公开(公告)号：CN113549451A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010298980.3

申请日：2020-04-16

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 周真真 ,  刘茜 ,  徐小科 ,  张颖

IPC分类号： C09K11/67 ,  G11B7/243

摘要： 本发明公开一种锆硅酸盐光存储材料及其制备方法。所述光存储材料的化学式为Ba1‑xZrSi3O9:xEu，其中0＜x≤0.30，优选为0.05＜x≤0.30。

公开(公告)号：CN107445199B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201710452367.0

申请日：2017-06-15

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 李效民 ,  陈永博 ,  徐小科 ,  高相东 ,  毕志杰 ,  何晓利

IPC分类号： C01G23/047 ,  C01G23/053 ,  B82Y40/00 ,  H01G9/20 ,  H01G11/46

摘要： 本发明提供多级结构二氧化钛纳米线阵列及其制备方法，多级结构二氧化钛纳米线阵列是由二氧化钛纳米线形成的阵列，所述二氧化钛纳米线为多级结构，包括二氧化钛单晶纳米线和包覆于所述二氧化钛单晶纳米线表面的二氧化钛纳米颗粒。在二氧化钛单晶纳米线的表面包覆二氧化钛纳米颗粒，由此形成的阵列具有高比表面积和填充密度，由此可以提高阵列的电致变色性能、电容性能和光电性能等。

公开(公告)号：CN105304752B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510604391.2

申请日：2015-09-21

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 徐小科 ,  吴永庆 ,  李效民 ,  高相东

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜的生长方法和生长装置，该生长方法利用常压化学气相沉积法，包括如下步骤：1）将衬底置于真空室的衬底基板中，并使真空室中的气压为1×10-2Pa或更低，且将衬底基板加热至160℃～240℃；2）向所述真空室通入二乙基锌蒸气、H2O蒸气、B2H6、和H2，其中二乙基锌蒸气、H2O蒸气、B2H6、和H2的流量比为（8～12）：（8～12）：（4～6）：0.8～1.2），保持真空室内的气压稳定在0.2torr～1torr，沉积3分钟以上，制得绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜。本发明通过精确调控反应气体组分、气体流量比例、生长时间等参数，可生长出（110）取向且具有良好光散射性能的氧化锌基透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN113549451B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202010298980.3

申请日：2020-04-16

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 周真真 ,  刘茜 ,  徐小科 ,  张颖

IPC分类号： C09K11/67 ,  G11B7/243

摘要： 本发明公开一种锆硅酸盐光存储材料及其制备方法。所述光存储材料的化学式为Ba1‑xZrSi3O9:xEu，其中0＜x≤0.30，优选为0.05＜x≤0.30。

公开(公告)号：CN108242395B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201611206295.3

申请日：2016-12-23

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 徐小科 ,  李效民 ,  高相东

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/20

摘要： 本发明涉及一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法，所述铌镁钛酸铅薄膜的复合化学式为(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，其中0＜x＜1，制备方法包括：（1）以铌镁钛酸铅陶瓷为靶材、以（0002）取向的氮化镓薄膜为衬底，控制衬底升温至700～850℃，通入氧气并调整氧气气压为0.5～10Pa；（2）将激光能量调节至2～6mJ/cm2，先以分段增加激光频率的方式在所述（0002）取向的氮化镓衬底上沉积缓冲层，再在5～10Hz的激光频率下沉积1～3小时后原位退火，得到所述铌镁钛酸铅薄膜。本发明填补了该领域内的空白，所采用的沉积手段简单易行。

公开(公告)号：CN109352182A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811348693.8

申请日：2018-11-13

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 刘茜 ,  余野建定 ,  汪超越 ,  李勤 ,  徐小科 ,  周真真

