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公开(公告)号：CN101892522A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010241301.5
申请日：2010-07-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜。具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。
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公开(公告)号：CN102030531A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010619225.7
申请日：2010-12-31
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/626 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及一种制备铌酸钠钾纳米粉体的方法，特征在于用廉价的氢氧化铌作铌源，用草酸作络合剂。步骤是：1)将一定量的草酸溶于蒸馏水，然后将氢氧化铌粉体加入草酸溶液，氢氧化铌与草酸摩尔比为1∶4～1∶14，并搅拌至完全溶解得含铌草酸溶液A；2)将钠、钾的碳酸盐、氧化物或氢氧化物按Na0.5K0.5NbO3的成分配比溶于溶液A，用氨水调pH值至1～5然后添加乙二醇，乙二醇与草酸按摩尔比为1∶1～5∶1，在搅拌条件下反应得淡黄色溶液B；3)待溶液B反应至粘稠后放入干燥箱，90～130℃干燥得固体C；4)将固体C在300～400℃下得到中间产物D；5)最后将中间产物D在500～650℃下煅烧2～5小时得铌酸钠钾粉体。制备的铌酸钠钾粉体纯度高，成分均匀，粉体粒径在纳米级，烧结活性大。
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公开(公告)号：CN102030531B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010619225.7
申请日：2010-12-31
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/626 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及一种制备铌酸钠钾纳米粉体的方法，特征在于用廉价的氢氧化铌作铌源，用草酸作络合剂。步骤是：1)将一定量的草酸溶于蒸馏水，然后将氢氧化铌粉体加入草酸溶液，氢氧化铌与草酸摩尔比为1∶4～1∶14，并搅拌至完全溶解得含铌草酸溶液A；2)将钠、钾的碳酸盐、氧化物或氢氧化物按Na0.5K0.5NbO3的成分配比溶于溶液A，用氨水调pH值至1～5然后添加乙二醇，乙二醇与草酸按摩尔比为1∶1～5∶1，在搅拌条件下反应得淡黄色溶液B；3)待溶液B反应至粘稠后放入干燥箱，90～130℃干燥得固体C；4)将固体C在300～400℃下得到中间产物D；5)最后将中间产物D在500～650℃下煅烧2～5小时得铌酸钠钾粉体。制备的铌酸钠钾粉体纯度高，成分均匀，粉体粒径在纳米级，烧结活性大。
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公开(公告)号：CN102136487B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010619223.8
申请日：2010-12-31
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件，特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极，以ZnO薄膜为中间层，以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M)为顶电极，形成FTO(ITO)/ZnO/M的结构。存储元件的中间层采用与开关元件相同的ZnO薄膜，以M为底电极和顶电极，形成M/ZnO/M的结构。两个中间层ZnO采用相同的氧等离子体辅助激光脉冲沉积制备工艺，制备出电学性能良好的ZnO薄膜。最大优点是获得了性能稳定的开关元件，并且开关元件和存储元件采用相同的制备工艺和薄膜材料，大大简化了工艺流程，获得了可实现稳定可逆电阻转变的并可避免误读操作的存储单元。
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公开(公告)号：CN101892522B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010241301.5
申请日：2010-07-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜。具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。
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公开(公告)号：CN102136487A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010619223.8
申请日：2010-12-31
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种基于氧化锌材料的新型电阻式RAM(随机存储器)存储单元及制备方法。所述的存储单元包括开关元件和存储元件，特征在于开关元件以透明导电薄膜为底电极，以ZnO薄膜为中间层，以Pt、Au、Ir等功函数较高金属(M)为顶电极，形成FTO(ITO)/ZnO/M的结构。存储元件的中间层采用与开关元件相同的ZnO薄膜，以M为底电极和顶电极，形成M/ZnO/M的结构。两个中间层ZnO采用相同的氧等离子体辅助激光脉冲沉积制备工艺，制备出电学性能良好的ZnO薄膜。最大优点是获得了性能稳定的开关元件，并且开关元件和存储元件采用相同的制备工艺和薄膜材料，大大简化了工艺流程，获得了可实现稳定可逆电阻转变的并可避免误读操作的存储单元。
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