚的内径，晶体与坩埚壁分离，晶体直径越大，晶体与坩埚壁之间的间隙越大，分离越明显。本发明的优点在于晶体生长的直径大，质量优。
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