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公开(公告)号：CN114039201B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202111324626.4
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种分形蝶形太赫兹天线。所述的天线通过类似鱼骨结构一样的天线臂对所捕获的电磁波进行有效的辐射，已达到更好的耦合光波能量。在天线的尖端部位，采用了锥形汇聚沟道，使天线的反射能量得到二次耦合的机会。本发明结构中，采用了引流‑分流‑再汇聚的结构特点。当电磁波初步到达天线表面的时候，第一次通过梯形的天线尾引如第一波能量；当电磁能量进入天线内部的时候，在通过两侧的鱼骨通道分流，增加电流的流通路径；最终通过尖端汇聚到敏感源上。这一发明对于提升太赫兹探测器的探测率和目标识别准确率上有着重要意义，可以提升探测器在太赫兹领域的更高工作频段。
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公开(公告)号：CN106654837B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201611055856.4
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种种子光注入高功率太赫兹差频源系统，该系统包括1064nm脉冲激光器、光学参量振荡器、种子太赫兹激光器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、太赫兹合束镜、硒化镓晶体和太赫兹透镜。该发明基于种子光注入放大原理，首先利用两束高功率近红外泵浦光源(1064nm激光器和光学参量振荡器)在硒化镓晶体中实现常规太赫兹波差频辐射，然后在此光路中注入种子太赫兹实现高功率、极窄线宽的太赫兹辐射。本发明具有结构简单，工作可靠，便于操作，相干性好，室温工作，并且能够增强辐射功率、极窄线宽、宽带、可调谐等优点。
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公开(公告)号：CN110160659A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910414292.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，金属反射层，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，锗单晶半球透镜，以及器件管座组成。通过精确控制刻蚀敏感元的结构参数，形成特定图案的锰钴镍氧介质超表面结构层，可以实现器件对特定波长的光达到完美吸收的效果；同时反射非特定波长的光，提升器件窄带探测的能力。本发明结构中，由于未引入等离子激元型的金属人工微结构，避免了能量在金属结构中的大量损失，从而保证了器件中敏感元部分吸收达到80％以上，光谱曲线的品质因子(Q值)可以达到15左右，对改善非制冷红外窄带探测器的响应率和目标识别精确度方面都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN106784029A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710038485.7
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/08 , G01J1/42
CPC classification number: H01L31/02016 , G01J1/42 , G01J2001/4295 , H01L31/02327 , H01L31/08
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹线列探测装置。该探测装置由八元线列式探测器件、组合聚焦装置、可控温杜瓦单元、前置放大器及读出电路等四部分组成。该线列太赫兹探测装置通过八元铜光锥和聚四氟乙烯透镜组成的聚焦装置会聚入射的太赫兹波；通过平面耦合型碲镉汞探测器件接收太赫兹波并将其转换为电信号，并由前置放大器及读出电路放大并读出；可控温杜瓦单元用于提供合适的工作温度。该种线列探测器件响应范围可覆盖0.03‑4THz，可在近室温及液氮(77‑250K)条件下实现高灵敏度线列扫描式太赫兹探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107153231B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201710563610.6
申请日：2017-07-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种具有中波红外截止功能的远红外光学薄膜窗口，该光学薄膜窗口以碲化铅(PbTe)和碘化铯(CsI)为高低折射率薄膜材料，在1‑2×10‑3Pa真空环境、180±2℃沉积温度下，采用阻蒸热蒸发沉积方法在CVD金刚石基底两侧分别沉积多层膜而成；该远红外光学薄膜窗口能够实现对中波红外5微米前的光波截止，截止后其平均透过率低于0.5％，对5‑50微米波段的光增透，平均透过率大于76.8％。本发明专利的远红外波段光学薄膜窗口可应用于深空探测、远红外目标识别和地球辐射探测等领域。
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公开(公告)号：CN106048527B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610405808.7
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法，该方法以MnCO3、Co2O3、Ni2O3粉末为原料经研磨、过筛、合成、细磨、预压成型、在富氧氛围下烧结成陶瓷靶材，然后以聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺薄片为衬底片，采用射频磁控溅射方法室温下溅射沉积MCNO薄膜。本发明优点在于：1.在室温下完成溅射沉积，实现在聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺等有机柔性衬底上沉积MCNO热敏薄膜。2.该方法制备的MCNO薄膜电阻率低，而负温度电阻系数高，有利提高器件的响应率和降低器件噪声。3.常温下制备，无需高温热处理，耗能低、节能环保。4.溅射沉积温度低，易于与Si基半导体工艺兼容，可以实现在Si基读出电路芯片上直接制备热敏元件，大大降低制作热敏型非制冷红外焦平面阵列成本。
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公开(公告)号：CN106395728A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610893671.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: B81B1/00 , B81C1/00476 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件及其制备方法。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。
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公开(公告)号：CN103855238A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020924.8
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: G01J5/0878 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器，所述的红外探测器衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元和起补偿作用的补偿元分别位于锗透镜聚光中心焦点位置和边缘区域。该专利的优点在于：能有效消除热敏器件中因衬底效应而引起的等效热容、信号串扰对器件响应率的影响；利用锗透镜的聚光作用，从薄膜衬底背面入射到敏感元上的方式实现浸没式探测，大幅提高了热敏薄膜型红外探测器的响应率和探测率。本发明的公开，对于发展高性能、非制冷热敏薄膜型红外探测器件有一定的指导作用，并可用于单元浸没式红外探测器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN103855237A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020865.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本发明设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。
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