公开(公告)号：CN112625678B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201910905713.5

申请日：2019-09-24

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 刘茜 ,  王彩艳 ,  张颖 ,  邓明雪 ,  徐小科 ,  周真真 ,  贺欢

IPC分类号： C09K11/66 ,  C09K11/67

摘要： 本发明提供一种复合掺杂锡酸锶的光信息存储材料及其制备方法和应用。所述光信息存储材料的化学通式为Sr2‑x‑ySn1‑zMzO4:xNd3+,yR，R选自Na+、K+、V3+、Dy3+、Ho3+、Er3+和Eu3+中至少一种；M选自Ge4+、Ti4+与Zr4+中至少一种；其中，0.01≤x≤0.1，0.005≤y≤0.05，z为0或0.1。本发明制备的材料较稳定，具有光信息存储特性，光致发光峰位与光激励发光峰位接近一致。所述材料在防伪及光盘信息存储等领域具有潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN112625678A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201910905713.5

申请日：2019-09-24

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 刘茜 ,  王彩艳 ,  张颖 ,  邓明雪 ,  徐小科 ,  周真真 ,  贺欢

IPC分类号： C09K11/66 ,  C09K11/67

摘要： 本发明提供一种复合掺杂锡酸锶的光信息存储材料及其制备方法和应用。所述光信息存储材料的化学通式为Sr2‑x‑ySn1‑zMzO4:xNd3+,yR，R选自Na+、K+、V3+、Dy3+、Ho3+、Er3+和Eu3+中至少一种；M选自Ge4+、Ti4+与Zr4+中至少一种；其中，0.01≤x≤0.1，0.005≤y≤0.05，z为0或0.1。本发明制备的材料较稳定，具有光信息存储特性，光致发光峰位与光激励发光峰位接近一致。所述材料在防伪及光盘信息存储等领域具有潜在的应用前景。