IPC分类号： B23K26/362 ,  B23K26/70

摘要： 本发明所提供的阵列样品激光加热系统包括：输出激光以提供加热能量的激光光源单元，其具备并列或阵列排布的多个激光器；设于所述激光光源单元下游以改变激光光斑尺寸的激光束斑调节单元；用于放置阵列样品的样品台；用于对待加热阵列样品的激光加热温度测温并反馈加热效果的温度测量单元；用于记录实验结果的图像记录单元；与所述激光光源单元、温度测量单元、和图像记录单元等相连接的总控单元。本发明能够实现多光束并行、束斑可调的激光加热，用于对材料基因工程所需的材料阵列样品的快速定向加热。

公开(公告)号：CN107153311A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710438553.9

申请日：2017-06-06

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 李效民 ,  毕志杰 ,  高相东 ,  徐小科 ,  陈永博 ,  何晓利

IPC分类号： G02F1/15 ,  G02F1/153 ,  G02F1/155

CPC分类号： G02F1/1506 ,  G02F1/153 ,  G02F1/155 ,  G02F2001/1517

摘要： 本发明涉及基于三氧化钨和普鲁士蓝的双功能器件，其是以三氧化钨薄膜为负极，普鲁士蓝薄膜为正极，在所述负极和所述正极之间填充电解质而成的双功能器件，所述双功能器件兼具电致变色和电容性能，且所述双功能器件的能量存储水平能由颜色变化可视化显示。本发明的器件既可作为电致变色器件，也可作为电容器件，是一种兼具电致变色和电容性能的双功能器件。

公开(公告)号：CN114437721B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202011222077.5

申请日：2020-11-05

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 刘茜 ,  邓明雪 ,  徐小科

IPC分类号： C09K11/67

摘要： 本发明涉及一种稀土离子Tb3+掺杂的LiTaO3多波段发射压力发光材料及其制备方法和应用，所述稀土离子Tb3+掺杂的LiTaO3多波段发射压力发光材料的化学通式为Li1‑xTaO3:xTb3+，其中0.005≤x≤0.03。

公开(公告)号：CN115436117A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110615800.4

申请日：2021-06-02

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 ,  亚申科技(浙江)有限公司

发明人： 刘茜 ,  王家成 ,  徐小科 ,  周真真 ,  花云

IPC分类号： G01N1/28 ,  G05B19/05

摘要： 本发明涉及基于溶液滴注并行合成阵列粉体样品库的高通量制备系统。所述基于溶液滴注并行合成阵列粉体样品库的高通量制备系统包括：存储合成粉体所需的多种化学成分起始溶液的储液单元；接收由储液单元输出的化学成分起始溶液、执行化学成分起始溶液输运和定点滴注的处置单元；接收处置单元中所定点滴注化学成分起始溶液的二维阵列微反应器单元；执行二维阵列微反应器单元中定点滴注化学成分起始溶液原位混合和干燥的成分均化与加热单元；操控与监测所述储液单元、处置单元、二维阵列微反应器单元、成分均化与加热单元工作的智能控制单元。相比一次制备一个样品的传统模式，本发明显著提升了样品的制备效率。

公开(公告)号：CN112625678B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201910905713.5

申请日：2019-09-24

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 刘茜 ,  王彩艳 ,  张颖 ,  邓明雪 ,  徐小科 ,  周真真 ,  贺欢

IPC分类号： C09K11/66 ,  C09K11/67

摘要： 本发明提供一种复合掺杂锡酸锶的光信息存储材料及其制备方法和应用。所述光信息存储材料的化学通式为Sr2‑x‑ySn1‑zMzO4:xNd3+,yR，R选自Na+、K+、V3+、Dy3+、Ho3+、Er3+和Eu3+中至少一种；M选自Ge4+、Ti4+与Zr4+中至少一种；其中，0.01≤x≤0.1，0.005≤y≤0.05，z为0或0.1。本发明制备的材料较稳定，具有光信息存储特性，光致发光峰位与光激励发光峰位接近一致。所述材料在防伪及光盘信息存储等领域具有潜在的应用前景。