-
公开(公告)号:CN114686226A
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202011594767.3
申请日:2020-12-29
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C09K11/78 , C04B35/505 , C04B35/622 , G11B7/2433
摘要: 本发明涉及一种电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质及其制备方法和应用,所述电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质的化学式为Y2‑x‑yGeO5:xPr3+,yRE3+,其中RE=Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种,0.005<x<0.015,0<y≤0.02。
-
公开(公告)号:CN117925224A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202211267828.4
申请日:2022-10-17
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明涉及一种蓝光‑紫外光双激发UVC发光材料及其制备方法和应用,属于光功能材料技术领域。所述蓝光‑紫外光双激发UVC发光材料的化学通式为Ca2‑xMgSi2O7:xPr3+,其中0<x≤5%,发射波长范围为245~325nm;所述材料的制备方法包括:将钙源、镁源、硅源和镨源按照元素按摩尔比为Ca:Mg:Si:Pr=2‑x:1:2:x称量并混合,在空气气氛下预烧,得到预烧粉体;将所得预烧粉体在空气气氛中进行煅烧,得到所述蓝光‑紫外光双激发UVC发光材料;这种材料在杀菌消毒、水净化中有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号:CN114437721B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202011222077.5
申请日:2020-11-05
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C09K11/67
摘要: 本发明涉及一种稀土离子Tb3+掺杂的LiTaO3多波段发射压力发光材料及其制备方法和应用,所述稀土离子Tb3+掺杂的LiTaO3多波段发射压力发光材料的化学通式为Li1‑xTaO3:xTb3+,其中0.005≤x≤0.03。
-
公开(公告)号:CN112625678B
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN201910905713.5
申请日:2019-09-24
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明提供一种复合掺杂锡酸锶的光信息存储材料及其制备方法和应用。所述光信息存储材料的化学通式为Sr2‑x‑ySn1‑zMzO4:xNd3+,yR,R选自Na+、K+、V3+、Dy3+、Ho3+、Er3+和Eu3+中至少一种;M选自Ge4+、Ti4+与Zr4+中至少一种;其中,0.01≤x≤0.1,0.005≤y≤0.05,z为0或0.1。本发明制备的材料较稳定,具有光信息存储特性,光致发光峰位与光激励发光峰位接近一致。所述材料在防伪及光盘信息存储等领域具有潜在的应用前景。
-
-
公开(公告)号:CN118461135A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202310081507.3
申请日:2023-02-08
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明涉及一种Mn掺杂Bi4Ge3O12闪烁材料及其制备方法和应用。所述Mn掺杂Bi4Ge3O12闪烁材料多晶粉末的化学通式为Bi4‑xGe3O12:xMn;其中,Mn离子的摩尔数x取值范围为0<x≤10.0%,优选为0.1%≤x≤10.0%,更优选为0.5%≤x≤6.0%。
-
公开(公告)号:CN117535051A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202210922853.5
申请日:2022-08-02
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明涉及一种A+,Pr3+离子共掺杂的深紫外发光材料及其制备方法和应用,具体涉及一种A+,Pr3+离子共掺杂的Li2SrSiO4深紫外发光材料及其制备方法和应用。所述A+,Pr3+离子共掺杂的的化学式为yALi+,其中2SrSiOA+为碱金属离子4Li深紫外发光材料2SrSiO4:xPr,3+优,选为Na+或/和K+;0.005<x<0.015,0<y≤0.25。
-
-
公开(公告)号:CN114437721A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202011222077.5
申请日:2020-11-05
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C09K11/67
摘要: 本发明涉及一种稀土离子Tb3+掺杂的LiTaO3多波段发射压力发光材料及其制备方法和应用,所述稀土离子Tb3+掺杂的LiTaO3多波段发射压力发光材料的化学通式为Li1‑xTaO3:xTb3+,其中0.005≤x≤0.03。
-
公开(公告)号:CN112625678A
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201910905713.5
申请日:2019-09-24
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明提供一种复合掺杂锡酸锶的光信息存储材料及其制备方法和应用。所述光信息存储材料的化学通式为Sr2‑x‑ySn1‑zMzO4:xNd3+,yR,R选自Na+、K+、V3+、Dy3+、Ho3+、Er3+和Eu3+中至少一种;M选自Ge4+、Ti4+与Zr4+中至少一种;其中,0.01≤x≤0.1,0.005≤y≤0.05,z为0或0.1。本发明制备的材料较稳定,具有光信息存储特性,光致发光峰位与光激励发光峰位接近一致。所述材料在防伪及光盘信息存储等领域具有潜在的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-